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論文

Deuterium enrichment during ion bombardment in VD$$_{0}$$$$_{.}$$$$_{0}$$$$_{1}$$ alloys

山口 貞衛*; 小沢 国夫; 吉成 修*; 小岩 昌宏*; 平林 真*

Nuclear Instruments and Methods, 168(1), p.301 - 305, 1980/00

重イオン注入により生成した格子欠陥が、固体中の元素と相互作用して、それらをトラップする現象を見出した。これはion-implantation damage Getteringと呼ばれ、イオンビームの応用工学を拓くものである。核融合炉第1壁の放射線損傷とプラズマ構成原子(水素同位体)の相互作用を模擬するため、Va属-D合金中のV-D,NbV,TaDの各試料に対し、750keV$$^{3}$$Heイオンビームと、D($$^{3}$$He,$$alpha$$)P核反応法を用い、合金中のD濃度の変化を調べ2~3倍増加のGettering効果を見出した。温度効果,ターゲット元素の種類依存性,注入イオンビームのdose依存などを追求した。又トラップの欠陥の種類を明にするため、合金単結晶の$$<$$110$$>$$channeling研究を行い、多重散乱modelによるdamage profileを求め、$$^{3}$$Heイオンのrange profileとの相関を調べた。Radiation Gettaringは原子空孔様のprimaryな欠陥にD原子がトラップされるとして説明出来た。

論文

Deuterium trapping by radiation induced defects in V,Nb and Ta

山口 貞衛*; 吉成 修*; 高橋 純三*; 藤野 豊*; 小沢 国夫; 楢本 洋; 小岩 昌宏*; 平林 真*

Proc.of the 2nd Int.Symp.on Hydrogen in Metals, p.249 - 252, 1980/00

日本金属協会主催で「金属内水素」の国際会議が行われ「水素原子の拡散」に関するセッションで発表する。V-D,Nb-D,Ta-Dの各単結晶に対し、750keV$$^{3}$$Heイオンビームによる照射欠陥の深さ分布をこの欠陥生成に伴う金属内重水素の分布の変化を述べる。

論文

Channeling studies on the trapping of deuterium in vanadium by oxygen interstitials

小沢 国夫; 山口 貞衛*; 藤野 豊*; 吉成 修*; 小岩 昌宏*; 平林 真*

Nuclear Instruments and Methods, 149(1-3), p.405 - 410, 1978/03

高融点金属中の水素および酸素原子の存在形態を明らかにする目的で、体心立方型V金属中に重水素および第3元素としての酸素をドープしたVの2元および3元系合金のVd.$$_{0}$$$$_{1}$$,VO.$$_{0}$$$$_{2}$$,VO.$$_{0}$$$$_{2}$$D.$$_{0}$$$$_{1}$$,VO.$$_{0}$$$$_{3}$$D.$$_{0}$$$$_{4}$$各単結晶を作成し、重水素および酸素原子のV金属中の格子間位置を決定する研究を行った。用いた手法は、Heの後分散乱法と,$$^{3}$$He(D、P)$$^{4}$$He$$^{1}$$$$^{6}$$O(D,P)$$^{1}$$$$^{7}$$O$$^{ast}$$原子核反応を利用したイオンチャネリング法である。得られた主な結果は次の通りである。1)VD.$$_{0}$$$$_{1}$$系では、重水素はVと同属のNb,Taと同じく4面体格子間位置にある。2)VO.$$_{0}$$$$_{2}$$では、酸素はVの8面体格子間位置にある。3)VO.$$_{0}$$$$_{3}$$D.$$_{0}$$$$_{4}$$の3元合金では重水素は2元素と異なり、8面体格子間位置にある。4)本実験は、金属中の重水素原子が酸素にトラップされクラスタを形成している最初の直接証拠である。

論文

A Lattice location study of oxygen in vanadium by 1-MeV deuteron channeling

高橋 純三*; 小岩 昌宏*; 平林 真*; 山口 貞衛*; 藤野 豊*; 小沢 国夫; 土井 健治

Journal of the Physical Society of Japan, 45(5), p.1690 - 1696, 1978/00

https://doi.org/10.1143/JPSJ.45.1690
 被引用回数：12

b.c.c型結晶構造を持つV金属中の酸素原子の格子間位置の決定を$$^{1}$$$$^{6}$$O(d、p)$$^{1}$$$$^{7}$$O$$^{ast}$$核反応とラザフォード型後方散乱のd$$^{+}$$イオンビームによるチャネリング手法で決定した。酸素原子はV中の八面体格子間位置を占有する事が明らかになった。又$$<$$100$$>$$$$<$$110$$>$$及び$$<$$111$$>$$の各軸方位に関して観察された核反応によるプロトンのフラックスピークの型状に関して実験結果と連続ポテンシャルモデルによる計算結果の対比を行った。

論文

Flux peaking of channeled ions in interstitial compounds NbO and ZrO$$_{1}$$$$_{/}$$$$_{3}$$

山口 貞衛*; 藤野 豊*; 小沢 国夫; 土井 健治; 高橋 純三*; 小岩 昌宏*; 平林 真*

Phys.Lett.,A, 57(5), p.460 - 462, 1976/05

中性子照射(5$$times$$10$$^{1}$$$$^{9}$$nvt)されたNbO結晶の格子欠陥の原子変位を0.9-1.1MeVd$$^{+}$$イオンを用い、ラザフォド後方散乱と$$^{1}$$$$^{6}$$O(d,p)$$^{1}$$$$^{7}$$O$$^{ast}$$核反応のp粒子の角度依存と用いて測定した。各Nb及びO原子の副格子のチャネリング効果が調べられた。1)照射試料ではチャネリングの角度幅$$psi$$$$_{1}$$$$_{/}$$$$_{2}$$減少しd:pのXminが増加する。これから酸素原子の統計的変位量が明かになった。2)$$<$$111$$>$$,$$<$$110$$>$$に比較して$$<$$110$$>$$のO原子の変位が異常に多く、ion damageのdose依存性の$$<$$110$$>$$異常と一致した挙動を示す。3)600$$^{circ}$$C焼鈍により$$chi$$min,$$psi$$$$_{1}$$$$_{/}$$$$_{2}$$の回復が起っている。

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