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前田 裕司*; 松本 徳真*; 春名 勝次*; 早乙女 隆雄*; 小野 文久*; 須貝 宏行; 大塚 英男; 大橋 一利*
Physica B; Condensed Matter, 376-377, p.283 - 287, 2006/04
被引用回数：3 パーセンタイル：17.99(Physics, Condensed Matter)天然及び人工ダイヤモンド単結晶において、主な不純物である窒素の含有量が異なる4種類の試料、Ia型(窒素を約1000ppm含む天然の単結晶),Ib型(窒素を約100ppm含む人工単結晶),IIa型(窒素の量が10ppm以下の高純度人工単結晶),IIb型(含有窒素量は10ppm以下だが、ボロンを100ppm程度含む人工単結晶)について、X線回折によりキャラクタリゼーションを行った。X線ボンド法により求めた格子定数(298K)は、IIb型が最大(0.35670nm)で、Ia型が最小(0.35666nm)となり、その順番は IIb
IbIIaIaであった。さらに、格子定数測定とX線散漫散乱の結果を総合すると、IIb型ではボロンは置換型の欠陥として(100)面に存在し、Ia型では窒素は置換型の欠陥集合体として(100)面に存在すると推測される。
須藤 智子*; 大橋 一利*; 佐藤 俊麿*; 太田 英二*; 岡安 悟; 須貝 宏行
Physical Review B, 71(4), p.045211_1 - 045211_7, 2005/01
被引用回数：1 パーセンタイル：7.2(Materials Science, Multidisciplinary)高濃度ボロンドープしたダイヤモンド半導体単結晶にタンデム加速器からの150MeVリンイオンを照射することにより、ダイヤモンド半導体単結晶の電気抵抗率が30K以下でのみ増加することを見いだした。さらに、この高濃度ボロンドープした人工ダイヤモンド結晶の電気抵抗率と1/fノイズスペクトルを20Kから300Kまで測定し、30Kから60Kまでは10meVのエネルギー幅を持つハードギャップが存在し、30K以下では6meVのエネルギー幅を持つWignerギャップが存在することを明らかにした。リンイオン照射による30K以下での抵抗率増加は、結晶の乱れに起因するWignerギャップの消失によると考えられる。以上の結果から、70年前にWignerが予想した、3次元個体中で伝導電子が規則配列した状態であるWigner格子が、30K以下の高濃度ボロンドープした人工ダイヤモンド単結晶中で実現していることを示した。
春名 勝次*; 前田 裕司; 大橋 一利*; 小池 卓朗*
J. Phys., C, 20(32), p.5275 - 5279, 1987/11
InP単結晶の格子定数の温度依存性を4.2~300Kの温度領域でX線によるBond法により精密に測定を行なった。
春名 勝次*; 前田 裕司; 大橋 一利*; 小池 卓郎*
J.Phys.,C, 19, p.5149 - 5154, 1986/00
GaP結晶の格子定数による熱膨張係数を4.2~300kの温度領域でX線によるBond法で精密に測定した。III-V族結晶は負の膨張係数を持つことが知られているが、GaP結晶では現象論的理論に従うと負の膨張を持たないことが予測されていた。しかし、精度の良い測定を行なった結果、他のIII-V族結晶と同様負の膨張係数を持つことがわかった。グリュンナイゼン係数を求めると、50k以下で負の値を持つ。これらの結果は、III-V族結晶は負の膨張係数を持つことが一般的であると示唆している。
