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論文

Direct writing of conductive aluminum line on aluminum nitride ceramics by transversely excited atmospheric CO$$_{2}$$ laser

石井 克典; 高橋 明*; 住吉 哲実*; 小原 實*

Applied Physics Letters, 71(19), p.2758 - 2760, 1997/11

https://doi.org/10.1063/1.120125
 被引用回数：5 パーセンタイル：32.64(Physics, Applied)

横励起大気圧(TEA)CO$$_{2}$$レーザー書き込みにより、非常に低抵抗なアルミニウムの導体線をアルミニウムの窒化物(AIN)上に形成できることを実証した。電気抵抗の最小値は500$$mu$$mの幅の線で0.1オーム/mmより小さかった。測定された電気抵抗値は電気回路に通常使用されている導体線のものより小さかった。アルミニウムの層のX線光電光分光による深さ方向のプロファイル解析により、形成された金属アルミニウムの層の抵抗値が説明できる。KrFレーザーを使用した実験の結果と比較して、AIN上に抵抵抗な導体線を形成させるためには、TEACO$$_{2}$$レーザー書き込みが、KrDエキシマレーザー書き込みより効果的な方法であることがわかった。

論文

Direct writing of conductive aluminum line on aluminum nitride ceramics by transversely excited atmospheric CO$$_{2}$$ laser

石井 克典; 高橋 明*; 住吉 哲実*; 小原 實*

Applied Physics Letters, 71(19), p.2758 - 2760, 1997/00

https://doi.org/10.1063/1.120125

横励起大気圧(TEA)CO$$_{2}$$レーザー書き込みにより、非常に低抵抗なアルミニウムの導体線をアルミニウムの窒化物(AIN)上に形成できることを実証した。電気抵抗の最小値は500$$mu$$mの幅の線で0.1オーム/mmより小さかった。測定された電気抵抗値は電気回路に通常使用されている導体線のものより小さかった。アルミニウムの層のX線光電光分光による深さ方向のプロファイル解析により、形成された金属アルミニウムの層の抵抗値が説明できる。KrFレーザーを使用した実験の結果と比較して、AIN上に抵抵抗な導体線を形成させるためには、TEACO$$_{2}$$レーザー書き込みが、KrDエキシマレーザー書き込みより効果的な方法であることがわかった。

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