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小山 真一; 田中 健哉; 三頭 聡明; 佐藤 伊佐務*; 原 光雄*; 須藤 光雄*; 波並 徹*
no journal, ,
JMTRにおいて照射したAm試料の化学分析を実施した。Amを出発物質とする照射試料からAm, Cm及びPuを相互分離した後、同位体比を測定した。
西村 新*; 竹内 孝夫*; 西嶋 茂宏*; 落合 謙太郎; 高倉 耕祐; 四竈 樹男*; 佐藤 伊佐務*; 渡辺 和雄*; 西島 元*
no journal, ,
原子力機構FNSでNbSn線材に14MeV中性子を1.7810n/mまで室温照射した後、東北大学金属材料研究所アルファ放射体実験室に搬送し、強磁場超伝導材料研究センターに設置されている28Tハイブリッドマグネットで高磁場での臨界電流測定を行った。その結果、20T以下の領域では、照射によって臨界電流は増加した。照射欠陥がピン止め点としての働きをし、そのため臨界電流が増加したものと思われる。臨界磁場は約25.4Tで、照射前後で顕著な変化は見られない。このことは、照射欠陥がNbSnの結晶格子の状態に明確な影響を及ぼしていないことを示している。