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p diodes irradiated with gold ions大島 武; 佐藤 隆博; 及川 将一; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 横山 琢郎*; 坂本 愛理*; 田中 礼三郎*; et al.
Materials Science Forum, 556-557, p.913 - 916, 2007/00
被引用回数：4 パーセンタイル：76.81(Materials Science, Ceramics)炭化ケイ素(SiC)を耐放射線性の粒子検出器へ応用する研究の一環として、六方晶SiC(6H-SiC)npダイオード中に金(Au)イオンが入射したときの電荷収集効率(CCE)を調べた。試料には、p型エピタキシャル膜上にリン注入によりn層を作製したnpダイオードを用い、12MeV-Auイオン入射によるイオン誘起過渡電流(TIBIC)測定を行った。TIBICシグナルを時間積分することで収集電荷量を求めたところ0.10pCであった。一方、Auイオン入射により発生する電荷量を見積もったところ0.195pCと求められ、CCEが約50%であることが明らかとなった。イオン入射によりSiC中に発生する電子-正孔対の濃度を計算したところ、CCEが100%となる酸素やシリコンイオン入射の場合に比べ約二桁高濃度であることが見いだされた。このことより、Auイオン入射では非常に高濃度の電子-正孔対(プラズマ)が発生するためにプラズマ中で電子-正孔対が再結合してしまい、その結果、CCEが低下することが推測される。
p diodes irradiated with Au-ions岩本 直也; 大島 武; 佐藤 隆博; 及川 将一*; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 横山 琢郎*; 坂本 愛理*; et al.
Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-7), p.185 - 188, 2006/10
六方晶炭化ケイ素(6H-SiC) npダイオードに12MeVの金イオンを照射し、ダイオードの電荷収集効率をイオンビーム励起過渡電流(TIBIC)によって評価した。酸素(O)及びシリコン(Si)イオンの照射では電荷収集効率(CCE)は100%であったが、金イオンでは約50%であった。イオン入射によって6H-SiC npダイオードで発生した電子-正孔対の濃度をKobetich & Katz(KK)モデルを使って評価すると、電子-正孔対の濃度は入射イオンの原子番号が大きくなると増加することが明らかとなった。したがって、金イオンを入射した6H-SiC npダイオードにおけるCCEの減少は、高濃度の電子-正孔対内での電子と正孔の再結合に起因することが示唆される。
pダイオードの収集電荷量効率の低下岩本 直也; 大島 武; 佐藤 隆博; 及川 将一; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 横山 琢郎*; 坂本 愛理*; et al.
no journal, ,
炭化ケイ素(SiC)のイオン照射効果を明らかにするため、SiCダイオードに金(Au)イオンが入射する際に発生する過渡電流計測を行った。実験には、p型エピタキシャル6H-SiC膜にリン(P)イオンを注入して作製したnpダイオードを用いた。10及び12MeV-Auイオン入射によるイオンビーム励起過渡電流(TIBIC)を測定し、TIBICシグナルを時間積分することで収集電荷量を求めた。その結果、得られた収集電荷量が、理想値の50%程度であることが判明した。これまで、酸素及びシリコンイオンでは、実験的に得られた収集電荷量は理想値とほぼ一致することを明らかにしているが、今回のAuイオン照射で得られた結果は、Auイオンのような重イオンが入射することで、SiC中に高密度の電子-正孔対が生成され、その一部が再結合により収集前に消滅するためであると考えられる。
pダイオードの電荷収集岩本 直也; 大島 武; 佐藤 隆博; 及川 将一*; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 横山 拓郎*; 坂本 愛理*; et al.
no journal, ,
炭化ケイ素(SiC)を粒子検出器へ応用するために、六方晶(6H)SiCエピタキシャル基板上にnpダイオードを作製し、12MeV金(Au)イオン入射によりダイオード中に発生する電荷をイオン誘起過渡電流(TIBIC)計測システムにより評価した。n型領域は800
Cでの燐イオン注入及びアルゴン中1650C、5分間の熱処理により形成した。TIARAタンデム加速器に接続された重イオンマイクロビームラインを用いてTIBIC測定を行った。得られたTIBICシグナルを積分することで収集電荷を見積もったところ、0.1pA程度の電荷収集が行われており、この値は理想値の50%程度であることが判明した。Katzらによって提案されたモデルを用いて発生電荷挙動のシミュレーションを試みたところ、Auの場合は、従来電荷収集効率100%が確認されている酸素やシリコンイオンの場合と比べ100倍の高濃度の電子-正孔対(プラズマ状態)が生成されており、高濃度プラズマ内での電子-正孔対の再結合が原因で電荷収集効率が低下することが示唆された。
nダイオードのTIBIC測定岩本 直也; 小野田 忍; 菱木 繁臣; 三島 健太; 大島 武; 佐藤 隆博; 及川 将一*; 神谷 富裕; 坂本 愛理*; 中野 逸夫*; et al.
no journal, ,
炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた粒子検出器開発の一環として、p型六方晶(6H)SiCエピタキシャル膜上に作製したnpダイオードに酸素及びニッケルイオンを入射し、誘起される過渡電流(TIBIC)を測定した。TIBICシグナルを時間積分することで電荷収集量を求め、空乏層中で発生する電荷量の計算値との比較を行った結果、9MeVのニッケルイオンを照射した際の電荷収集効率(CCE)は75%程度であることが判明した。一方、9MeVの酸素イオンの場合、CCEは90%程度であった。イオントラック構造を考慮して生成電荷密度を求め、さらにオージェ再結合を考慮し解析を行った結果、ニッケルのような重イオンでは高濃度電子-正孔対(プラズマ)が発生し、その結果としてプラズマ中でのオージェ再結合が生ずるためにCCEが低下することが判明した。
