Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
日浦 寛雄*; 遠藤 泰一; 山浦 高幸; 新見 素二; 星屋 泰二; 齋藤 順市; 相沢 静男; 大岡 紀一; 小桧山 守*
JAERI-Research 97-028, 46 Pages, 1997/03
原研大洗研究所材料試験炉部では、軽水炉等で照射された高燃焼度燃料内部の化学的挙動を解明することを目的に、燃料棒内酸素ポテンシャル測定技術の開発を行っている。本試験においては、MgO,CaO,YOで各々安定化したジルコニア固体電解質(MSZ,CSZ,YSZ)を用いた酸素センサを材料試験炉(JMTR)で中性子照射し、照射下及び照射後測定においてその起電力特性等について評価した。その結果、照射下測定ではYSZ試料の起電力は照射量の増加にともない徐々に低下した。また照射後測定ではMSZ,CSZ,YSZ試料で照射とともにセンサ起電力は低下するが、CSZ試料はMSZ,YSZ試料に比べ起電力の低下が少ないことが判明した。
高村 三郎; 関野 甫; 松島 秀夫; 小桧山 守*; 星屋 泰二; 住谷 圭二*; 来島 秀次*
Japanese Journal of Applied Physics, 30(1A), p.L18 - L20, 1991/01
被引用回数:10 パーセンタイル:52.51(Physics, Applied)Y-Ba-Cu-OおよびBi-Sr-Ca-Cu-O焼結体を約60Cで1.810n/cmまで中性子照射を行い、照射による磁化の変化を調べた。外部交流磁場によって履歴を生ずるが、その大きさから臨界電流を算出することができる。臨界電流は照射によって増加する。110n/cmの照射量で約2倍に達し、照射量の増加に伴って臨界電流は減少する。これは中性子照射によって生成したカスケード損傷領域が互いに重複して磁束線に対するピン止め効果が減少したためである。
星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 三浦 貞彦*; 久保 佳実*; 正畑 伸明*
Japanese Journal of Applied Physics, 29(11), p.L2026 - L2029, 1990/11
被引用回数:5 パーセンタイル:34.35(Physics, Applied)ヘリウムイオン室温照射したBiSrCaCuO単相薄膜に関する電圧(電気抵抗)の温度依存性を種々の電流条件下及び磁場下で測定した。さらに磁束線の熱活性化挙動から、活性化エネルギーと臨界温度及びローレンツ力の関係を求めた。本実験の照射条件ではBiSrCaCuO単相薄膜のピン止めエネルギーと臨界電流密度はヘリウムイオン照射によって低下することが明らかになった。
星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 29(8), p.L1443 - L1445, 1990/08
被引用回数:4 パーセンタイル:29.75(Physics, Applied)室温でヘリウム照射した多結晶Bi-Sr-Ca-Cu-O系薄膜について磁場中における電気抵抗の温度依存性を抵抗法を用いて測定した。その結果、低抵抗領域での遷移温度の拡がりは照射フルエンスの増加とともに抑制された。また、実効活性化エネルギーはイオン照射により増加した。これらの変化はイオン照射で導入されたピンニング・センターの存在に起因している。
高村 三郎; 小桧山 守*
日本金属学会会報, 29(6), p.422 - 429, 1990/06
低温で中性子照射したAl、Cu、Ag合金について内部摩擦、弾性率測定を行い、外国で行われた内部摩擦、超音波吸収実験と比較した。また複合体の構造計算と比較して、溶質原子の大きさが溶媒原子より大きい場合と小さい場合に別けて調べ、Al合金ではアンダーサイズの溶質原子の時にはミックスダンベル型、オーバーサイズでは単一格子間原子-溶質原子複合体をもつと考えた。Cu,Ag合金では、複雑な複合体構造をもつと考えた。
高村 三郎; 小桧山 守*; 星屋 泰二
Physica C, 170, p.254 - 258, 1990/00
被引用回数:1 パーセンタイル:10.07(Physics, Applied)高温超電体の交流インピーダンスの温度依存性をBi-Si-Ca-Cu-Oについて磁場下で測定した。一方磁束線の運動方程式から磁束線の動きのローレンツ力に対する遅れを求め、交流抵抗とリアクタンス成分との比較から、磁束線の線張力および摩擦損失を算出し、その温度依存性を調べた。
星屋 泰二; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(8), p.L1352 - L1354, 1989/08
被引用回数:5 パーセンタイル:34.51(Physics, Applied)高温超電導体Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を室温で400keV Heイオン照射し、臨界電流の温度依存性を測定した。臨界電流は常電導状態での電気抵抗に逆比例しており、照射によって電気抵抗が増加するのに伴い、臨界電流は逆比例して減少する。臨界電流は超電導相-常電導相の羽結合相によって決められることを示す。照射後400Cに昇温すると臨界電流は元の状態に向って回復していく。
高村 三郎; 星屋 泰二; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(8), p.L1395 - L1397, 1989/08
被引用回数:3 パーセンタイル:23.68(Physics, Applied)Bi-Sr-Ca-Cu-O超電導薄膜を室温で400KeV Heイオン照射し、照射後の昇温に伴う臨界温度の回復過程を調べた。200~500Cの焼鈍によって臨界温度および常電導状態での電気抵抗は急激に回復する。超電導110K相は、600C焼鈍によって成長する。焼鈍する時の雰囲気として空気中で行ったとき、真空中で行ったときの差違を議論する。
有賀 武夫; 高村 三郎; 星屋 泰二; 小桧山 守*
Japanese Journal of Applied Physics, 28(6), p.L964 - L966, 1989/06
被引用回数:24 パーセンタイル:87.78(Physics, Applied)Bi-Sr-Ca-Cu-O薄膜を400keVのHeイオンで室温照射すると超電導転移温度Tc(R=0)が92Kから30度低下(110/mの照射量で)、常伝導抵抗R(T=130K)が4倍に増加(同上の照射量)する。一方、Tc(Onset)はこの照射量ではほとんど変化しない。85Kでの照射では、室温照射に比べて、Tc(R=0)の著しい低下とR(T=130K)の増加が観測された。照射後300Kまで昇温するとR(T=130K)の減少(回復)がみられるが、回復量は照射量の増加とともに減少する。はじき出し損傷のしきいエネルギーを25eVと仮定しTc(R=0)の減少率を求め、Y-系セラミック超伝導薄膜での照射(イオン、中性子、電子線)によるTc(R=0)と比較すると、本実験で用いたBi-系薄膜の減少率が大きく、照射損傷に対しY-系より感受性が高いことを確めた。
高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 仲田 清智*
Journal of Physics; Condensed Matter, 1, p.4519 - 4526, 1989/00
被引用回数:2 パーセンタイル:16.73(Physics, Condensed Matter)分子動力学計算によって、照射によって生成した格子間原子と溶質原子の原子サイズが溶媒原子のそれより大きいオーバーサイズの溶質原子との複合体について調べた。原子間ポテンシャルとして、よく使われるモースポテンシャルを用いたが、複合体の構造はAl合金の内部摩擦実験結果とは不一致であった。原子間ポテンシャルをいくつか変えて計算を進め、実験結果と符合する構造を求めることが出来た。
高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*; 仲田 清智*
Journal of Physics; Condensed Matter, 1, p.4527 - 4533, 1989/00
被引用回数:3 パーセンタイル:23.73(Physics, Condensed Matter)分子動力学計算によって、照射によって生成した格子間原子と溶質原子の複合体の構造や結合エネルギーについて調べた。溶質原子の原子サイズが溶媒原子のそれより小さいアンダーサイズの時には、複合体の構造は混合亜鈴型になる。溶質原子の原子サイズを小さくすると結合エネルギーは大きくなり安定になる。原子サイズと結合エネルギーとの関連や移動過程について議論した。
小桧山 守*; 高村 三郎; 仲田 清智*
Physica Status Solidi (A), 108, p.219 - 224, 1988/09
被引用回数:1 パーセンタイル:12.27(Materials Science, Multidisciplinary)照射によって生成する点欠陥は溶質原子と結合して複合体を作る。格子間原子-溶質原子複合体の挙動は照射誘起析出等の問題に関連して重要である。これは溶質原子が格子間原子と一緒に動いてシンクで集合し合金本来の組織と異なった材料に変わってしまうからである。本研究では複合体の構造を調べるために単結晶合金から2結晶方位の試料を作製し、単純な点欠陥を生成するため電子線照射を行った。
仲田 清智*; 高村 三郎; 有賀 武夫; 小桧山 守*
Journal of Nuclear Materials, 151, p.301 - 306, 1988/00
高エネルギー重イオン照射によって金属中に形成される損傷は深さ方向に鋭い分布を持つ。純金属の薄膜を重ねたものに重イオン照射をおこない、照射後薄膜の電気抵抗変化を測定することにより損傷の深さ分布をもとめる。
高村 三郎; 小桧山 守*
Phys.Status Solidi A, 94, p.595 - 600, 1986/00
被引用回数:1 パーセンタイル:15.28(Materials Science, Multidisciplinary)低温照射した純金属を加工すると、照射欠陥の回復過程が未加工材に比べて変化するが、これは運動転位による点欠陥の再配列が起こるためであった。合金においての点欠陥-溶質原子複合体に対する運動転位の効果を知るために内部摩擦の緩和ピークの挙動を調べた。僅かな加工によって複合体の緩和ピークは大きく変化するが、運動転位により複合体の構造が変化したものと考えられる。
高村 三郎; 小桧山 守*
Phys.Status Solidi A, 95, p.165 - 172, 1986/00
被引用回数:7 パーセンタイル:45.36(Materials Science, Multidisciplinary)低温で加工した希薄合金の電気抵抗回復曲線と弾性率測定を行い、加工によって生成した点欠陥の回復過程を調べた。アルミ合金では合金の種類によって、ステージIIだけに起こる硬化とステージII,IIIの温度範囲で硬化が生ずるものとがある。これらは空孔-溶質原子複合体、空孔集合体-溶質原子複合体によるものとして議論した。
小桧山 守*; 高村 三郎
日本金属学会誌, 49(7), p.491 - 494, 1985/00
水素添加したバナジウムを液体ヘリウム中に急冷し、等時焼鈍曲線を求めた。同じ試料を高速中性子照射した後、急冷実験を行い、照射前後の凍結水素量や回復過程の差を比較検討した。急冷凍結による水素の固溶量は照射によって減少する。照射欠陥によって水素が捕獲され、水素化物の形成によって説明できる。
小桧山 守*; 高村 三郎
Phys.Status Solidi A, 90, p.253 - 276, 1985/00
被引用回数:7 パーセンタイル:44.93(Materials Science, Multidisciplinary)極低温で各種銅、銀希薄合金を高速中性子照射し、内部摩擦および電気抵抗測定を行い、各温度に焼鈍したことによる内部摩擦スペクトルの成長消滅を調べ、電気抵抗の回復挙動と比較を行った。格子間原子-溶質原子複合体は2~3の成分から成り、それそれの移動温度を知ることが出来た。各合金の複合体の特性について議論した。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff., 91, p.21 - 38, 1985/00
極低温で各種アルミ希薄合金を高速中性子照射し、内部摩擦及び弾性率を測定した。各合金の内部摩擦のスペクトルはいろいろな焼鈍温度で成長消滅する。これを調べることにより格子間原子-溶質原子複合体には2~3の成分があり、それぞれの移動温度を知ることが出来る。溶質原子がPb,Si,Zn,Inなどのとき、内部摩擦スペクトルは極めて類似しており、複合体の構造も似ていることを示している。一方溶質原子がMu,Fe,Cu,Mgではそれぞれに特徴的なスペクトルをもつ、複合体の構造は異なっている。各合金の複合体の特性について議論した。
高村 三郎; 小桧山 守*
Radiat.Eff., 91, p.139 - 153, 1985/00
各種ニッケル合金を極低温で中性子照射した後、電気抵抗の等時焼鈍曲線を測定し、照射欠陥の回復過程を調べた。溶質原子による格子間原子の捕獲によって回復ステージIの量は減少する。この減少量は溶質原子の格子間原子捕獲能力に比例するものであり、溶質原子サイズとの関連で整理した。Ni中の溶質原子濃度を増加させた時に生成する溶質原子クラスターと照射欠陥との相互作用についても議論した。
小桧山 守*; 高村 三郎
Radiat.Eff., 84, p.161 - 169, 1985/00
極低温で高速中性子照射した稠密立方格子の点欠陥の回復過程を電気抵抗測定によって調べた。電子線,熱中性子による回復実験はあるが、高速中性子による実験は今迄行なわれていない。等時焼鈍時間を変えた時の回復ステージのシフトから格子間原子,空孔の移動温度を調べ、照射粒子線の種類の違いによる回復過程の変化を議論した。