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論文

Effect of filler concentration on electrical conductivity and ultralow-frequency dielectric properties

山中 三四郎*; 福田 正*; 沢 五郎*; 家田 正之*; 伊藤 政幸; 瀬口 忠男

IEEE Trans. Dielect. Elect. Insul., 2(1), p.54 - 61, 1995/02

 被引用回数:12 パーセンタイル:67.69(Engineering, Electrical & Electronic)

電線絶縁材料としてのエチレンプロピレンゴム(EPR)の照射劣化について、EPRに添加する充填材の濃度の影響を電気伝導度と超低周波分極の測定から解析した。これらの特性はEPRと充填材の界面に捕捉される電荷の挙動に依存するというモデルで解析できた。

論文

耐放射線性高分子絶縁材料の残留電圧による放射線劣化診断

山中 三四郎*; 壁谷 孝志*; 福田 正*; 沢 五郎*; 家田 正之*; 伊藤 政幸; 川上 和市郎

電気学会論文誌,A, 110(11), p.781 - 788, 1990/11

原子炉用電線の絶縁劣化診断法研究の一環として、照射線量と残留電圧、漏れ電流及び放電電流との関係を調べ、残留電圧測定法の絶縁劣化診断への応用の可能性を検討した。その結果、$$gamma$$線照射量と残留電圧、漏れ電流及び放電電流との間に相関関係があること、また、残留電圧と漏れ電流及び放電電流との等価性、すなわち、残留電圧の解析結果から漏れ電流及び放電電流を評価できることを明らかにした。これらのことから、残留電圧の放射線劣化診断への適用の可能性が示唆される。

論文

$$gamma$$線照射EPRの電気的特性に及ぼす充填剤の影響

鬼頭 嚇巳*; 山中 三四郎*; 福田 正*; 沢 五郎*; 家田 正之*; 伊藤 政幸; 川上 和市郎

EIM-90-117, 10 Pages, 1990/00

放射線によるEPRの絶縁劣化機構を充填剤が存在する系について解明するために、ハードクレイを配合した系について検討した。配合剤の量を0から40部の範囲で変えた試料にCo-60$$gamma$$線室温の酸化環境下で照射した。照射は0から0.8MGyの範囲内で線量を変えて行なった。各試料について充電電流と放電電流を測定し、Cole-Coleの式を用いて解析し、次の結果を得た。1)未照射試料の導電率はゴムと充填剤の界面に依存するキャリアトラップと充填剤による導電路を仮定することにより説明できる。2)放射線による分散強度の変化は充填剤を4部から20部配合した試料では低線量で急増し、その後飽和する傾向を示すのに対して40部配合した試料では照射による変化が少ない。

報告書

X線照射によるポロイダル磁場コイル絶縁物内の電荷蓄積

田中 隆一; 須永 博美; 田村 直幸; 安東 俊郎; 家田 正之*; 門谷 建蔵*

JAERI-M 9517, 42 Pages, 1981/06

JAERI-M-9517.pdf:1.22MB

臨界プラズマ試験装置JT-60の逃走電子放電で発生する硬X線にポロイダル磁場コイルが照射された場合のコイル絶縁体内の過剰電荷の挙動を主とした計算により推定した。計算は実機条件での絶縁体(エポキシ樹脂)内の吸収線量率分布、過剰電荷推積率分布の推定ならびに照射下および照射停止後の放射線誘起電導度の測定をもとにして空間電荷の挙動を解析した。その結果最も厳しい条件では20回の放電で絶縁体表面の電界強度は10MV/cmを越え、その飽和値は10MV/cm以上に達することが明らかになった。また断続照射の繰返しによる照射停止中の電荷漏洩は飽和値にあまり影響を与えないとみなされた。以上の結果から絶縁体表面近傍では局所的な絶縁破壊を起す可能性はあるが、不平等電界であるため、破壊は内部に進行しないと推論された。照射下におけるX線誘起電流と内部電界との関係についても実験的検証を行った。

論文

Flashover characteristics along coil insulation under intense gamma-ray irradiation

安東 俊郎; 田中 隆一; 長尾 雅行*; 佐藤 隆徳*; 家田 正之*

Journal of Nuclear Science and Technology, 18(3), p.171 - 178, 1981/00

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.02(Nuclear Science & Technology)

空気中における高線量率$$^{6}$$$$^{0}$$Co$$gamma$$線照射下における沿面閃絡特性の実験結果が報告されている。10$$^{6}$$R/hの照射下において50HzAC電圧がモデルコイルに印加された。その結果この線量率ではコイルのFOV(閃絡電圧)は影響を受けないことが分った。また球ギャップのFOVは4$$times$$10$$^{5}$$R/hでわずかに減少した。さらに、パルスX線ビームを使用し10$$^{1}$$$$^{3}$$R/hの超高線量率下におけるDC電圧印加の閃絡試験を実施した。その結果球ギャップのFOVが顕著に減少し、円柱ポリマー試料ではわずかに減少した。これらの結果より、閃絡以前に部分放電が存在するか否かに関係していることが分った。また閃絡特性に対する高線量率照射の影響に考察を加えた。

論文

X線照射下における固体高分子内の電荷蓄積

田中 隆一; 須永 博美; 田村 直幸; 安東 俊郎; 家田 正之*

EIM-80-93, p.11 - 20, 1980/00

X,$$gamma$$線照射された絶縁体中の電子非平衡領域では、高速二次電子の挙動に起因する空間電荷の蓄積が予想される。臨界プラズマ試験では、プラズマが逃走電子モードになった場合は硬X線が生じ、JT-60の予想では、ポロイダル磁場コイル絶縁体(エポキシ樹脂)が10$$^{7}$$R/hの桁の放射線場にさらされるが、これによって絶縁体表面近傍では正の過剰電荷蓄積による高電界が形成される。この問題についてはじめて定量的検討を試みた。電荷挙動の計算のため、一次元の照射モデルに対して過剰電堆積率、同堆積分布および深部線量分布を与え、split Faraday cupによって放射線誘起電導度と線量率の関係を実験的に与えた。これらをもとにして連続方程式およびポアッソン方程式を解いた。その結果表面近傍の飽和電界強度はMV/cmのオーダーに達することがわかった。計算結果に影響を与える主要なパラメータおよび照射後の電荷漏洩などを考慮し、高電界による絶縁崩壊の可能性について検討した。

報告書

$$gamma$$線照射下におけるポロイダル磁場コイルの沿面放電特性(臨界プラズマ試験装置設計報告,72

安東 俊郎; 田中 隆一; 平尾 敏雄; 田村 直幸; 大久保 実; 飯島 勉; 家田 正之*; 長 雅行*; 安芸 文武*; 佐藤 隆徳*; et al.

JAERI-M 8360, 84 Pages, 1979/08

JAERI-M-8360.pdf:3.08MB

JT-60の逃走電子放電において発生する硬X線にポロダイル磁場コイルが照射された場合に対して、コイル接続部における照射下の沿面閃絡電圧などの放電特性を実験により確認した。実験では$$^{6}$$$$^{0}$$Co-$$gamma$$線を使用し、ポロイダルコイルを模擬した試料に商用周波交流電圧(50Hz)を印加した。その結果照射下(1$$times$$10$$^{6}$$R/h)の沿面閃絡電圧(FOV)は非照射下と比較して同等もしくは高くなるという事がわかり、この程度の線量率ではコイル沿面閃絡に悪影響を及ぼさないことが確認された。またこれと同時に球ギャップの火花放電電圧および円筒(ポリテトラフルオルエチレン(PTFE)棒)試料のFOVなどの測定も照射下で行われた。その結果球ギャップでの放電電圧の低下などの興味あるデータが得られた。さらに線量率が高い場合の球ギャップおよびPTFE棒試料のFOV測定結果についても簡単に示されている。

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