JOPSS:検索結果一覧

検索結果：　21 件中 1件目～20件目を表示

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

論文

Thermally altered subsurface material of asteroid (162173) Ryugu

北里宏平*; Milliken, R. E.*; 岩田隆浩*; 安部正真*; 大竹真紀子*; 松浦周二*; 高木靖彦*; 中村智樹*; 廣井孝弘*; 松岡萌*; et al.

Nature Astronomy (Internet), 5(3), p.246 - 250, 2021/03

https://doi.org/10.1038/s41550-020-01271-2

被引用回数：43 パーセンタイル：96.93(Astronomy & Astrophysics)

2019年4月「はやぶさ2」ミッションは、地球に近い炭素質の小惑星(162173)リュウグウの人工衝撃実験を成功させた。これは露出した地下物質を調査し、放射加熱の潜在的な影響をテストする機会を提供した。はやぶさ2の近赤外線分光器(NIRS3)によるリュウグウの地下物質の観測結果を報告する。発掘された材料の反射スペクトルは、表面で観測されたものと比較して、わずかに強くピークがシフトした水酸基(OH)の吸収を示す。これは、宇宙風化や放射加熱が最上部の表面で微妙なスペクトル変化を引き起こしたことを示している。ただし、このOH吸収の強度と形状は、表面と同様に、地下物質が300 $^{circ}$ Cを超える加熱を経験したことを示している。一方、熱物理モデリングでは、軌道長半径が0.344AUに減少しても、推定される掘削深度1mでは放射加熱によって温度が200 $^{circ}$ Cを超えて上昇しないことが示されている。これは、リュウグウ母天体が放射加熱と衝撃加熱のいずれか、もしくは両方により熱変化が発生したという仮説を裏付けている。

論文

Measurements of electron-induced neutrons as a tool for determination of electron temperature of fast electrons in the task of optimization laser-produced plasma ions acceleration

榊泰直; 西内満美子; 前田祥太; 匂坂明人; Pirozhkov, A. S.; Pikuz, T.; Faenov, A.*; 小倉浩一; 深見智代; 松川兼也*; et al.

Review of Scientific Instruments, 85(2), p.02A705_1 - 02A705_4, 2014/02

https://doi.org/10.1063/1.4825154

被引用回数：2 パーセンタイル：11.24(Instruments & Instrumentation)

高強度レーザーとプラズマの相互作用によるイオン発生において、電子特性の計測は不可欠である。そのため、様々な計測手法が提案されているが、今回我々は、光核中性子反応による中性子を計測することで、精度よく電子特性の計測を行う新規性の高い手法を提案する。この手法は、イオン加速エネルギー計測と共にピークパワー110 $^{21}$ W/cm $^{2}$ のJ-KARENレーザーによって実証された。イオン加速エネルギーと本手法による計測結果は極めて相関をもつことがわかり、改良を重ねて行けば非常に良い計測器になり得ることがわかった。

論文

Synchrotron radiation photoemission study of Ge $_{3}$ N $_{4}$ /Ge structures formed by plasma nitridation

細井卓治*; 朽木克博*; 岡本学*; 吉越章隆; 寺岡有殿; 志村考功*; 渡部平司*

Japanese Journal of Applied Physics, 50(10), p.10PE03_1 - 10PE03_5, 2011/10

https://doi.org/10.1143/JJAP.50.10PE03

被引用回数：11 パーセンタイル：43.98(Physics, Applied)

Chemical bonding states and energy band alignment of pure germanium nitride (Ge $_{3}$ N $_{4}$ ) formed on a Ge(100) substrate were characterized by synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SR-PES). The core-level shift of 2.31 eV originating from Ge-N bonds (Ge $^{4+}$ ) with respect to the bulk Ge 3d $_{5/2}$ peak (Ge $^{0+}$ ) was determined. In situ SR-PES study on changes in Ge 3d, N 1s, and O 1s core-level spectra during thermal annealing revealed that oxidized surface layer on Ge $_{3}$ N $_{4}$ could be selectively removed at around 773 K, which was 50 deg lower than the decomposition temperature of Ge $_{3}$ N $_{4}$ . The Ge $_{3}$ N $_{4}$ energy bandgap of 3.68 eV was experimentally determined. The valence band offset at a Ge $_{3}$ N $_{4}$ /Ge(100) interface was also estimated to be 1.65 eV, and thus, the energy band alignment between Ge $_{3}$ N $_{4}$ dielectrics and Ge substrate was determined.

論文

ZrO $_{2}$ ゲー卜絶縁膜を用いたGe MOSデバイスの界面設計

細井卓治*; 岡本学*; 朽木克博*; 景井悠介*; Harries, J.; 吉越章隆; 寺岡有殿; 志村考功*; 渡部平司*

応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告, p.145 - 148, 2010/01

われわれはリーク電流を減少させて優れた界面特性を持った高品質のhigh-/Geゲートスタックを開発した。この製作にはGe基板上への直接ZrO $_{2}$ デポジションとその加熱酸化が行われた。放射光光電子分光によると、ZrO $_{2}$ /Ge構造の823Kでの熱酸化はZrO $_{2}$ とGeの相互拡散がかりでなく、GeO $_{2}$ 界面層の生成をもたらした。等価酸化膜厚(EOT)は1.9nmで、界面準位密度はAu/ZrO $_{2}$ /Geキャパシタで10 $^{11}$ cm $^{-2}$ eV $^{-1}$ と小さかった。さらに、Zr0 $_{2}$ 層上にA1 $_{2}$ 0 $_{3}$ を形成するとさらにEOTを小さくできることを見いだした。界面準位密度はAl $_{2}$ O $_{3}$ /ZrO $_{2}$ /Geの30分の加熱で5.310 $^{10}$ cm $^{-2}$ eV $^{-1}$ であった。10分加熱では1.6nmまでEOTを低減できた。その場合のリーク電流は従来のpoly-Si/SiO $_{2}$ /Siスタックに比べて二桁低い。

口頭

放射光XPSによるGe $_{3}$ N $_{4}$ 膜の化学結合状態及び熱脱離過程のその場観察

細井卓治*; 朽木克博*; 岡本学*; 原田真*; 吉越章隆; 寺岡有殿; 志村考功*; 渡部平司*

no journal, ,

HF洗浄したp-Ge(001)基板を超高真空中で加熱クリーニングした後、大面積窒素プラズマ処理装置を用いて基板温度623K・高周波電力50W・窒素分圧10.5Torrで30分間の窒化処理を施した。その窒化膜の化学結合状態及び熱脱離過程を放射光XPSでその場観察した。清浄Ge表面のXPSスペクトルから、Ge3d5/2と3/2の結合エネルギーは29.2eVと29.8eVであった。高密度プラズマにより窒化した試料は大気暴露により窒化膜表面が酸化されるため、熱処理前の試料ではGeの窒化成分と酸化成分の両方が存在する。773Kの真空中加熱処理によりGeO $_{2}$ 成分のみが選択的に熱脱離し、純Ge $_{3}$ N $_{4}$ 膜のXPSスペクトルが得られた。これより、窒化GeはGe3d5/2ピーク位置から2.2eV化学シフトすることがわかった。

口頭

界面特性に優れたAl $_{2}$ O $_{3}$ /ZrO $_{2}$ /GeO $_{2}$ 積層構造ゲート絶縁膜の作製と評価

岡本学*; 朽木克博*; 景井悠介*; Harries, J.; 吉越章隆; 寺岡有殿; 細井卓治*; 志村考功*; 渡部平司*

no journal, ,

High-k/GeスタックとしてAl $_{2}$ O $_{3}$ /ZrO $_{2}$ /GeO $_{2}$ /Geスタックを作製し、その構造並びに電気特性評価を行った。光電子スペクトルにはGeO $_{2}$ 界面層の成長を示すケミカルシフト成分(Ge $^{4+}$ )に加え、ZrGeO反応層及びこれらの中間状態の存在を示す成分を確認できた。この絶縁膜上にAu電極を形成してAu/Al $_{2}$ O $_{3}$ /ZrO $_{2}$ /GeO $_{2}$ /Geキャパシタを作製し、室温にてC-V測定を行った。ヒステリシスは21mVと小さく、周波数分散の少ない良好な特性を得た。低温コンダクタンス法で求めたミッドギャップ近傍の界面準位密度は5.310 $^{10}$ cm $^{-2}$ eV $^{-1}$ であり、界面特性に優れたHigh-k/Geスタックの作製に成功した。

口頭

4H-SiC(000)面の熱酸化により形成したSiO $_{2}$ /SiC界面の放射光XPS評価

桐野嵩史*; 景井悠介*; 岡本学*; Harries, J.; 吉越章隆; 寺岡有殿; 箕谷周平*; 中野佑紀*; 中村孝*; 細井卓治*; et al.

no journal, ,

SiCの(000) $_{C}$ 面の界面特性及び信頼性劣化要因の解明を目指して、(000) $_{Si}$ 及び(000) $_{C}$ 面に形成したSiO $_{2}$ /SiC界面の化学結合状態を放射光XPSを用いて評価した。Si2pピークからSi2p $_{3/2}$ 成分を抽出した。SiC基板と酸化膜からの信号に加えて、価数が異なるサブオキサイド成分が観察された。(000) $_{C}$ 面に形成した酸化膜界面では(000) $_{Si}$ 面と比較してSi $^{1+}$ 成分は少ないが高価数成分が増大し、サブオキサイド成分の総量が多いことが明らかとなった。また(000) $_{C}$ 面に形成した酸化膜の結合エネルギーは(000) $_{Si}$ 面と比較して0.22eV高エネルギー側にシフトし、SiO $_{2}$ /SiC界面での伝導帯バンドオフセットが小さいことを示唆する結果を得た。

口頭

放射光XPSによる熱酸化SiO $_{2}$ /4H中SiC界面のエネルギーバンド構造分析

桐野嵩史*; 景井悠介*; 岡本学*; Harries, J.; 吉越章隆; 寺岡有殿; 箕谷周平*; 中野佑紀*; 中村孝*; 細井卓治*; et al.

no journal, ,

SiC-MOSFETではSiO $_{2}$ /SiC界面欠陥に起因する移動度劣化によってチャネル抵抗が増大するため、物性値から期待されるデバイス性能が得られていないのが現状である。4H-SiC(000-1)c面基板上に作製したMOSFETでは4H-SiC(0001)Si面と比較して高いチャネル移動度が得られることが知られているが、酸化膜の信頼性劣化が顕著である。また、従来の4H-SiC(0001)Si面と比較してSiO $_{2}$ /SiC界面の伝導帯オフセット並びに界面準位密度のエネルギー分布が異なることも指摘されているが、これらの物理的な起源については明らかにされていない。われわれはSiC(000-1)c面の界面特性及び信頼性劣化要因の解明を目指し、放射光XPSを用いて(0001)Si面及び(000-1)c面に形成したSiO $_{2}$ /SiC界面の化学結合状態並びにエネルギーバンド構造を評価した。

口頭

極薄EOT実現に向けたプラズマ窒化応用high-k/Geゲートスタックの提案

朽木克博*; 岡本学*; 秀島伊織*; 上西悠介*; 桐野嵩史*; Harries, J.; 吉越章隆; 寺岡有殿; 細井卓治*; 志村考功*; et al.

no journal, ,

高性能Geデバイスの実現には、高誘電率絶縁膜形成とその界面制御技術の確立が必須である。ZrO $_{2}$ 薄膜をGe基板上に堆積し、その後熱酸化処理を施したスタックは、優れたMOS界面特性を示す一方で、GeO $_{2}$ 界面層が形成されることにより等価SiO $_{2}$ 換算膜厚(EOT: Equivalent Oxide Thickness)が2nm以上となってしまう。本研究では、高密度プラズマ窒化により形成したGe $_{3}$ N $_{4}$ 膜の優れた熱的安定性・耐酸化性に注目し、ZrO $_{2}$ /Ge3N $_{4}$ /Ge構造を作製し、熱処理後の界面構造について大型放射光施設SPring-8のBL23SUを用いて光電子分光法により評価した。Ge3d及びN1s内殻準位スペクトルの高分解能測定から、823Kの熱酸化処理によって界面Ge $_{3}$ N $_{4}$ 層はわずかに酸化するものの安定に存在することを確認し、また1.8nmのEOTを実現した。

口頭

放射光XPSによるSiO $_{2}$ /4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価

桐野嵩史*; 景井悠介*; 岡本学*; Harries, J.; 吉越章隆; 寺岡有殿; 箕谷周平*; 中野佑紀*; 中村孝*; 細井卓治*; et al.

no journal, ,

4H-SiC基板上に形成した熱酸化SiO $_{2}$ /SiC構造は、水素を導入することにより界面特性が向上する一方で、基板面方位によっては信頼性が劣化することが知られている。そこで、4H-SiC(000-1)C面及び(0001)Si面基板上に形成した熱酸化SiO $_{2}$ /SiCについて、高温水素ガスアニールを施す前後でのエネルギーバンド構造を評価するため、放射光XPSによりO1sエネルギー損失スペクトルからSiO $_{2}$ のバンドギャップを、価電子帯スペクトルよりSiO $_{2}$ /SiC価電子帯オフセットを算出した。その結果、(000-1)C面上に形成した酸化膜の伝導帯オフセットは水素ガスアニールにより0.1eV減少することがわかった。

口頭

Interface engineering of ZrO $_{2}$ /Ge gate stacks by post-deposition annealing and Al $_{2}$ O $_{3}$ capping layers

渡部平司*; 岡本学*; 朽木克博*; Harries, J.; 吉越章隆; 寺岡有殿; 細井卓治*; 志村考功*

no journal, ,

High-k絶縁膜としてZrO $_{2}$ 膜をGe基板上に堆積した後に熱酸化処理を施すことでGe-MOSの界面設計を検討した。放射光XPS分析の結果、酸化初期では界面でミキシングが起こり、その後にGeO $_{2}$ 層が成長することを確認した。一方、Al $_{2}$ O $_{3}$ /ZrO $_{2}$ /Ge構造では、Al $_{2}$ O $_{3}$ 膜の低い酸素透過性により熱酸化時の界面酸化反応が抑制され、EOTの薄層化に有効であることを確認した。

口頭

In situ synchrotron radiation photoemission study of Ge $_{3}$ N $_{4}$ /Ge structures formed by plasma nitridation

細井卓治*; 朽木克博*; 岡本学*; 吉越章隆; 寺岡有殿; 志村考功*; 渡部平司*

no journal, ,

Atomic structure and thermal stability of Ge $_{3}$ N $_{4}$ dielectric layers for advanced Ge-MIS devices were investigated. SR-PES analysis revealed that Ge $_{3}$ N $_{4}$ layers formed by high-density plasma nitridation are thermally stable up to 823 K, while surface oxides selectively decompose at around 773 K. Chemical shift originating from Ge-N bonds (Ge $^{4+}$ ) was also found to be 2.3 eV.

口頭

Off-axis XUV harmonics from relativistic laser - gas jet interaction

Pirozhkov, A. S.; 神門正城; Esirkepov, T. Z.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 林由紀雄; 小瀧秀行; Ragozin, E. N.*; Neely, D.*; et al.

no journal, ,

We present the discovery of strong off-axis XUV high-order harmonics generated in the interaction of relativistic-irradiance ( 10 $^{18}$ W/cm $^{2}$ ) multi-terawatt femtosecond laser pulses with gas jet targets. The results are obtained using the J-KAREN laser facility in Kansai Photon Science Institute, JAEA in the relativistic regime of high-order harmonics generation in gas targets discovered by us. We have performed the measurements of the harmonics source size and angular divergence which allow more accurate estimate of the peak spectral brightness, much more favorable compared to the previous conservative estimates. Our results are important for many research fields and technological areas requiring a bright coherent X ray or XUV source for pumping, probing, seeding, imaging, or attosecond science.

口頭

Off-axis high-order harmonics from relativistic laser - gas jet interaction

Pirozhkov, A. S.; 神門正城; Esirkepov, T. Z.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 林由紀雄; 小瀧秀行; Ragozin, E. N.*; Neely, D.*; et al.

no journal, ,

We present the discovery of strong off-axis XUV high-order harmonics generated in the interaction of relativistic-irradiance ( 10 $^{18}$ W/cm $^{2}$ ) multi-terawatt femtosecond laser pulses with gas jet targets. The results are obtained using the J-KAREN laser facility in Kansai Photon Science Institute, JAEA in the relativistic regime of high-order harmonics generation. The recent measurements of the harmonics source size and angular divergence allow more accurate estimate of the peak spectral brightness, which is much more favorable compared to the previous conservative estimates. Our results are important for many research fields and technological areas requiring a bright coherent X-ray or XUV source for pumping, probing, seeding, imaging, or attosecond science.

口頭

High-order harmonic comb from relativistic electron spikes

Pirozhkov, A. S.; 神門正城; Esirkepov, T. Z.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 林由紀雄; 小瀧秀行; Ragozin, E. N.*; Neely, D.*; et al.

no journal, ,

We present the new regime of high-order harmonics generation by multi-TW femtosecond lasers irradiating gas jet targets. We describe new results concerning the off-axis XUV harmonics emission, angular distribution and source size.

口頭

On-axis and off-axis high order harmonics generation by relativistic laser in gas jet target

Pirozhkov, A. S.; 神門正城; Esirkepov, T. Z.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 林由紀雄; 小瀧秀行; Ragozin, E. N.*; Neely, D.*; et al.

no journal, ,

We have recently discovered a new regime of high-order harmonic generation by multi-TW femtosecond lasers focused to gas jet targets, where comb-like spectra with hundreds of harmonic orders, reaching the photon energy of 500 eV, including the "water window" spectral range, were generated by either linearly or circularly polarized pulses. In this presentation we describe the results of new experiments with the J-KAREN laser in KPSI, JAEA, namely (1) the discovery of a strong off-axis XUV high-order harmonics emission, (2) the detailed study of the high-resolution on-axis harmonics spectra, and (3) the measurements of the harmonics source size and angular divergence which allow more accurate estimate of the peak spectral brightness, much more favorable compared to the previous conservative estimates.

口頭

高コントラスト超高強度短パルスレーザーJ-KARENによるレーザー駆動イオン加速実験

西内満美子; 榊泰直; 匂坂明人; 前田祥太; Pirozhkov, A. S.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 福田祐仁; 松川兼也*; et al.

no journal, ,

レーザー駆動型のイオン線は、その類稀な特徴より医療応用をはじめとして多くの応用の分野から着目を浴びている。その中の一つとして、既存の加速器へのインジェクターがある。重イオンを高エネルギーまで加速する加速器の小型化には、できるだけ電荷質量比(Q/M)が高く、高電流密度を持つイオン源が必要不可欠となる。一方、原子力機構関西研においては、高コントラスト超高強度短パルスレーザーJ-KARENを用いてレーザー駆動イオン加速研究を行っている。レーザー自身の高い電場強度によってプラズマ中のイオンは高いQ/Mを実現し、かつ同時に高エネルギーにまで加速することが可能である。最適化を行えば、既存の加速器のイオン源のみならず初段の線形加速器までの置き換えが可能となる。本講演では、薄膜と超高強度短パルス高コントラストレーザーとの相互作用によって、高エネルギーイオンの加速に成功したことについて報告する。

口頭

超高強度超短パルスレーザーの薄膜照射で発生する電子スペクトル計測

前田祥太; 西内満美子; 榊泰直; 匂坂明人; Pirozhkov, A. S.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 福田祐仁; 松川兼也*; et al.

no journal, ,

原子力機構では、超高強度超短パルスレーザーと薄膜を相互作用させて高エネルギーイオン発生の研究を行っている。装置の巨大化を抑えつつ発生イオンを高エネルギー化するためには、照射条件を最適化しなければならない。最適化するパラメータの決定には、イオンと同時に発生する電子や中性子、X線の情報から、プラズマ中の物理現象を知る必要がある。そこで本研究では、レーザープラズマ相互作用で発生した電子の温度を精度よく測るために、1-200MeVのブロードバンドなスペクトル検出器を開発した。検出器は、永久磁石と蛍光板およびCCDカメラで構成される。本発表では、まず、兵庫県立粒子線医療センターにて行った4・9・12・15MeVの準単色電子を用いての蛍光板発光特性の調査結果を報告する。次に、粒子輸送モンテカルロ計算コード「PHITS」を用いた計算機上での模擬実験により、データ解析手法を検証したので報告する。

口頭

High-order harmonics from relativistic electron spikes

Pirozhkov, A. S.; 神門正城; Esirkepov, T. Z.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 林由紀雄; 小瀧秀行; Ragozin, E. N.*; Neely, D.*; et al.

no journal, ,

In recent experiments we discovered bright off-axis harmonics carrying the pulse energy of up to 50 nJ ( photons) in the 60-100 eV spectral region, which is one of the best results achieved with compact coherent X-ray sources. We measured the angular divergence. High-resolution images reveal that the harmonics are emitted from two point-like regions with size smaller than a micron, which was predicted by our relativistic electron spikes model.

口頭

Source structure of high-order harmonics from relativistic electron spikes

Pirozhkov, A. S.; 神門正城; Esirkepov, T. Z.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 林由紀雄; 小瀧秀行; Ragozin, E. N.*; Neely, D.*; et al.

no journal, ,

In recent experiments with the J-KAREN laser we imaged the source of harmonics with photon energies from 60 to 100 eV onto a LiF crystal detector, which provides sub-m resolution. The images reveal that the harmonics are emitted from two point-like regions with size smaller than a micron, in accordance with the prediction of our relativistic electron spikes model.

口頭

High-resolution XUV imaging of catastrophes in relativistic plasma

Pirozhkov, A. S.; 神門正城; Esirkepov, T. Z.; Pikuz, T.; Faenov, A. Ya.*; 小倉浩一; 林由紀雄; 小瀧秀行; Ragozin, E. N.*; Neely, D.*; et al.

no journal, ,

Plasma produced with relativistic-irradiance (I $_{0}$ 10 $^{18}$ W/cm $^{2}$ ) lasers is known as a source of XUV and X-ray radiation generated via various mechanisms. Recently discovered by us high-order harmonic emission from gas jet targets produces short-pulse coherent radiation desirable for many applications. According to our model, the harmonics are emitted by relativistic electron spikes, which are the density singularities resulting from catastrophes of a multi-stream relativistic plasma flow. Here we present high-resolution measurements of a XUV emission source which show that the radiation is indeed emitted by tiny sources, in accordance with the model prediction. In the experiment performed with the J-KAREN laser the XUV emission (60-100 eV) has been imaged on a LiF crystal detector, which reveals the detailed structure of the XUV sources, for example the double source consisting of two sub-micrometer radiating points, as predicted by the model.