半導体微細加工への機能性有機薄膜の応用に関する研究

小川 一文*

JAERI-M 88-248, 177 Pages, 1988/12

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本報告は、0.5m以下のデバイス製造における超微細加工技術開発の基礎研究として、(1)露光装置、(2)レジスト使用技術(すなわちレジストプロセス)および(3)レジスト材料について行った研究成果をまとめたものである。露光装置では、実用レベルで最も可能性が高いと言われている理論解像度0.3mのKrFエキシマレーザを用いたステッパー(エキシマレーザステッパー)を試作した。レジストプロセス技術では、光を用いた露光装置でパターンコントラスト向上効果や焦点深度向上効果がある水溶液CEL(Contrast Enhanced Lithography)プロセス技術の開発を行った。さらに、レジスト材料では、分子レベルで均一な膜形成が可能な累積膜(Langmuir-Blodgett(LB)膜)に着目し、半導体デバイス製造におけるレジストへの応用の可能性を検討すると共に、これら機能性有機薄膜の放射線による反応過程を明らかにした。

Study of Langmuir-Blodgett films for KrF excimer laser resist

小川 一文*; 田村 秀治*; 畑田 元義; 石原 健*

Langmuir, 4(1), p.195 - 200, 1988/01

https://doi.org/10.1021/la00079a036

光感受性累積膜の製作及び微細パターンの作製を目的として5種類のジアセチレン誘導体の累積膜を作製し、KrFエキシマーレーザー光による光化学反応の研究を行った。これらの累積膜のうちで、ベンタジイノイツク酸について最も好結果が得られ、0.3mの分解能が得られた。このパターン生成は、1,4位置における架橋によって起こるものと考えられる。

Study on photoreaction process of 6-octadecyl sulphane lmide naphthoquinone diazide Langmuir films

小川 一文*; 田村 秀治*; 畑田 元義; 石原 健*

Thin Solid Films, 159, p.91 - 100, 1988/00

https://doi.org/10.1016/0040-6090(88)90620-7

6-オクタデシル・スルファン・イミド・ナフトキノン・ジアジド(OSN)単分子膜を種々の温度、pHの水面上に展開し、単分子膜の光化学反応速度と単分子膜中の分子配向との関連について研究を行なった。水温が高い程、pHが低い程、また表面圧は高い程、高い反応速度を示した。このことは、これらの条件で、光化学反応に好都合な分子配列が実現するものと考えられる。