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宮田 成紀*; 長村 光造*; 鈴木 淳市
Journal of the Physical Society of Japan, 70(7), p.2098 - 2101, 2001/07
被引用回数：0 パーセンタイル：0.01(Physics, Multidisciplinary)ニオブ単結晶中のボルテックス構造を中性子小角散乱により観測した。散乱データは、ロンドンモデルに熱的な磁束格子変位を加えた描像で説明できる。ボルテックスの半径はロンドン侵入長(31.5-39.0nm)より短く、20.3nmであることが示された。
長村 光造*; 宮田 成紀*; 古坂 道弘*; 鈴木 淳市
応用物理, 65(4), p.367 - 371, 1996/00
中性子小角散乱により第2種超伝導体中の磁束密度の空間分布を調べることができる。金属・合金における中間混合状態の特異な磁束構造、磁束線格子の非局所性・非等方性、ピニングによる磁束の不均質分布などの研究を紹介する。NbSe
の磁束格子は非等方性ロンドン理論による取扱いが可能であること、YBCOにおける格子の4回対称性と双晶との関係や、回折強度の温度依存性等について言及する。Bi2212では低磁場で3次元格子の回折強度は消失し、2次元性のパンケーキボルテックスに転移すること、3次元格子の融解転移について現状を紹介する。
