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菅家 康*; 泉 富士夫*; 森井 幸生; 秋葉 悦男*; 舩橋 達; 加藤 克夫*; 磯部 光正*; 室町 英治*; 内田 吉茂*
Journal of Solid State Chemistry, 112, p.429 - 437, 1994/00
被引用回数：33 パーセンタイル：82.25(Chemistry, Inorganic & Nuclear)中性子及びX線回折実験によって、強磁性NaVOは冷却するにつれて六方晶系(P6
/mmc)から六方晶(P6mc)へ、さらに斜方晶系(Cmc2
)へと2次の相転移を2度起こすことが判明した。第一番目の相転移は245Kでの磁気転移を伴っていると考えられ、第二の相転移はこの物質のキュリー温度(64.2K)より低温の35Kから40Kの間で起こる。
磯谷 順一*; 神田 久生*; 内田 吉茂*; S.C.Lawson*; 山崎 聡*; 伊藤 久義; 森田 洋右
Physical Review B, 45(3), p.1436 - 1439, 1992/01
被引用回数：105 パーセンタイル：95.65(Materials Science, Multidisciplinary)ダイヤモンド人工単結晶に2MeV電子線を照射し生成される欠陥(単一空孔)を電子常磁性共鳴(EPR)及び電子-核二重共鳴(ENDOR)法を用いて測定した。その結果、C単一空孔に起因するSl-EPRスペクトルに対し、g値は4K及び77Kにおいて等方的で、2.0027なる値をとることが解った。またEPRスペクトルの角度依存性から、電子スピンと最近接格子位置の
C核スピンとの超微細相互作用テンソルは
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軸対称であることが判明した。これらの結果から、Sl欠陥はTd対称性を示すことが確認された。さらにENDOR測定より、Sl欠陥の有効スピン量子数は3/2であることが解った。第2近接Cの配置についても、ENDORスペクトルの角度依存性から、欠陥に対し110方向に存在することが確かめられた。以上得られた欠陥の対称性とスピン量子数から、Sl欠陥は荷電状態が負(-1価)の単一空孔であることが明らかになった。
