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Np and 
Am gamma ray regions福田 竜生; 小畠 雅明; 菖蒲 敬久; 吉井 賢資; 神谷 潤一郎; 岩元 洋介; 牧野 高紘*; 山崎 雄一*; 大島 武*; 白井 康裕*; et al.
Journal of Applied Physics, 132(24), p.245102_1 - 245102_8, 2022/12
被引用回数：1 パーセンタイル：17.38(Physics, Applied)Ni/SiCショットキー接合による放射線から電気エネルギーへの変換を、特にAm (30keV)及びAm (60keV)の
線に着目して調べた。変換効率は吸収量ベースで最大1.6%であった。SiCは比較的放射線耐性があることから、これは放射性廃棄物からの線エネルギーの再生に利用できる可能性を示している。また、高X線光電子分光(HAXPES)及び二次イオン質量分析法(SIMS)を組み合わせることで、接合界面にNi-Si化合物が生成されると効率が低下することも分かった。これは電気測定に加えてHAXPES及びSIMSの2つの手法を組み合わせて判明したことであり、今後のデバイス作成プロセスへのフィードバックが期待できる結果である。
赤木 浩*; 熊田 高之; 乙部 智仁*; 板倉 隆二*; 長谷川 宗良*; 大島 康裕*
Chemistry Letters, 49(4), p.416 - 418, 2020/04
被引用回数：1 パーセンタイル：4.87(Chemistry, Multidisciplinary)We demonstrate isotope selective ionization of I
Br and I
Br isotopologues using field-free alignment induced by a linearly-polarized nanosecond laser pulse with rapid turn off at the maximum. Following the switched nanosecond pulse irradiation, a 60-fs laser pulse ionizes one of the isotopologues preferentially. The ion yield ratio 
(IBr
)/(IBr) varies in the range of 0.93-1.06, depending on time delay between the pulses. This is the first demonstration of laser isotope separation of heavy elements using field-free alignment and angular dependent ionization.
赤木 浩*; 熊田 高之; 乙部 智仁*; 板倉 隆二*; 長谷川 宗良*; 大島 康裕*
Applied Physics B, 124(1), p.14_1 - 14_8, 2018/01
被引用回数：2 パーセンタイル：14.76(Optics)新たな同位体分離法を目指したフィールドフリーアライメントによるイオン化効率の同位体選択性を計算した。従来のフェムト秒レーザーを用いたフィールドフリーアライメント法では、レーザー強度を強くするとイオン化の選択性が無くなってしまうのに対し、200fsでカットオフするナノ秒レーザーパルスを用いると選択性を保持したまま高い同位体選択イオン化が実現することが判明した。
赤木 浩; 笠嶋 辰也*; 熊田 高之; 板倉 隆二; 横山 淳; 長谷川 宗良*; 大島 康裕*
Physical Review A, 91(6), p.063416_1 - 063416_7, 2015/06
被引用回数：7 パーセンタイル：38.91(Optics)等核二原子分子の同位体分子の2成分混合物に対する、フェムト秒パルス列による分子整列を用いた同位体選択的イオン化を提案する。質量数
および
の原子核2つからなる等核二原子分子の同位体分子に対し、パルスの時間間隔をT
= T() = T()、[T()およびT()は回転周期]とすると、2つの同位体分子の分子整列が同時に成立する。窒素の同位体分子(
N
および
N)に対して実証実験を行い、最後のフェムト秒パルスからT/2後の直前にはNが整列、Nが反整列し、T/2の直後にはその反対の状態が生成した。そのタイミングでもう1パルス、フェムト秒パルスを照射し、各同位体分子を非共鳴多光子イオン化した。イオン収量比I(N
)/I(N)が0.49-2.00まで変化し、以前の1パルスによる分子整列を用いた結果より変動幅が大きくなった。
赤木 浩; 笠嶋 辰也; 熊田 高之; 板倉 隆二; 横山 淳; 長谷川 宗良*; 大島 康裕*
Applied Physics B, 109(1), p.75 - 80, 2012/10
被引用回数：16 パーセンタイル：61.38(Optics)レーザー分子配列及び非共鳴多光子イオン化の異方性を利用したレーザー同位体分離をN分子の同位体混合ガスに対して行った。真空チャンバー内で直線偏光・短パルスレーザー(
795nm, 
60fs)をNとNの混合ガスに対して照射し、回転コヒーレンス状態を生成する。その後、一方の同位体分子の軸が揃う時刻に、再度、直線偏光・短パルスレーザー光(795nm, 60fs)を照射することで、同位体選択的にイオン化した。各同位体のイオン生成量を2つのパルス間の遅延時間を走査しながら測定した結果、その比が0.851.22と変化した。
坪内 雅明; 永井 正也*; 大島 康裕*
Optics Letters, 37(17), p.3528 - 3530, 2012/09
被引用回数：18 パーセンタイル：64.97(Optics)シリコン表面への近赤外光励起により生成されるキャリアは、THz領域の光に強く影響を与えるためTHz光透過の阻害要因となる一方、THz光の光スイッチ等の疑似光学素子としての利用が提案されている。キャリアによる精密なTHz光の光学制御を行うためには、キャリアのシリコン内空間分布とダイナミクスを精査する必要がある。そこで本研究では、光学励起・THz検出時間分解測定法を用いて、シリコン内部のキャリアダイナミクスを直接測定する手法を開発した。
板倉 隆二; 長谷川 宗良*; 黒崎 譲; 横山 淳; 大島 康裕*
Journal of Physical Chemistry A, 114(42), p.11202 - 11209, 2010/07
被引用回数：12 パーセンタイル：38.16(Chemistry, Physical)強レーザー場中の分子は、誘起双極子によって、非断熱回転励起する。レーザー強度が上がるとイオン化が起こり、回転励起とイオン化が同時進行する。イオン化には配向角度依存性があり、イオン化によって中性分子の回転波束が変化する。本研究は、フェムト秒強レーザーパルス照射後のNO分子の回転状態分布について、ナノ秒色素レーザーを用いた共鳴2光子イオン化回転スペクトル測定によって明らかにした。また、イオン化を取り込んだ時間依存シュレーディンガー方程式の数値計算を行い、実験結果と比較した結果、42TW/cm
程度のレーザー強度では、分子軸がレーザー偏光方向に垂直なときに、イオン化確率が大きくなることが明らかとなった。
板倉 隆二; 長谷川 宗良*; 黒崎 譲; 横山 淳; 大島 康裕*
no journal, ,
強レーザー場中の分子は、誘起双極子によって、非断熱回転励起する。レーザー強度が上がるとトンネルイオン化が起こり、回転励起とイオン化が同時進行する。イオン化には配向角度依存性があり、中性分子の回転状態分布は影響を受ける。本研究では、フェムト秒レーザーによるNO分子の回転状態分布を、ナノ秒色素レーザーを用いた共鳴2光子イオン化によって観測した。フェムト秒レーザーの強度を上げてイオン化の寄与を大きくしながら、状態分布の変化を調べた。数値的にも、時間依存シュレーディンガー方程式に、イオン化の寄与を虚ポテンシャルとして導入したシミュレーションを行い、イオン化の配向角度依存性に関して考察を行った。
板倉 隆二; 長谷川 宗良*; 黒崎 譲; 横山 淳; 大島 康裕*
no journal, ,
強レーザー場中の分子は、誘起双極子によって、非断熱回転励起する。レーザー強度が上がるとイオン化が起こり、回転励起とイオン化が同時進行する。イオン化には配向角度依存性があり、イオン化によって中性分子の回転波束が変化する。本研究は、フェムト秒強レーザーパルス照射後のNO分子の回転状態分布について、ナノ秒色素レーザーを用いた共鳴2光子イオン化回転スペクトル測定によって明らかにした。
板倉 隆二; 長谷川 宗良*; 黒崎 譲; 横山 淳; 大島 康裕*
no journal, ,
強レーザー場中の分子は、非断熱回転励起とイオン化を同時に起こす。イオン化には配向角度依存性があり、イオン化によって中性分子の回転波束は変形する。本研究は、フェムト秒強レーザーパルス照射後のNO分子の回転状態分布を測定するとともに、時間依存シュレーディンガー方程式を解くことによってイオン化と回転励起の相関を議論する。
板倉 隆二; 長谷川 宗良*; 黒崎 譲; 横山 淳; 大島 康裕*
no journal, ,
強レーザー場中の分子は、誘起双極子によって、非断熱回転励起する。レーザー強度が上がるとイオン化が起こり、回転励起とイオン化が同時進行する。イオン化には配向角度依存性があり、イオン化によって中性分子の回転波束が変化する。本研究は、フェムト秒強レーザーパルス照射後のNO分子の回転状態分布について、ナノ秒色素レーザーを用いた共鳴2光子イオン化回転スペクトル測定によって明らかにした。また、イオン化を考慮に入れた回転状態に関する時間依存シュレーディンガー方程式を数値的に解き、実験結果と比較した。その結果、分子軸が偏光に対して垂直な分子が大きなイオン化確率を持つことが明らかとなった。
赤木 浩; 笠嶋 辰也; 熊田 高之; 板倉 隆二; 横山 淳; 長谷川 宗良*; 大島 康裕*
no journal, ,
レーザー分子alignment及びイオン化の異方性を利用して、N分子の同位体選択的イオン化を行った。直線偏光・短パルスレーザーをNとNの混合ガスに対して照射し、回転コヒーレンス状態を生成した後、一方の同位体分子の軸が揃う時刻に、再度、直線偏光・短パルスレーザー光を照射することで、選択的にイオン化した。各同位体のイオン生成量を2つのパルス間の遅延時間を走査しながら測定した結果、その比が0.851.22と変化した。
坪内 雅明; 横山 淳; 永井 正也*; 大島 康裕*
no journal, ,
シリコン表面への近赤外光励起により生成されるキャリアは、THz領域の光に強く影響を与えるためTHz光透過の阻害要因となる一方、THz光の光スイッチ等の疑似光学素子としての利用が提案されている。キャリアによる精密なTHz光の光学制御を行うためには、キャリアのシリコン内空間分布とダイナミクスを精査する必要がある。そこで本研究では、光学励起・THz検出時間分解測定法を用いて、シリコン内部のキャリアダイナミクスを直接測定する手法を開発した。
赤木 浩; 笠嶋 辰也; 熊田 高之; 板倉 隆二; 横山 淳; 長谷川 宗良*; 大島 康裕*
no journal, ,
分子配列制御及び非共鳴多光子イオン化の異方性を利用して、窒素分子の同位体選択的イオン化を行った。真空チャンバー内で直線偏光・短パルスレーザーをNとNの混合ガスに対して照射し、回転コヒーレンス状態を生成する。その後、一方の同位体分子の軸が揃う時刻に、再度、直線偏光・短パルスレーザー光を照射することで、選択的にイオン化した。各同位体のイオン生成量を2つのパルス間の遅延時間を走査しながら測定した結果、その比が0.851.22と変化した。
赤木 浩; 笠嶋 辰也; 熊田 高之; 板倉 隆二; 横山 淳; 長谷川 宗良*; 大島 康裕*
no journal, ,
分子配向と非共鳴多光子イオン化を利用した同位体選択的イオン化の研究をNとNの混合ガスに対して行っている。レーザーパルスを4つ連続的に照射して配向度を高くすることで、高選択的イオン化を目指した。パルス間隔を一方の回転周期に合わせることで、その同位体分子の回転波束を選択的に生成できた。また、NとNの回転周期の最小公倍数に当たる間隔でレーザーパルスを照射すると、両方の配向度を高くすることができ、1パルスより高い選択性が現れることがわかった。
坪内 雅明; 永井 正也*; 大島 康裕*
no journal, ,
シリコン表面への近赤外光励起により生成されるキャリアは、THz領域の光に強く影響を与えるためTHz光透過の阻害要因となる一方、THz光の光スイッチ等の疑似光学素子としての利用が提案されている。キャリアによる精密なTHz光の光学制御を行うためには、キャリアのシリコン内空間分布とダイナミクスを精査する必要がある。そこで本研究では、光学励起・THz検出時間分解測定法を用いて、シリコン内部のキャリアダイナミクスを直接測定する手法を開発した。
近藤 正人; 大島 康裕*; 坪内 雅明
no journal, ,
イオンの溶解が水の構造に与える影響については古くから多くの研究がなされてきたが未解決な点が多い。特にその影響が及ぶ範囲に関する議論は未だ絶えない。この問題解決のため、本研究ではテラヘルツ時間領域分光法により種々の水溶液の誘電率の周波数依存性(誘電分散)の観測を行った。水溶液の誘電分散には「イオンへの水和による水分子運動の減速効果」を反映する溶存陽イオンのサイズによる系統的な違いが見られたほか、高周波数領域で純水に比べた誘電率の上昇が観測された。この事実は従来知られる上述の減速効果だけでは説明できず、「イオンが溶液全体の水素結合構造を崩壊させたことによる加速効果」が現れたことを強く反映する。
近藤 正人; 大島 康裕*; 坪内 雅明
no journal, ,
イオンの溶解が水溶液全体の水素結合構造に与える影響については古くから多く研究がなされてきたが、未だ議論の絶えない溶液化学研究における長年の主題である。本研究ではテラヘルツ(THz)領域に現れる水の吸収に着目し、この問題の解決を試みた。THz時間領域分光法により種々のイオン水溶液で吸収スペクトルを測定した結果、1THzより高周波数領域においてイオンの溶解に伴う吸収の増加が観測された。この事実はイオンが水素結合ネットワーク構造を崩壊させる効果の存在を強く示している。
坪内 雅明; 永井 正也*; 大島 康裕*
no journal, ,
シリコン表面への近赤外光励起により生成されるキャリアは、THz領域の光に強く影響を与えるためTHz光透過の阻害要因となる一方、THz光の光スイッチ等の疑似光学素子としての利用が提案されている。キャリアによる精密なTHz光の光学制御を行うためには、キャリアのシリコン内空間分布とダイナミクスを精査する必要がある。そこで本研究では、光学励起・THz検出時間分解測定法を用いて、シリコン内部のキャリアダイナミクスを直接測定する手法を開発した。
赤木 浩; 笠島 辰也*; 熊田 高之; 板倉 隆二; 横山 淳; 長谷川 宗良*; 大島 康裕*
no journal, ,
強レーザー場中における分子整列及びイオン化の角度依存性を用いて、N2分子の同位体選択的イオン化を行った。直線偏光のフェムト秒レーザーパルスを14-N2と15-N2の混合ガスに対して照射し、回転波束を生成し、その後、一方の同位体分子のみ整列する時刻に、別の直線偏光高強度フェムト秒レーザーパルスを照射することによって、同位体選択的にイオン化することができた。
