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口頭

LSOシンチレータによる陽電子消滅寿命測定

平出 哲也; 峯井 俊太郎; 酒井 弘明

no journal, , 

LSO(Lu$$_{2}$$SiO$$_{5}$$)シンチレータは、高密度,比較的短寿命な発光、高い発光量という優れた特性を示し、PETなどにも利用されている。現在、多くの陽電子消滅寿命測定装置にはBaF$$_{2}$$が利用されている。これは非常に立ち上がりの速い発光が時間分解能の点で有利であるためであるが、計数効率ではLSOシンチレータの方が有利である。今回、LSOシンチレータの陽電子消滅寿命測定への適用を試み、実際に計数率,時間分解能の最適化を行った。その結果、BaF$$_{2}$$によるシステムに比べ、計数率では5倍程度の向上があり、一方分解能は315ピコ秒程度を実現し、50ピコ秒程度の劣化に抑えることに成功した。長時間の測定では、試料の照射効果の影響が無視できない場合があり、そのような状況ではLSOシンチレータの適用が有効であることがわかった。

口頭

セシウム134放射能量簡易測定法

平出 哲也; 酒井 弘明; 峯井 俊太郎

no journal, , 

東京電力福島第一原子力発電所事故に伴い環境中に多くの放射性物質が放出された。実際に、環境中に存在する放射性セシウムの量は半導体検出器やNaI検出器を用いて得られるエネルギースペクトル上の全吸収ピークによって評価が行われている。しかし、これらの方法は放射性物質と検出器の距離に対して2乗に反比例する検出効率を有しており、周囲からの放射線があれば、正しい評価が難しくなるため、試料と検出器は重たい鉛などでできた遮蔽容器に入れる必要がある。今回、われわれは放射性セシウムの中で、複数の$$gamma$$線を放出する$$^{134}$$Csに着目した。現在、環境中に存在している放射性核種において、複数の$$gamma$$線を放出するもので比較的多く存在しているものは$$^{134}$$Csのみである。$$^{134}$$Csからの$$gamma$$線に関しては、605keVと796keVの$$gamma$$線の放出比が高く、これらの$$gamma$$線を同時計測することで、距離の4乗に反比例する検出効率を実現でき、周囲の汚染などに影響を受けにくい計測法として提案し、また、実用可能であることを実験で確かめた。この検出法は鉛などの遮蔽体を必要としないため、環境中において非破壊でその場観察によって、放射能量の評価を行うことが可能である。

口頭

LSOシンチレータによるAMOC測定

平出 哲也; 峯井 俊太郎; 酒井 弘明

no journal, , 

LSO(Lu$$_{2}$$SiO$$_{5}$$:Ce)シンチレータは陽電子放射断層撮影(PET: Positron Emission Tomography)などへの利用されているシンチレータであり、$$gamma$$線検出の効率が高い。このシンチレータを利用してNa-22を用いた陽電子消滅法,特に陽電子消滅寿命測定や運動量-寿命相関測定(AMOC)に適用し、検出効率を大幅に改善し、試料への照射効果などを低減した高精度な測定を実現することに成功した。

口頭

カプトン中陽電子寿命の電場効果

酒井 弘明; 峯井 俊太郎; 平出 哲也; 大島 永康*; 小林 慶規*; 木野村 淳*; 鈴木 良一*

no journal, , 

高分子に、絶縁破壊程度まで高電場を印加した場合、ポジトロニウム(Ps)形成が著しく増大すると報告されている。この著しい増大は、陽電子トラックのターミナルスパー内で熱化した陽電子と過剰電子の反応でPsが形成するとする、スパー反応モデルで説明することは難しい。今回、電場なしではPs形成が起こらない、つまり、スパー反応モデルではPs形成が起こらない、ポリイミド(カプトン)中において、絶縁破壊付近までの高電場を印加した際の効果を調べた。その結果、絶縁破壊付近でも、Ps形成は認められず、Psを形成しない陽電子(自由陽電子)の寿命が長くなる傾向が見られ、これは自由陽電子のドリフトによって起こっていると考えられる。また、過去の報告における解釈が、誤っていた可能性が示された。

口頭

カプトン中陽電子寿命の電場効果

酒井 弘明; 峯井 俊太郎; 平出 哲也; 大島 永康*; 小林 慶規*; 木野村 淳*; 鈴木 良一*

no journal, , 

高分子中において高電圧印加した場合、絶縁破壊近くで電子と陽電子の結合状態であるポジトロニウムの形成が増大すると報告されている。絶縁物中のポジトロニウム形成を説明するスパー反応モデルで、この現象を説明することはできない。そこで、電場が無い状態で、ポジトロニウムが形成されない、カプトン(ポリイミド)中で、陽電子消滅寿命におよぼす電場印加の効果を測定することで、高電場によってポジトロニウム形成が見られるか確認した。その結果、長寿命を示す三重項ポジトロニウムの形成は見られず、ポジトロニウムを形成しないで消滅していく、陽電子からの消滅成分の寿命値が長くなることがわかった。これは、陽電子のドリフトが起こることで説明することができ、また、報告されている結果も、ポジトロニウム形成の増大ではなく、寿命値の変化に起因するものであった可能性が示された。

口頭

Electric field effect on positron annihilation lifetime in Kapton

酒井 弘明; 峯井 俊太郎; 平出 哲也; 大島 永康*; 小林 慶規*; 木野村 淳*; 鈴木 良一*

no journal, , 

高分子中において高電圧印加により、電子と陽電子の結合状態であるポジトロニウムの形成が増大すると報告されているが、その機構は明らかになっていない。そこで、電場が無い状態でポジトロニウム形成が見られない、カプトン(ポリイミド)中で、高電場印加によりポジトロニウム形成が起こるかどうか、陽電子消滅寿命測定により調べた。その結果、長寿命を示す三重項ポジトロニウムの形成は見られなかったが、自由陽電子の消滅成分の寿命値が長くなることがわかった。過去の報告では陽電子消滅寿命測定は行われておらず、ポジトロニウム形成の増大と寿命値の増大を見分けることは不可能であり、高電場下でのポジトロニウム形成増大の報告が誤った解釈である可能性が示された。

口頭

Effect of focused ion beam processing on stainless steel studied by positron annihilation lifetime measurements

峯井 俊太郎; 大島 永康*; 酒井 弘明; 大久保 成彰; 近藤 啓悦; 鈴木 良一*; 平出 哲也

no journal, , 

原子炉材料において、中性子照射によって原子空孔や空孔クラスターが形成されると考えられる。このような空孔型欠陥を観察する手法として、陽電子消滅法は重要な手法であるが、陽電子消滅法は$$gamma$$線計測であり、中性子照射された高放射化試料への適用は困難であった。しかし、最近の陽電子マイクロビームの開発で、陽電子を数十ミクロン程度の領域に打ち込む事が可能となり、エネルギーも低いため、薄い試料でも陽電子が止まる。そこで、高放射化試料を微小試料に加工することで、$$gamma$$線放出量を、陽電子消滅寿命測定が可能になるほど十分低くすることができ、高放射化試料に陽電子消滅寿命測定を直ちに適用することが可能となる。加工にはFIBが最も有力であり、今回、FIB加工によるSUS316L試料への影響を陽電子消滅寿命測定で評価し、試料作製にFIBを適用できることを示した。

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