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松浦 秀治*; 井澤 圭亮*; 蓑原 伸正*; 大島 武
Japanese Journal of Applied Physics, 47(7), p.5355 - 5357, 2008/07
被引用回数：2 パーセンタイル：9.81(Physics, Applied)1MeV電子線照射による
型六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)のホール濃度()減少に関して調べた。アクセプタ濃度(
),アクセプタのイオン化エネルギー(
)を評価し、アクセプタの起源について考察した。その結果、本研究で得られたアクセプタ(=220eV程度)はAl不純物によるものであると同定された。さらに、は電子線の照射量に依存し、照射量とともに減少するが、は照射量に依存せず、ほぼ一定であることが判明した。と照射量の関係を解析することで、キャリア減少率を見積もったところ、6.4
10
cm
と見積もられた。1MeV電子線照射によるの減少は、おもにの減少に起因し、深い準位を有する欠陥(キャリア補償中心)の発生にはよらないことも併せて判明した。
柳澤 英樹*; 井澤 圭亮*; 松浦 秀治*; 大島 武
no journal, ,
200keV程度の低エネルギー電子線照射による炭化ケイ素(SiC)半導体の物性変化をキャリア濃度の観点から調べた。試料はp型のエピタキシャル膜付6H又は4H-SiCを用い、200keV電子線を510
/cmまで室温にて照射した。キャリア濃度はHall係数測定により決定した。その結果、4H-SiC, 6H-SiCともに電子線照射量の増加とともにキャリア濃度は減少するが、6H-SiCの方が4H-SiCに比べてキャリア濃度の減少が大きいことが明らかとなった。200keVの電子線照射によって、炭素(C)原子のみがはじき出されることを考えると、今回得られた結果は、Al原子に隣接するC原子が変位する割合は6H-SiCの方が4H-SiCに比べ高いことが推測される。
