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山川 浩二*; 知見 康弘; 石川 法人; 岩瀬 彰宏*
Journal of Alloys and Compounds, 370(1-2), p.211 - 216, 2004/05
被引用回数：1 パーセンタイル：12.44(Chemistry, Physical)Pd系希薄合金(Pd-1at.% Fe-H及びPd-1at.% Ag-H)における水素の移動について、50K付近の電気抵抗測定により調べた。0.5MeV電子線を15K以下で照射することにより不規則化した水素原子は、試料の昇温中に原子移動により規則化した。このときの電気抵抗の回復曲線には、電子線照射した試料では2つのサブステージが、急冷した試料では1つのステージのみが見られた。各ステージでの水素の移動エネルギーは、規則化に起因する電気抵抗変化をクロスカット法で解析することにより得られた。低温ステージでの移動エネルギーは高温ステージよりも小さく、高温ステージでの値は急冷の場合と同程度であった。Pd系合金に関して、照射による水素原子の不規則化と急冷によるものとの違いについて議論する。
知見 康弘; 足立 耕一*; 岩瀬 彰宏; 石川 法人; 山川 浩二*
Journal of Alloys and Compounds, 330-332(1-2), p.187 - 190, 2002/01
被引用回数：3 パーセンタイル：29.91(Chemistry, Physical)Pd-H中の水素原子が、高エネルギーイオン照射によって不規則化する過程、及び、昇温による規則化過程を測定し、試料急冷、電子線照射の実験と比較することにより、水素の不規則化における高密度電子励起の効果を議論する。
前田 裕司; 山川 浩二*; 松本 徳真*; 春名 勝次*; 加藤 輝雄; 小野 文久*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 97, p.491 - 494, 1995/00
被引用回数：0 パーセンタイル：0.01(Instruments & Instrumentation)放射光を利用して急冷した高純度銅単結晶のX線散漫散乱の測定を行い、電子顕微鏡では観測が困難であった空孔型の転位ループを観測した。急冷後の2次欠陥の観測は主として電子顕微鏡で精力的に行われて来た。しかしFCC金属では銅だけが2次欠陥の観測に成功していない。それは2次欠陥のサイズが小さく電顕での観察が困難である、又ガス不純物に空孔が捕獲され2次欠陥を形成するに至っていない等の理由が考えられる。放射光は高エネルギー物理学研究所のRL-4Cを利用し、逆格子点(111)の周りの散漫散乱の測定を室温で行なった。その結果、空孔型転位ループからの散漫散乱を観測した。しかしこの散乱はシャープで、強度は非常に強く、転位ループの散漫散乱の理論計算で予測されていた「caustics」散乱と考えられる。転位ループのサイズは約10
と推測される。
山川 浩二*; 前田 裕司
Scr. Metall. Mater., 32(7), p.967 - 970, 1995/00
加工したPd中の水素の移動エネルギーを50K近傍で電気抵抗の測定により調べた。以前にPd合金中の水素、重水素の50K近傍の活性化エネルギーを測定した結果、合金中の不純物濃度により水素、重水素の移動エネルギーは増加し、これは水素、重水素原子は不純物原子にトラップされていることがわかった。本論文は加工によって導入された転位と水素原子との相互作用を調べた。水素を注入後、100Kから4Kに急冷して、その後50K近傍の各温度で等温焼鈍で電気抵抗の測定から活性化エネルギーを求めた。結果は50K近傍では水素の移動エネルギーは加工によっては変わらないことがわかった。
山川 浩二*; 前田 裕司
Scr. Metall. Mater., 31(7), p.803 - 808, 1994/00
Pd中の水素、重水素は50Kで物理量に異常を示す。この50K異常は水素同位体のオーダリングによる現象であると知られている。これを利用して、Pd-Ni合金の水素、重水素の拡散を電気抵抗の測定により調べた。結果を以前に調べたPd-Fe、Pd-Ag合金中の水素、重水素の拡散と比較した。Pd-1.0at.%Ni、Pd-5at.%Ni合金のワイヤーを100Kからヘリウム温度に急冷した後、50K近傍で等温焼鈍を行い、電気抵抗の測定から水素、重水素の活性化エネルギーを求めた。結果はPd-Fe合金中の水素、重水素の活性化エネルギーとほぼ同じであり、重水素の活性化エネルギーは小さい。これらの結果から、水素、重水素はNi、Fe原子に強くトラップされ、Ag原子にはあまりトラップされないことがわかった。
前田 裕司; 山川 浩二*
Defect Diffus. Forum, 95-98, p.305 - 310, 1993/00
Pd中の水素の低温での挙動は50K異常として古くから知られている。電気抵抗、比熱がその温度で異常なふるまいを示す。それは水素原子の秩序、無秩序な配置の変化であると説明されているが定かではない。本報告はこの異常を更に詳しく調べるため、単結晶Pd中の水素の移動エネルギーを電気抵抗で測定した。試料は高圧水素ガス雰囲気中と電解チャージ法で水素を注入した。その試料を液体He温度に急冷して、その後の水素の挙動を主として50K温度近くで電気抵抗により測定して、調べた。その結果水素の移動エネルギーは50K近くの低温では小さい値を示した。これらについて議論し、報告する。
