Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
using ion beam irradiation小林 伸雄*; 加納 さやか*; 佐々木 真一郎*; 田崎 啓介*; 中務 明*; 野澤 樹; 長谷 純宏; 鳴海 一成
JAEA-Review 2009-041, JAEA Takasaki Annual Report 2008, P. 77, 2009/12
is one of the perennial ornamentals native to central America, using for cutting, potting and bed flowers. For the purpose to obtain flower and/or plant form mutation, seeds were irradiated with ion beams. Irradiated seeds were sowed in green house and germinated seedlings were transplanted into pots. After 10 months, these plants were planted in the field. Seed germination rate decreased from 200 Gy irradiation with increasing doses and any seeds could not germinate at 500 Gy. Survival rate of seedlings decreased below 50% at 150 Gy and 200 Gy, and all seedlings were molted at 250 Gy and more higher doses. In 50 Gy and higher doses irradiated seedlings, abnormal morphology of leaves (rounded apical leaf, branched leaf and narrow leaf) was observed and appearance of abnormal leaf was increased with dose up to 200 Gy.
小林 伸雄*; 田崎 啓介*; 加納 さやか*; 坂本 咲子*; 中務 明*; 長谷 純宏; 鳴海 一成
JAEA-Review 2008-055, JAEA Takasaki Annual Report 2007, P. 70, 2008/11
本研究では、花色及び花姿の突然変異を誘導するために、ツツジ4品種(
, 
, 
及び
var. 
)の種子に220MeV炭素イオンビームを0から50Gy照射した。
とについては20Gy照射区まで生存し、また、と var. は30Gy照射区まで生存できた。発芽率は非照射区で最も高かったが、生存率は非照射区よりも低線量照射区の方が高かった。これは、イオンビーム照射による刺激効果によるものであろう。斑入りの葉を持つものが幾つかの苗木で観察された。矮性や発育阻害も観察された。
加納 さやか*; 小林 伸雄*; 中務 明*; 長谷 純宏; 鳴海 一成
no journal, ,
イオンビームは
線やX線などによる従来の突然変異育種と比べ、従来の変異原では得られなかった変異を誘発できることから、新たな突然変異原として期待されている。本研究では、熱帯アメリカ原産の多年草で、切花,鉢物及び花壇用として利用されているアスクレピアス
の有用変異体の獲得を目的に、イオンビーム照射が生育及び開花に及ぼす影響について調査した。「シルキーゴールド」及び「シルキーレッド」の雑種後代種子に対し、炭素イオンビームを0-500Gyの10段階で照射した。照射した種子は温室内で育成し、約10か月後に温室内から圃場に定植した。生存率は150及び200Gy区では50%以下になり、250Gy以上ではすべて枯死した。葉先端の分岐,葉先端の丸み,2枚葉及び縮れなどの葉の異常は50Gy以上の照射区で観察された。開花については無照射区の個体に比べ、25-100Gy区の一部の個体で到花日が早まり、150及び200Gy区では全体的に到花日の遅れがみられた。以上の結果から、照射線量が高いほど生存率の低下,葉の異常個体出現率と分枝数の増加及び到花日の遅延を引き起こすことが確認された。
加納 さやか*; 小林 伸雄*; 中務 明*; 野澤 樹; 長谷 純宏
no journal, ,
イオンビームは線やX線など従来の突然変異原と比べて線エネルギー付与が高く、新しい突然変異原として期待されている。アスクレピアスは熱帯アメリカ原産のガガイモ科の多年草で、切花,鉢物及び花壇用として利用されており、本種の有用なイオンビーム突然変異体の獲得を目的に研究を進めている。本発表では照射次世代で得られた葉や花器官に関する変異体の特性について発表する。照射次世代種子の発芽率,生存率はそれぞれ98%及び78%以上で、照射当代で見られた顕著な障害はみられなかった。変異個体数は照射線量が高いほど増加し、葉身が楕円形化し花が大型化した個体,葉身が狭披針形化した個体及び分枝数の多い個体などの変異体が得られた。これらは有用な育種素材であると考えられ、現在、これらの変異個体を挿し木により増殖し、形質の安定性を評価するとともに染色体の観察及び種子稔性を調査中である。
