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民井 淳*; Pellegri, L.*; Sderstrm, P.-A.*; Allard, D.*; Goriely, S.*; 稲倉 恒法*; Khan, E.*; 木戸 英治*; 木村 真明*; Litvinova, E.*; et al.
European Physical Journal A, 59(9), p.208_1 - 208_21, 2023/09
光核反応は原子核構造の観点からも応用の観点からも重要であるにも関わらず、その反応断面積は未だに不定性が大きい。近年、超高エネルギー宇宙線の起源を探るために、鉄よりも軽い原子核の光核反応断面積を正確に知る必要が指摘されている。この状況を打破するため、原子核物理の実験、理論、宇宙物理の共同研究となるPANDORAプロジェクトが始まった。本論文はその計画の概要をまとめたものである。原子核実験ではRCNP、iThembaによる仮想光子実験とELI-NPによる実光子実験などが計画されている。原子核理論では、乱雑位相近似計算、相対論的平均場理論、反対称化分子動力学、大規模殻模型計算などが計画されている。これらで得られた信頼性の高い光核反応データベースと宇宙線伝搬コードを組み合わせ、超高エネルギー宇宙線の起源の解明に挑む。
Mohr, P.*; 静間 俊行; 植田 裕康*; 後神 進史*; 牧永 あや乃*; 原 かおる*; 早川 岳人; Lui, Y.-W.*; 大垣 英明*; 宇都宮 弘章*
Physical Review C, 69(3), p.032801_1 - 032801_4, 2004/03
被引用回数:33 パーセンタイル:84.6(Physics, Nuclear)逆反応過程を用いて、s過程の分岐点核である不安定核種Wの中性子捕獲反応断面積を評価した。Wの光核反応断面積の測定は、産業技術総合研究所のレーザー逆コンプトン線を用いて行った。核統計模型から、過程で重要な温度であるkeVにおいて、Wの中性子捕獲反応断面積として、mbを得た。この値は、従来のものよりも小さく、AGB星模型では、過程において生成されるOsの生成量が過大評価されることが明らかになった。
岩崎 剛之*; 関山 明*; 山崎 篤志*; 岡崎 誠*; 角野 宏治*; 宇都宮 裕*; 今田 真*; 斎藤 祐児; 室 隆桂之*; 松下 智裕*; et al.
Physical Review B, 65(19), p.195109_1 - 195109_9, 2002/05
被引用回数:24 パーセンタイル:71.89(Materials Science, Multidisciplinary)低い近藤温度を持つCeMX (M=Pt, Pd; X=P, As, Sb)の Ce 3d-4f共鳴光電子分光を高いエネルギー分解能にて行い、Ce 4d-4f共鳴光電子分光の結果と比較を行った。実験結果は、低い近藤温度の物質においても表面とバルク電子状態が大きく異なることを示した。Ce 4f成分の寄与のない価電子帯スペクトルは、同じ構造をもつLaMXのバンド計算を用いて説明できた。実験で得られたCe 4f成分は、不純物アンダーソンに基づいたNCA(noncrossing approximation)計算によってよく再現でき、表面とバルクのCe 4f電子状態の違いを説明するのにもっと重要な要因がCe 4f準位シフトであることがわかった。さらに、CeMXのCe 4f状は、p-d反結合状態と優先的に混成することがわかった。
山崎 篤志*; 今田 真*; 新井 龍志*; 宇都宮 裕*; 菅 滋正*; 室 隆桂之*; 斎藤 祐児; 鹿又 武*; 石田 尚治*
Physical Review B, 65(10), p.104410_1 - 104410_6, 2002/03
被引用回数:60 パーセンタイル:89.26(Materials Science, Multidisciplinary)強磁性ホイスラー合金であるCoTiSn,CoZrSn及びCoNbSnに対して、軟X線領域の内殻吸収磁気円二色性(XAS-MCD)を測定した。Coの2p-3d XAS-MCDスペクトルで観測された多くのピーク構造は、原子多重項計算よりも、バンド計算によって予想されたCoの3d非占有状態によってうまく説明することができる。MCDスペクトルは、軌道モーメントが磁気モーメントに寄与していることを示している。MCDスペクトル解析から得られた軌道モーメントとスピンモーメントの比は、これらの物質間で二倍以上の違いが有る。この変化のメカニズムを、バンド計算の結果と比較して議論した。
秋宗 秀俊*; 藤村 寿子*; 藤原 守; 原 圭吾*; 石川 貴嗣*; 川畑 貴裕*; 宇都宮 弘章*; 山県 民穂*; 山崎 かおる*; 與曽井 優*
Physical Review C, 64(4), p.041305_1 - 041305_4, 2001/10
被引用回数:20 パーセンタイル:73.87(Physics, Nuclear)450MeV Heビームを用いてBe(He, t)反応断面積が測定され、3.8MeV,1.8.MeVの励起準位がB核で存在する証拠が提示された。
山崎 篤志*; 今田 真*; 宇都宮 裕*; 室 隆桂之*; 斎藤 祐児; 根岸 寛*; 佐々木 実*; 井上 正*; 菅 滋正*
Physica E, 10(1-3), p.387 - 390, 2001/05
被引用回数:5 パーセンタイル:32.79(Nanoscience & Nanotechnology)インターカレーション化合物FeTiSの磁気モーメントの起源を直接調べるため、軟X線磁気円2色性(MCD)スペクトルの測定を行った。Ti 2pスペクトルにおいて明瞭なMCDスペクトルが観測され、Feの3d状態との混成によりTi原子に磁気モーメントが誘起されていることを示唆する。Fe及びTi原子の軌道及びスピン磁気モーメントを磁気総和則を用いて評価を行った。Fe原子の軌道磁気モーメントは、xの増加にともない1原子あたり0.7から0.3に減少し、Feの3d状態がxの増加とともに遍歴性が増すことを示している。一方、Ti原子の軌道モーメントは1原子あたり0~0.06と見積もられた。
神谷 富裕; 水橋 清; 峰原 英介; 宇都宮 伸宏*; 田中 隆一; 丸山 倫夫*; M.Koh*; 則武 克誌*; 松川 貴*; 杉森 正章*; et al.
JAERI-M 94-033, 108 Pages, 1994/03
早稲田大学と原研は、MeV領域のマイクロビーム技術の開発を目的として、マイクロビーム形成装置を共同で設計・製作し、同大学理工学研究所の1.7MVタンデム加速器のビームラインに設置した。同加速器から引出された3MeV、Heのビームを用いてビーム集束化の実験を行い、ターゲットにおいて1.71.9mのサイズのビームスポットを得た。また、ビーム集束研究の基盤技術として、加速器、特にイオン源の電流安定化の検討・精密二連四重極電磁石レンズ(Qレンズ)の磁場解析、振動測定等を行うとともに、マイクロビーム技術開発研究に必要な実験の基礎となるデータを得た。本報告は本装置の概要及び共同研究の成果について述べる。
神谷 富裕; 宇都宮 伸宏*; 峰原 英介; 田中 隆一; 大村 三好*; 河野 和弘*; 岩本 英司*
Proceedings of the International Conference on Evolution in Beam Applications, p.286 - 291, 1992/05
重イオンマイクロビーム装置が開発され、3MVタンデム加速器のビームライン上に設置された。主な用途は、宇宙船で使用される半導体素子のシングルイベントアップセットの基本的な機構を解明するためである。1m以内の位置精度で狙った位置にイオンを1個1個ヒットさせるべく本装置は設計された。本装置は2つの光学系によって構成されており、1つが前段レンズ系で、ターゲット電流を100pAから0.1pA以下まで極めて広いレンジで制御するためのものであり、もう一つが、1mのビームスポット径を得るための精密レンズ系である。現在Ni15MeVのビームを用いたテスト実験が開始された。ここでは、本装置の概要と、現在までに得られた実験結果について報告する。
神谷 富裕; 宇都宮 伸宏*; 峰原 英介; 田中 隆一; 大泊 巌*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 64, p.362 - 366, 1992/00
被引用回数:30 パーセンタイル:91.05(Instruments & Instrumentation)原研のTIARA施設に設置された3MVタンデム加速器に重イオンによる半導体素子のシングルイベント効果の実験を目的としたマイクロビーム装置が取付けられた。同効果の半導体素子における部位依存性を調べるために、マイクロビーム形成、ビーム照準、シングルイオンヒットの3つの基本的な技術が要求される。本装置は、これらの技術を確立するために早稲田大学で行われたマイクロビーム装置とシングルイオンヒットの予備実験の成果に基づいて設計された。今回は、本装置の概要を報告する。
M.Koh*; 杉森 正章*; 村山 純一*; 則武 克誌*; 松川 貴*; 原 謙一*; 滝口 吉郎*; 神谷 富裕; 宇都宮 伸宏*; 峰原 英介; et al.
Proceedings of International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Spasce Application, p.105 - 111, 1992/00
半導体素子の任意の位置におけるイオン照射効果を評価するためのマイクロプローブが早稲田大学タンデム加速器のビームライン上に設置された。本装置には、イオンビームによる照射位置の照準を容易にするための走査型電子顕微鏡の小型の鏡筒がターゲットチャンバーに組込まれている。現在までに3MeVのヘリウムイオンビームによって1.91.7mのビームスポットが確認されている。今回は本装置の概要と、本装置を用いて行った。ビーム径計測実験及び、ビーム照準のテスト実験について述べる。
宇都宮 伸宏; 神谷 富裕; 田中 隆一; 峰原 英介
第3回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.86 - 89, 1990/07
原研高崎での放射線高度利用研究テーマの1つである半導体デバイスのシングルイベント効果の研究では、複数個のイオンあるいはシングルイオンを狙った微小部位に打ち込み、照射効果の部位依存性解明や過渡現象の測定などの基礎研究を行うことが計画されており、それらを可能にするためのシングルイオンヒット技術の開発を現在行っている。今回は、シングルイオンヒット技術の検討結果及び実験経過などについて述べる。
神谷 富裕; 宇都宮 伸宏; 峰原 英介; 田中 隆一; 河野 和弘*; 岩本 英司*
第3回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.79 - 81, 1990/07
原研高崎ではMeV重イオンによるシングルイベント実験の可能なマイクロビーム装置が現在建設中の放射線高度利用研究施設に設置される。本装置の特色は光学系が前段と後段精密レンズ系によって構成されることである。精密レンズ系は、1mのビームスポットサイズを得るためにマイクロスリット精密Qレンズ等で構成される。前段レンズ系を置くことにより加速器のパラメータを変更すること無く精密レンズ系を通過するイオン電流を増減させることができる。これによって、まずある程度大きなビーム電流で1mのビームスポットサイズを確認したり、試料の照射部位を特定するための二次電子やRBSによるビーム計測をおこない、それにひき続いて容易に1mの位置分解能できわめて微少なビーム電流でシングルイオンヒット実験をするのが可能になる。今回は本装置の概要について述べる。