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論文

Deuterium enrichment during ion bombardment in VD $_{0}$ $_{.}$ $_{0}$ $_{1}$ alloys

山口貞衛*; 小沢国夫; 吉成修*; 小岩昌宏*; 平林真*

Nuclear Instruments and Methods, 168(1), p.301 - 305, 1980/00

重イオン注入により生成した格子欠陥が、固体中の元素と相互作用して、それらをトラップする現象を見出した。これはion-implantation damage Getteringと呼ばれ、イオンビームの応用工学を拓くものである。核融合炉第1壁の放射線損傷とプラズマ構成原子(水素同位体)の相互作用を模擬するため、Va属-D合金中のV-D,NbV,TaDの各試料に対し、750keV $^{3}$ Heイオンビームと、D( $^{3}$ He,)P核反応法を用い、合金中のD濃度の変化を調べ2~3倍増加のGettering効果を見出した。温度効果,ターゲット元素の種類依存性,注入イオンビームのdose依存などを追求した。又トラップの欠陥の種類を明にするため、合金単結晶の110channeling研究を行い、多重散乱modelによるdamage profileを求め、 $^{3}$ Heイオンのrange profileとの相関を調べた。Radiation Gettaringは原子空孔様のprimaryな欠陥にD原子がトラップされるとして説明出来た。

論文

Deuterium trapping by radiation induced defects in V,Nb and Ta

山口貞衛*; 吉成修*; 高橋純三*; 藤野豊*; 小沢国夫; 楢本洋; 小岩昌宏*; 平林真*

Proc.of the 2nd Int.Symp.on Hydrogen in Metals, p.249 - 252, 1980/00

日本金属協会主催で「金属内水素」の国際会議が行われ「水素原子の拡散」に関するセッションで発表する。V-D,Nb-D,Ta-Dの各単結晶に対し、750keV $^{3}$ Heイオンビームによる照射欠陥の深さ分布をこの欠陥生成に伴う金属内重水素の分布の変化を述べる。

論文

Channeling studies on the trapping of deuterium in vanadium by oxygen interstitials

小沢国夫; 山口貞衛*; 藤野豊*; 吉成修*; 小岩昌宏*; 平林真*

Nuclear Instruments and Methods, 149(1-3), p.405 - 410, 1978/03

高融点金属中の水素および酸素原子の存在形態を明らかにする目的で、体心立方型V金属中に重水素および第3元素としての酸素をドープしたVの2元および3元系合金のVd. $_{0}$ $_{1}$ ,VO. $_{0}$ $_{2}$ ,VO. $_{0}$ $_{2}$ D. $_{0}$ $_{1}$ ,VO. $_{0}$ $_{3}$ D. $_{0}$ $_{4}$ 各単結晶を作成し、重水素および酸素原子のV金属中の格子間位置を決定する研究を行った。用いた手法は、Heの後分散乱法と, $^{3}$ He(D、P) $^{4}$ He $^{1}$ $^{6}$ O(D,P) $^{1}$ $^{7}$ O $^{ast}$ 原子核反応を利用したイオンチャネリング法である。得られた主な結果は次の通りである。1)VD. $_{0}$ $_{1}$ 系では、重水素はVと同属のNb,Taと同じく4面体格子間位置にある。2)VO. $_{0}$ $_{2}$ では、酸素はVの8面体格子間位置にある。3)VO. $_{0}$ $_{3}$ D. $_{0}$ $_{4}$ の3元合金では重水素は2元素と異なり、8面体格子間位置にある。4)本実験は、金属中の重水素原子が酸素にトラップされクラスタを形成している最初の直接証拠である。