Electroic states at the interface of Fe/MgO magnetic tunneling junction

櫻井 浩*; 田村 拓郎*; 倉知 俊誉*; 本間 慧*; 尾池 弘美*; 安居院 あかね; 桜井 吉晴*; 伊藤 正義*; 安達 弘通*; 河田 洋*

no journal, , 

Fe/MgO/Fe強磁性トンネル接合薄膜の界面の電子状態を、高エネルギー加速器研究機構PF-AR-NE1Aにおいて、磁気コンプトン散乱で観測した。10nm/MgO1nmの実験はSPring-8-BL08Wで測定した。磁気コンプトンプロファイルの形状に磁場依存が観測された。磁気飽和(2T)の磁気コンプトンプロファイルはFe(100)のMCPに類似していることがわかった磁化測定ではFe層が薄くなるほど磁化の減少することからFe層界面で磁化低下していることがわかった。磁気コンプトン散乱はFe層内部では(100)配向bulkのFeに近い電子状態であり、Fe層界面ではFe3dの磁化減少。Feの4s,4p電子の磁化の寄与増大していることがわかった。