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論文

Large heat capacity jump at the superconducting transition temperature in the non-centrosymmetric superconductor CeIrSi$$_3$$ under high pressure

立岩 尚之; 芳賀 芳範; 松田 達磨; 池田 修悟; 山本 悦嗣; 奥田 悠介*; 宮内 裕一郎*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦

Journal of Physics; Conference Series, 121(5), p.052001_1 - 052001_5, 2008/07

 被引用回数:2 パーセンタイル:60.92(Physics, Multidisciplinary)

結晶構造に反転対称性のないCeIrSi$$_3$$の高圧研究を行った。一つの試料を用いて電気抵抗率と交流比熱の両方を測定した。反強磁性臨界圧力は$$P_{rm c}$$=2.25GPaと決定された。臨界圧力近傍で反強磁性転移と超伝導転移に対応する比熱異常が観測された。両秩序状態の共存について議論する。超伝導は3.5GPaまでの高圧領域まで存在する。超伝導転移温度$$T_{rm sc}$$$$2.5-2.7$$GPaの圧力領域で最大値1.6Kを示す。2.58GPaでは大きな比熱異常が超伝導転移温度で観測された。比熱異常の大きさ$${Delta}{C_{rm ac}}/C_{rm ac}(T_{rm sc})$$は5.7である。この値はこれまで報告された超伝導物質の中でも最大値であり、強結合超伝導が実現していることを示唆する。

論文

Strong-coupling superconductivity of CeIrSi$$_3$$ with He non-centrosymmetric crystal structure

立岩 尚之; 芳賀 芳範; 松田 達磨; 池田 修悟; 山本 悦嗣; 奥田 悠介*; 宮内 裕一郎*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦

Journal of the Physical Society of Japan, 76(8), p.083706_1 - 083706_4, 2007/08

 被引用回数:52 パーセンタイル:99.65(Physics, Multidisciplinary)

結晶構造に反転対称性のないCeIrSi$$_3$$の高圧研究を行った。電気抵抗測定と比熱測定を同一試料で行った。反強磁性状態の臨界圧力は2.25GPaと決定された。超伝導状態は3.5GPaまで存在し、2.5$$sim$$2.7GPa近辺で超伝導転移温度は最大値$$T_{rm sc}$$=1.6Kを示す。2.58GPaでは超伝導転移温度で転移に伴う巨大な比熱異常が観測された。比熱の飛びの大きさ$${Delta}{C_{rm ac}}/C_{rm ac}(T_{rm sc})$$は5.7である。この値は過去報告された超伝導物質の中でも最大値を示し、強結合超伝導状態が実現していることが示唆される。

口頭

圧力誘起超伝導物質CeIrSi$$_3$$の高圧下電気抵抗・比熱測定

立岩 尚之; 芳賀 芳範; 松田 達磨; 池田 修悟; 山本 悦嗣; 奥田 悠介*; 宮内 裕一郎*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦

no journal, , 

反転対称性のない圧力誘起超伝導物質CeIrSi$$_3$$について高圧研究を行った。反強磁性状態の臨界圧力は$$P_{rm c}$$=2.25GPaと決定された。反強磁性と超伝導状態の共存問題について議論を行う。超伝導状態はおよそ3.5GPaまで存在し、超伝導転移温度$$T_{rm Sc}$$$$2.5-2.7$$GPaを1.6Kの最大値を示す。2.58GPaでは、超伝導転移に伴う大きな比熱異常が観測された。比熱の飛び$${Delta}C_{rm ac}/C_{rm ac}(T_{rm sc})$$は5.7であり、既存の超伝導物質の中で最大値を示す。CeIrSi$$_3$$では強結合超伝導が実現していることが示唆される。

口頭

角度分解共鳴光電子分光によるCeIrSi$$_3$$の電子構造の研究

利光 孝文; 大河内 拓雄; 保井 晃; 小林 正起*; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳*; 山上 浩志*; 宮内 裕一郎*; et al.

no journal, , 

SPring-8 BL23-SUビームラインにおいて、反転対称性のない超伝導体であるCeIrSi$$_3$$単結晶の共鳴角度分解光電子スペクトルを測定した。この物質は今までに電気抵抗,磁気抵抗,dHvA効果の測定が行われ、その結果から、フェルミ面の議論もなされている。本研究では、常磁性状態(20K)における4$$f$$電子のバンド分散、及びフェルミ面が明瞭に観測された。得られたバンド構造とフェルミ面、及びそれらのバンド計算(LDA)の結果との比較により、この物質において、Ceの4$$_f$$電子は比較的遍歴的な電子状態を持っていることがわかった。

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