イオンビーム誘発UVB感受性変異体イネの特徴解析

千葉 和宏*; 高野 成央*; 山本 充*; 寺西 美佳*; 長谷 純宏; 坂本 綾子; 田中 淳; 日出間 純*

no journal, , 

イネのUVB耐性にかかわる主要因子の一つは、UVB誘発シクロブタン型ピリミジン二量体(CPD)を修復するCPD光回復酵素であるが、他のUVB耐性にかかわる因子は未だ不明である。われわれは、UVB耐性にかかわる遺伝子資源の探索を目的に、UVB耐性を示すイネ・ササニシキを親株とし、変異原として炭素イオンビーム(320MeV: C, 80Gy)を用いて、UVB感受性変異体イネ()の選抜に成功し、解析を進めてきた。その結果、usr1は第7染色体上の2つの遺伝子を含む、約52kbpの領域が欠失していることがわかった。次にusr1の生理学的特性について親株と比較したところ、既知のUVB耐性因子であるUV吸収物質の蓄積量、CPD及び6-4光産物の生成頻度に差は見られなかった。また、UVB照射後の根の生育を感受性の指標とした、光条件及び暗条件でのRoot bending assayを行った結果、は光条件、暗条件の両方で野生型よりもUVB感受性を示した。さらに、のUVB誘発CPD及び6-4光産物の光修復活性、暗修復活性をELISA法により解析したところ、野生型と比べて有意な差は見られなかった。これらの結果より、の示すUVB感受性は、既知のUVB耐性にかかわる因子ではなく新規の因子が関与している可能性が示された。