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保坂 勇志*; 大山 智子; 大島 明博*; 榎本 智至*; 鷲尾 方一*; 田川 精一*
Journal of Photopolymer Science and Technology, 26(6), p.745 - 750, 2013/12
被引用回数：11 パーセンタイル：35.05(Polymer Science)ポジ型塩素系電子線レジストZEP520Aは高感度・高分解能・高エッチング耐性を持つレジストとして知られている。本研究では大阪大学Lバンドライナックのパルス電子ビーム(エネルギー28MeV)を用い、ジクロロメタンおよびテトラヒドロフラン(THF)溶液中のナノ秒パルスラジオリシス法によって反応機構を調査した。その結果、解離性電子付着による塩素の脱離と電荷移動錯体の生成による複数の主鎖切断経路が存在することが確認され、主鎖切断のG値が約8と高い理由が明らかになった。また、THFに溶かした高濃度溶液を用いた実験ではZEP520Aの直接イオン化による生成物が確認された。このことから、固体レジスト中(微細加工時の状態)での放射線化学反応の初期過程が、溶液を用いた実験でシミュレートできることが分かった。
大山 智子*; 榎本 一之*; 保坂 勇志*; 大島 明博*; 鷲尾 方一*; 田川 精一*
no journal, ,
ZEP520A(
-クロロアクリル酸メチルと-メチルスチレンの1:1共重合体、ZEON)は電子線リソグラフィーに広く利用されている主鎖切断型(ポジ型)レジストである。ZEP520Aはポリメチルメタクリレート(PMMA)と同等の10nm以下の分解能を有すると同時に、PMMAに比べ1桁ほど高い感度を持つことが報告されている。本研究ではZEP520Aに100kVの電子線を照射し、ゲル浸透クロマトグラフィー、X線光電子分光分析、核磁気共鳴分析、パルスラジオリシスなどを用いて分解機構を分析した。その結果、塩素原子は解離型電子付加反応(DEA)によって容易に脱離することがわかった。DEAによって生じたラジカルによる
開裂と、電荷移動錯体経由で生成した主鎖ラジカルによる開裂という複数の経路によって、ZEP520Aが効率よく主鎖切断を起こしていると考えられる。
