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口頭

セルロース誘導体の放射線橋かけ; 金属塩添加による橋かけ制御

大阿久 亮平; 長澤 尚胤; 廣木 章博; 八木 敏明; 玉田 正男

no journal, , 

物理ゲルを生成しない濃度で金属塩を含んだカルボキシメチルセルロース(CMC)水溶液に$$gamma$$線を照射し橋かけ効果について検討した。金属塩を含まない5wt%CMC水溶液に30kGy照射してもゲル化しなかったのに対し、1wt%の塩化カルシウムを含む5wt%CMC水溶液では、わずか3kGy照射でゲル分率は約77%に達することがわかった。線量の増加に伴いゲル分率は上昇し20kGy照射でゲル分率は約95%に達した。線量20GyでのCaCl$$_{2}$$濃度依存を比較した結果、塩濃度5$$times$$10$$^{-3}$$wt%(3.4$$times$$10$$^{-4}$$mol/L)でゲル化し始め、そのゲル分率は20%であった。以上のように、CMC水溶液に塩を添加することで、橋かけ反応が促進されることを見いだした。また、2価のカルシウムに代わり3価のアルミニウムを添加するとゲル化がさらに促進されることがわかった。

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