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日下部 俊男*; 塩田 健司*; 白井 稔三*
Plasma and Fusion Research (Internet), 8(Sp.1), p.2401145_1 - 2401145_4, 2013/11
0.7-6keVの炭素2価イオンと1.05-9keVの炭素3価イオンをリング状強力永久磁石利用の小型多価イオン源(-EBIS)から引き出し、一酸化炭素や二酸化炭素分子と衝突させ、炭素2価イオンでは1電子及び2電子移行断面積が、また、炭素3価イオンでは1電子,2電子及び3電子移行断面積が、成長率法という手法でそれぞれ測定された。各断面積の入射イオンエネルギー依存性は弱く、二酸化炭素との衝突系では、伊藤らの10keV以上のエネルギー領域での過去の測定値とおおむね接続することがわかった。
日下部 俊男*; 塩田 健司*; 久保 博孝; 白井 稔三*
Journal of Plasma and Fusion Research SERIES, Vol.7, p.237 - 239, 2006/00
核融合プラズマ装置においてプラズマ対向面として炭素材料を用いた場合、周辺プラズマには炭素イオンや種々の炭化水素分子が不純物として発生する。これら不純物の挙動をモデル化するには、炭素イオンと炭化水素分子の電荷移行断面積が必要である。われわれは、Cと種々の炭化水素分子及びCO, COの1電子及び2電子の移行断面積を0.7-6keVのエネルギー領域で測定した。その結果、ここで測定したほとんどの場合に対して電荷移行断面積はエネルギー依存性が弱いことがわかった。また、炭化水素分子の1電子移行断面積は炭化水素分子の電離エネルギーに依存することがわかった。一方、2電子移行断面積にはそのような依存性は見られなかった。