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岡田 漱平; 須永 博美; 金子 広久; 河裾 厚男; 平野 剛*; 佐野 肇*; 滝沢 春喜; 四本 圭一
Proc. of 11th Symp. on Accelerator Sci. and Technol., p.107 - 109, 1997/00
サイクロトロンを利用した陽電子内部線源法により、シリコン中の熱平衡欠陥生成を示唆するデータを得た。この内部線源法によらなくても任意の対象に対して高温などの極端条件下での陽電子寿命測定が可能な高速(1MeV)短パルス(100ps)陽電子ビーム形成装置をほぼ完成させるとともに、静電場輸送低速陽電子ビーム形成に成功した。ポジトロンファクトリー計画に関しては、主要部分の概念設計を終了した。またリニアックを用いた低速陽電子発生実験の結果と、モンテカルロ計算とから、従来の3倍以上の低速陽電子収率が期待できる新しいモデレータアセンブリー構造を提案する。
須永 博美; 岡田 漱平; 金子 広久; 滝沢 春喜; 河裾 厚男; 佐野 肇*; 四本 圭一
Proc. of 22nd Linear Accelerator Meeting in Japan, p.98 - 100, 1997/00
原研において検討を進めているポジトロン利用研究施設(通称ポジトロンファクトリー、POF)の設置に向けて、平成8年度に実施した「概念検討」の結果を報告する。「概念検討」においては(1)高出力電子リニアック及び電子ビームライン、(2)ターゲット系及び陽電子ビームライン、(3)建家について、検討を行った。(1)については入射系の方式、レギュラ管の方式、熱解析と結果に対する対策、ビームの不安定性についての検討結果、RF系の概要等について述べる。(2)については、電子-陽電子コンバータ、モデレータ、ターゲット局所遮蔽、低速陽電子ビーム輸送ライン及び陽電子ビーム加工装置等についての検討結果を述べる。また建家については、基本設計とも言える検討結果の概要について述べる。