JOPSS:検索結果一覧

検索結果：　1 件中 1件目～1件目を表示

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

論文

Partial crystallization of silicon by high intensity laser irradiation

東博純*; 匂坂明人; 大道博行; 伊藤勇夫*; 門浦弘明*; 神谷信雄*; 伊藤忠*; 西村昭彦; Ma, J.*; 森道昭; et al.

Applied Surface Science, 255(24), p.9783 - 9786, 2009/09

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.04.143

被引用回数：2 パーセンタイル：11.75(Chemistry, Physical)

フェムト秒レーザー及びナノ秒レーザーを用いて、照射強度10 $^{17}$ W/cm $^{2}$ 及び10 $^{9}$ W/cm $^{2}$ で単結晶シリコン基板及びアモルファスシリコン膜を有する単結晶シリコン基板に照射した。単結晶シリコン基板へのレーザー照射では、レーザー照射部には多結晶、周辺部には多結晶とアモルファスで構成される針状の構造が形成された。特に照射強度が10 $^{16}$ W/cm $^{2}$ の場合は、多結晶は基板とほぼ同じ方位を向いた。照射強度が10 $^{8}$ W/cm $^{2}$ より低い場合は、基板が単結晶シリコンの場合でもアモルファスシリコンが形成された。