Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
@C
; Photoelectron spectroscopy of the Li@C[PF
] salt and STM of the single Li@C molecules on Cu(111)山田 洋一*; Kuklin, A. V.*; 佐藤 翔*; 江坂 文孝; 角 直也*; Zhang, C.*; 佐々木 正洋*; Kwon, E.*; 笠間 泰彦*; Avramov, P. V.*; et al.
Carbon, 133, p.23 - 30, 2018/07
被引用回数：17 パーセンタイル：55.14(Chemistry, Physical)本研究では、超高真空中で高純度Li@C[PF]塩の蒸発によってLiイオン内包フラーレンを調製し、走査型トンネル顕微鏡(STM)により明瞭に観察することに成功した。また、STM観察に先立って、光電子分光およびX線吸収分光などにより測定したところ、Liは正、PFは負のチャージを帯びており、Cは中性であることが明らかとなった。
-FeSi
山田 洋一*; Mao, W.*; 朝岡 秀人; 山本 博之; 江坂 文孝; 鵜殿 治彦*; 都留 智仁
Physics Procedia, 11, p.67 - 70, 2011/02
被引用回数：3 パーセンタイル：82.2(Optics)清浄な表面を有する-FeSiの単結晶を調製し、各種の表面分析を行った。表面酸化物に関するXPS(X線光電子分光)測定からは、FeではなくおもにSiが酸化することがわかった。LEED(低速電子線回折)やSTM(走査トンネル顕微鏡)の測定からは、表面酸化物を除去した表面は、清浄で、バルク結晶の切断面と同じような構造を有し、表面での大きな再構成は認められなかった。このことからFeとSiが強固な結合を呈していることが示唆された。
-FeSi
thin films fabricated by ion beam sputter deposition江坂 文孝; 山本 博之; 松林 信行*; 山田 洋一*; 笹瀬 雅人*; 山口 憲司; 社本 真一; 間柄 正明; 木村 貴海
Applied Surface Science, 256(10), p.3155 - 3159, 2010/03
被引用回数：16 パーセンタイル：56.9(Chemistry, Physical)放射光を用いたX線光電子分光法(XPS),X線吸収分光法(XAS)を用い、イオンビームスパッタ蒸着法により作製した-FeSi薄膜の表面化学状態及び深さプロファイルを非破壊的に解析した。873
1173Kで成膜した試料についてXPS測定を行った結果、基板温度973Kでは、励起エネルギー(分析深さ)の減少とともにSiO及びSiO
に起因するピークの割合が増加することを明らかにした。この結果から、最表面に1nm以下のSiO層が、さらにその直下にSiO層が形成されていることを確認した。また、XASによるFe-L吸収端測定では、873Kで成膜した場合には未反応のFe、1173Kでは
-FeSiの存在する可能性が示唆された。
大場 弘則; 佐伯 盛久; 江坂 文孝; 山田 洋一; 山本 博之; 横山 淳
Journal of the Vacuum Society of Japan, 52(6), p.369 - 371, 2009/07
h-BNを真空中にてレーザーアブレーションさせた時の放出プラズマの挙動を調べた。四重極型質量分析計とイオンプローブを用いて放出種の時間分解検出を行った。プラズマの電離度はレーザーパワー密度の増大に伴って15%程度まで高くなること、イオンは中性粒子よりも高い運動エネルギーで上昇することが観測され、また空間分布ではイオンの方が中性粒子よりも上方に収束されたビームを形成することがわかった。このように、アブレーション放出プラズマ中のイオンと中性粒子の挙動が大きく異なることから、この結果はイオンと中性粒子とを区別してイオンのみを利用することにより、微粒子の付着のない良質の薄膜が作製できることを示している。
大場 弘則; 鈴木 裕*; 江坂 文孝; 田口 富嗣; 山田 洋一; 山本 博之; 笹瀬 雅人*; 横山 淳
Journal of the Vacuum Society of Japan, 52(6), p.292 - 295, 2009/07
濃縮
Siの中性子照射によるSi
Pの核変換を利用した半導体デバイスの創製研究及び同位体組成制御材の物性評価のために、SiFの赤外多光子解離反応により同位体濃縮したSiF
ガスからSi薄膜の作製実験を行った。成膜方法はプラズマCVDであり、反応ガスにはSiF及びHを用い、Arで希釈,混合した後チャンバー内に導入した。基板に石英又はSi単結晶ウェーハを用いた。生成膜の評価はX線回折装置,SEM/EDX,二次イオン質量分析計で行った。まず、13.6MHz高周波加熱平行平板電極型CVD装置を用いた場合、H/SiF流量比210とし、基板温度を室温500
Cにして成膜し、これらの条件下ではアモルファス薄膜であることがわかった。次に、2.45GHzマイクロ波加熱リモート型CVD装置を用いて、H/SiF流量比を25、基板温度を350750Cで成膜を試み、結晶性のSi薄膜を作製することができた。どちらの成膜装置においても、生成膜中にはFはほとんど含まれず、ほぼ原料ガスの濃縮度と同じ同位体組成であった。
黒崎 幸夫*; 山地 宏志*; 勝沼 好夫*; 中田 雅夫*; 桑原 秀樹*; 山田 文孝*; 松下 清*; 佐藤 稔紀*
JAEA-Research 2008-048, 274 Pages, 2008/03
JAEA-Research-2008-048.pdf:10.93MB
瑞浪超深地層研究所の研究坑道は、超大深度の立坑と水平坑道から計画されている。この超大深度立坑と水平坑道の連接部は3次元の地盤構造を形成し、掘削過程では複雑な力学的挙動を呈することが予測されるが、超大深度立坑連接部の支保部材を定量的に設計する手法は確立されていない。このような状況に鑑み、超大深度立坑連接の崩壊機構を検討するため、過去の立坑工事に関する文献調査と工事従事者からの聞き取り調査を実施し、立坑連接においてどのような崩壊や変状が発生したかを調査し、調査結果を有識者のレビューを交えて考察した。その結果、超大深度立坑連接の崩壊機構は立坑連接部の施工過程と地質条件のいずれにも依存することが明らかとなった。一方、超大深度連接部が大きな角度で断層や破砕帯に交差する地点では、「高抜け」と呼ばれる崩壊の発生や覆工に異常な土圧作用する現象が見られる。これらの現象の機構を解明するためには、連接部周辺地山の挙動を再現することのできる数値計算による研究を実施する必要がある。このために、既往数値解析手法の中で可能な有限差分法が最も適切であることを、有識者のレビューを踏まえて示した。
山田 文孝; 園部 一志; 五十嵐 寛
JAEA-Review 2007-061, 67 Pages, 2008/02
JAEA-Review-2007-061.pdf:8.39MB
日本原子力研究開発機構では、先行基礎工学研究協力制度や博士研究員制度等の産学官連携による各種の制度が制定され、基礎・基盤研究やプロジェクト開発への寄与を含めた制度の活用がなされている。高レベル放射性廃棄物の地層処分技術に関する研究開発においても、動力炉・核燃料開発事業団や核燃料サイクル開発機構の頃から、これらの制度を活用した人的交流,成果の活用,公開を進めてきている。得られた成果は、個別の技術報告書の発刊にとどまらず、プロジェクトとして進めてきた研究開発成果報告書やプロジェクトの取りまとめ報告書としても集約され、国の進める高レベル放射性廃棄物の地層処分計画の進展に重要な役割を果たしてきている。本報では、これらの各種制度と高レベル放射性廃棄物の地層処分技術に関する研究開発とのかかわりについて、制度開始からの研究開発の動向を整理することで当該分野における研究開発において果たしてきた役割を考察するとともに、今後の各種制度の活用方策を検討した。
山本 博之; 山田 洋一; 笹瀬 雅人*; 江坂 文孝
Journal of Physics; Conference Series, 100, p.012044_1 - 012044_4, 2008/00
被引用回数：6 パーセンタイル：88.21(Nanoscience & Nanotechnology)表面数nm領域の解析において、深さプロファイルを非破壊的に得ることはその分解能向上のために重要である。X線光電子分光法(XPS)は通常、励起エネルギーが固定であるためにそのままでは深さ方向分析を行うことはできない。これに対し、エネルギー可変の放射光を励起源として用いれば、分析深さが変化し、非破壊で深さ方向の分布が得られると考えられる。これは電子の脱出深さがその運動エネルギーに依存することによる。本研究では、Si基板上に蒸着したGeを用い、薄膜表面、及び、埋もれた界面の非破壊分析を目指し放射光を用いた高エネルギーXPSによる解析を行った。清浄表面としたものと自然酸化膜の残る2種のSiを用い、2及び4nm Geを蒸着した試料を測定した結果、4nm蒸着試料においても基板表面の差異は十分に観察可能であった。この結果は本法が非破壊深さ分析法として有効であることを示している。
山田 洋一; 山本 博之; 大場 弘則; 笹瀬 雅人*; 江坂 文孝; 山口 憲司; 鵜殿 治彦*; 社本 真一; 横山 淳; 北條 喜一
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 68(11), p.2204 - 2208, 2007/11
被引用回数：6 パーセンタイル：31.31(Chemistry, Multidisciplinary)シリコン同位体濃縮材料は、同位体の純度を上げることによる熱伝導性の向上、
Siの核スピンを利用した量子素子の作製など、ユニークな物性の期待されるものが少なくない。この中で、Siは熱中性子によりPに核変換することからドーパントとして機能することが知られている。本研究ではこの現象を応用し、原子力機構において開発された高効率な同位体濃縮法により得られたSi濃縮SiFを原料として用い、高精度ドーピング手法の開発を目指してSi濃縮薄膜を作製した。薄膜の質量分析の結果から天然同位体存在比の約2倍のSi: 7.1%であることがわかった。また組成解析の結果から不純物のFは約0.6%以下であった。これらの結果と併せて薄膜及び界面の構造,中性子照射に伴う電気特性の変化についても議論する。
青柳 登; 永石 隆二; 江坂 文孝; 山田 禮司
Chemistry Letters, 36(7), p.890 - 891, 2007/07
被引用回数：0 パーセンタイル：0(Chemistry, Multidisciplinary)本研究ではアスベストの主構成成分であるクリソタイルの処分・処理法を
線・電子線を用いた方法で行った。従来の高温加熱によるアスベストの溶融では1,000C以上の高温が必要であり、また融点を下げるために塩を大量に加える必要があるなど、環境負荷は決して少ないとは言えない。そこで副生成物を大量に生じない分解・無毒化方法を電子顕微鏡,比表面積測定などの分析技術に基づき検討した。さらに水素ガス発生材料としてのアスベストの有効利用を図ることも検討した。
山田 文孝*; 喜多 治之*; 中田 雅夫*
PNC TJ7176 98-002, 135 Pages, 1998/03
岩盤に空洞を掘削すると、その影響で周辺岩盤には様々な変化が生じる。なかでも壁面近傍では、発破による振動や掘削後の応力再配分によって既存亀裂が開口したり新たな亀裂が生じることで、岩盤の力学特性や水理特性が変化する。本業務は、岐阜県土岐市東濃鉱山北延NATM坑道の試錐孔において、真空透気試験により坑道周辺岩盤の透気性分布を求め、亀裂状況の変化を透気性という指標で評価することによって、掘削による上記の影響が及ぶ範囲(掘削影響領域)を特定することを目的とする。真空透気試験では、ダブルパッカーにより試錐孔内に設けた「測定区間」内の空気を真空ポンプにより排除する。吸引を続けて定常状態になった時点の測定区間圧力・吸引空気流量、並びにポンプ停止後の圧力回復特性は測定区間周辺岩盤の透気性に依存するので、これらのデータから岩盤の透気性を算定することが可能である。試錐孔に沿ってパッカーを移動させて測定を繰り返すことにより周辺岩盤の透気性分布を求めることができる。発破掘削区間と機械掘削区間に削孔された4本の試錐孔において試験を実施した結果、掘削影響領域は機械掘削区間よりも発破掘削区間で相対的に大きく、また坑道西側の粗粒砂岩部分よりも坑道東側の細粒砂岩部分で大きいという結果を得た。さらにボアホールテレビ観察の結果得られた開口亀裂分布と比較することにより、より詳細に岩盤内の亀裂状況を把握することができた。
山田 文孝*; 山地 宏志*; 佐藤 稔紀; 船津 貴弘*; 清水 則一*
no journal, ,
瑞浪超深地層研究所の主立坑と最深ステージ連接部をモデルとした数値シミュレーションを実施し、その結果と考察を示す。
山地 宏志*; 山田 文孝*; 佐藤 稔紀; 船津 貴弘*; 清水 則一*
no journal, ,
立坑一般部において合理的設計を実施するためには、立坑構造に内在する崩壊要因を正しく把握する必要がある。このため、極度に軟弱な地山に超大深度立坑を掘削することを想定した数値シミュレーションを実施し、立坑掘削時に発生し得る崩壊形態とショートステップ工法の支保の効果に関する検証を実施した。本報は、その数値シミュレーションより得られた結果と考察を示すものである。
Si同位体濃縮薄膜の作製山田 洋一; 山本 博之; 大場 弘則; 笹瀬 雅人*; 江坂 文孝; 山口 憲司; 鵜殿 治彦*; 社本 真一; 横山 淳; 北條 喜一
no journal, ,
中性子ドーピングは、熱中性子によるSi同位体の核変換(Si
P)を利用し、均一かつ欠陥の少ない不純物注入を可能とする。本手法は、不純物や欠陥濃度の揺らぎが物性に大きく影響するナノレベルでの半導体材料創製において特に有効と期待される。このとき、Si同位体濃縮原料により作製したナノ構造に中性子ドーピングを施せば、ナノスケールの半導体デバイス創製が可能となる。今回、プラズマCVD法により、Si同位体濃縮薄膜を作製した。SiFの赤外多光子解離によりSiを濃縮したSiF気体(Si: 6.8%)とHの混合気体を用い、高周波電力13MHz, 300Wの条件で、Si(100)基板上(550C)に、膜厚約100nmの薄膜を作製した。作製された同位体濃縮薄膜の光電子分光測定により、薄膜中の主な不純物であるFは0.6at.%以下であることを確認した。また、二次イオン質量分析測定の結果、薄膜中のSi同位体濃度は7.1%(天然存在比3.1%)であり、原料ガスとほぼ同じ同位体組成比の薄膜が得られた。講演では作製した同位体濃縮薄膜の構造と、本薄膜に中性子ドーピングを施した際の電気特性の変化についても述べる。
青柳 登; 永石 隆二; 江坂 文孝; 山田 禮司
no journal, ,
結晶構造中にシリカ層を有する繊維状鉱物であるクリソタイルを添加した水溶液中の放射線誘起反応を研究した。5wt%の固相存在下の0.4M硫酸中の水素発生量は線の吸収線量に比例して増加し、アルミナやシリカなどの酸化物微粒子存在下の発生量よりも多いことがわかった。また、照射による形態変化は硫酸濃度を高くすると促進され、繊維状の構造が微粒子状に変わることがわかった。
Si同位体濃縮薄膜山田 洋一; 山本 博之; 大場 弘則; 笹瀬 雅人*; 江坂 文孝; 山口 憲司; 鵜殿 治彦*; 社本 真一; 横山 淳; 北條 喜一
no journal, ,
シリコン同位体濃縮材料はユニークな物性の期待されるものが少なくない。この中で、Siは熱中性子によりPに核変換することからドーパントとして機能することが知られている。本研究ではこの現象を応用し、原子力機構において開発された高効率な同位体濃縮法により得られたSi濃縮SiF(Si:30%)を原料として用い、高精度ドーピング手法の開発を目指してSi濃縮薄膜を作製した。薄膜の質量分析の結果から原料とほぼ同じ同位体組成であることを明らかにした。これらの結果と併せて薄膜及び界面の構造,中性子照射に伴う電気特性の変化についても議論する。
Si同位体濃縮薄膜山田 洋一; 山本 博之; 大場 弘則; 笹瀬 雅人*; 江坂 文孝; 山口 憲司; 鵜殿 治彦*; 社本 真一; 横山 淳; 北條 喜一
no journal, ,
シリコン同位体Siは中性子照射によりPに核変換することからドーパントとして機能することが知られている。本研究ではこの現象を応用し、原子力機構において開発された高効率な同位体濃縮法により得られたSi濃縮SiF(Si:30%)を原料としてSi濃縮薄膜を作製し、高精度ドーピング手法の開発を目指した。作製した薄膜の質量分析の結果から原料とほぼ同じ同位体組成であることを明らかにした。これらの結果と併せて薄膜及び界面の構造,中性子照射に伴う電気特性の変化についても議論する。
佐伯 盛久; 大場 弘則; 山田 洋一; 山本 博之; 江坂 文孝; 横山 淳
no journal, ,
反応性気体中で固体試料のレーザー蒸発を行い、発生するプラズマと気体試料との反応生成物を基板に堆積することにより化合物薄膜を作製することができる。この手法は反応性PLD法と呼ばれており、例えばアセチレン雰囲気下でシリコンをレーザー蒸発するとアモルファスシリコンカーバイド(a-SiC)膜が形成されることが知られている。本研究では反応性PLD法により2つの異なる作製条件下でa-SiCを作製し、さらにその作製した薄膜の構造・組成比を反射型フーリエ変換赤外分光法(FTIR),エネルギー分散型蛍光分光法(EDX)及びX線光電子分光法(XPS)により分析した。そして、シリコンプラズマと反応するアセチレンをネオンガスで希釈することにより、生成するa-SiC膜中のシリコンとカーボンの組成比を変えられることを示した。また分析の結果、作製したa-SiCの膜厚は
mオーダーになっており、また、膜の表面と内部ではSiとCの組成比が異なっていることを明らかにした。
Si同位体濃縮薄膜作製とその応用山田 洋一; 山本 博之; 大場 弘則; 笹瀬 雅人*; 江坂 文孝; 山口 憲司; 鵜殿 治彦*; 社本 真一; 横山 淳; 北條 喜一
no journal, ,
Siに熱中性子を照射すると、SiPの核反応によりSi中にドナーが生成する。本研究では、当機構において開発されたレーザー同位体分離法を用い、Si濃縮材料から薄膜作製を試みた。これに中性子を照射すれば薄膜部分のみがドーピング層として得られ、高精度なドーピング領域の形成手法の確立とともにナノ材料への応用が可能となる。Si(100)基板上にSi同位体濃縮薄膜を成膜した結果、透過型電子顕微鏡断面像から均一な膜厚を持つアモルファス薄膜と、基板との急峻な界面の形成が確認された。また作製した薄膜を二次イオン質量分析法により解析した結果から、薄膜中のSi濃度は原料のそれとほぼ一致することが明らかとなった。発表では中性子照射に伴う電気特性の変化についても議論する。
青柳 登; 永石 隆二; 江坂 文孝; 山田 禮司
no journal, ,
代表的アスベストの1つであるクリソタイルの針状構造破砕に放射線を用いた。照射による形態変化は硫酸濃度を高くすると促進され、繊維状の構造が微粒子状に変わることがわかった。また、5wt%の固相存在下の水溶液中の水素発生量は線の吸収線量に比例して増加し、同じ重量のアルミナやシリカなどの酸化物微粒子存在下の発生量よりも多いことがわかった。
