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論文

Impact of carrier lifetime on efficiency of photolytic hydrogen generation by p-type SiC

三宅景子*; 安田智成*; 加藤正史*; 市村正也*; 畑山智亮*; 大島武

Materials Science Forum, 778-780, p.503 - 506, 2014/02

Photolytic hydrogen generation using sunlight is regarded as energy production technology for the next generation. One of the key of issues for this technology is a selection of materials for the photolysis. Silicon carbide (SiC) is expected as one of the candidate materials for this application. In this study, we measured carrier lifetimes in SiC by the microwave photoconductivity decay (PCD) method. In order to control carrier lifetime in SiC, some samples were irradiated with 160 keV-electrons with fluences between 110 $^{16}$ and 110 $^{17}$ /cm $^{2}$ . The values of carrier lifetime in SiC were compared to photocurrents in electrolytes which directly relate to the conversion efficiency of photolytic hydrogen generation. As a result, photocurrents depend on the sum of the depletion layer width and the diffusion length which was estimated from carrier lifetimes.

論文

Lower critical fields and the anisotropy in PrFeAsO $_{1-y}$ single crystals

岡崎竜二*; Konczykowski, M.*; Van der Beek, C. J.*; 加藤智成*; 橋本顕一郎*; 下澤雅明*; 宍戸寛明*; 山下穣*; 石角元志; 鬼頭聖*; et al.

Physica C, 470(Suppl.1), p.S485 - S486, 2010/12

https://doi.org/10.1016/j.physc.2009.12.041

被引用回数：0 パーセンタイル：0(Physics, Applied)

鉄系オキシニクタイドPrFeAsO $_{1-y}$ 単結晶におけると -planesのより下部臨界磁場 $H_{c1}$ を報告する。磁束ピン止めによって $H_{c1}$ 決定の困難さを回避することで、センサーの位置ごとの局所の磁気誘導を評価できる小型のホールセンサーアレイを使った新方式を開発した。結晶の縁に置かれたホールセンサーは、マイスナーの状態から最初の磁束侵入を明瞭に解明した。による $H_{c1}$ の温度依存性は、面内侵入の深さによって計測され、完全ギャップの超伝導状態と一致する。低温での $H_{c1}$ の異方性は3であると評価され、それは $H_{c2}$ よりさらに小さいものである。これは、マルチバンド超伝導性を意味し、超伝導性のアクティヴバンドはより二次元的である。