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口頭

JMTRで照射した$$^{241}$$Am試料の放射化学分析

小山 真一; 田中 健哉; 三頭 聡明; 佐藤 伊佐務*; 原 光雄*; 須藤 光雄*; 波並 徹*

no journal, , 

JMTRにおいて照射した$$^{241}$$Am試料の化学分析を実施した。$$^{241}$$Amを出発物質とする照射試料からAm, Cm及びPuを相互分離した後、同位体比を測定した。

口頭

超伝導マグネット材料の中性子照射効果

西村 新*; 竹内 孝夫*; 西嶋 茂宏*; 落合 謙太郎; 高倉 耕祐; 四竈 樹男*; 佐藤 伊佐務*; 渡辺 和雄*; 西島 元*

no journal, , 

原子力機構FNSでNb$$_{3}$$Sn線材に14MeV中性子を1.78$$times$$10$$^{21}$$n/m$$^{2}$$まで室温照射した後、東北大学金属材料研究所アルファ放射体実験室に搬送し、強磁場超伝導材料研究センターに設置されている28Tハイブリッドマグネットで高磁場での臨界電流測定を行った。その結果、20T以下の領域では、照射によって臨界電流は増加した。照射欠陥がピン止め点としての働きをし、そのため臨界電流が増加したものと思われる。臨界磁場は約25.4Tで、照射前後で顕著な変化は見られない。このことは、照射欠陥がNb$$_{3}$$Snの結晶格子の状態に明確な影響を及ぼしていないことを示している。

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