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田川 雅人*; 岸田 和博*; 横田 久美子*; 松本 康司*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; Zhang, J.*; Minton, T. K.*
Protection of Materials and Structures from the Space Environment; Astrophysics and Space Science Proceedings, Vol.32, p.547 - 555, 2012/08
Volatile products were measured from two types of diamond-like carbon films under the hyperthermal atomic oxygen (AO) beam bombardment. It was clearly observed that CO and CO were formed at the conventional hydrogenated DLC surface by hyperthermal AO beam exposure. Desorption rates of CO and CO are constant with AO fluence which reflects the constant erosion rate of the hydrogenated DLC. In contrast, Si-doped DLC shows decrease in amount of CO and CO with increasing AO fluence. Oxidation of Si atoms at the DLC surface was detected by X-ray photoelectron spectroscopy. This is the evidence that SiO film formed at the DLC surface could prevent AO reaction with C atoms in DLC which leads to loss of DLC. Since a self-healing capability can be expected on Si-doped DLC, metal doping is a promising technology for space application of DLC.
大西 健夫*; Gelberg, A.*; 櫻井 博儀*; 米田 健一郎*; 青井 考*; 今井 伸明*; 馬場 秀忠*; Von Brentano, P.*; 福田 直樹*; 市川 雄一*; et al.
Physical Review C, 72(2), p.024308_1 - 024308_7, 2005/08
被引用回数:21 パーセンタイル:77.65(Physics, Nuclear)Crのベータ崩壊を理化学研究所のサイクロトロン加速器を用いて初めて測定し、値0.640.20が得られた。この実験値を殻模型空間を仮定した殻模型計算と比較し、その相互作用依存性を調べた。KB3, FPD6, GXPF2相互作用はそれぞれ実験値を誤差棒の範囲内で説明することはできるが、これらの理論値は1.5倍ほどの開きがあり、どの相互作用が優れているかは今後の精密測定が待たれることとなった。この比較的大きなベータ崩壊確率は、準重陽子描像により定性的に議論可能であることがわかった。
森川 恒安*; 郷農 靖之*; 森田 浩介*; 岸田 隆*; 村上 健*; 井出口 栄治*; 熊谷 秀和*; G.H.Liu*; A.Ferragut*; 吉田 敦*; et al.
Physics Letters B, 350, p.169 - 172, 1995/00
被引用回数:19 パーセンタイル:71.02(Astronomy & Astrophysics)高スピン核異性体を逆運動学的核融合反応により生成し、不安定核二次ビームとして用いるあたらしい実験手法を開発した。この手法によりHfのK=8核異性体からなる二次ビームをPbの第二次標的に照射し、散乱粒子と脱励起ガンマ線の同時計数法を用いてクーロン励起実験をおこなった。核異性体上に構築されたJ=9の第一励起状態からのガンマ線を測定し、その収量から換算遷移確率B(E;89)の値をもとめた。その結果、この核異性体上の励起状態は基底状態とほぼ同程度の変形をした集団運動の状態であることがわかった。実験データとの比較によると、この核異性体のK量子数はかなり良い量子数であると考えられる。また、この実験は高スピン核異性体二次ビームによる二次反応を用いて行われた初めてのガンマ線核分光実験であった。
田川 雅人*; 横田 久美子*; 岸田 和博*; 古山 雄一*; 戸出 真由美; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; Minton, T. K.*
no journal, ,
本研究ではDLC膜中にSiをドープすることにより、DLC薄膜が原子状酸素曝露を受けた際にSi酸化保護皮膜を形成する可能性について、放射光光電子分光法、及び、ラザフォード後方散乱法による表面分析と反応生成物直接観察を行うことで検証を行った。原子状酸素照射前後における放射光光電子スペクトルから、室温での照射にもかかわらず、酸化膜の形成が確認され、反応生成物の脱離も抑えられることがわかった。