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若林 啓美*; 宮崎 尚*; 岡本 庸一*; 守本 純*; 小野田 忍; 大島 武
no journal, ,
単結晶6H-SiCに電子線を照射し、生成された欠陥等を光音響分光法(PAS)により評価した。360nmから410nmと480nm以上でブロードなピークが確認された。さらに5
10
/cm
の試料には620nmから660nmに大きなピークが確認された。同様の実験をLiNbO
に行っているが、SiCのほうが電子線を照射したことによる変化は小さいことがわかった。PAS測定の結果から、6H-SiCのほうがLiNbOよりもはるかに放射線に対し耐性があることが示された。
若林 啓美*; 宮崎 尚*; 岡本 庸一*; 守本 純*; 小野田 忍; 大島 武
no journal, ,
電子線照射した炭化ケイ素(SiC: Silicon Carbide)中の照射欠陥を光音響分光法(PAS:Photoacoustic Spectroscopy)にて測定した。PASは、通常行われるフォトルミネッセンス法による測定と異なり、非発光の欠陥を評価することができる。電子線照射した後、PASにより欠陥を評価したところ、シリコン(Si)空孔もしくはSi関連欠陥と考えられるピークを検出することができた。以上のように、通常の発光を用いた評価方法では検出することのできなかった電子線誘起欠陥をPAS法により検出することができた。