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有馬 孝尚*; 後藤 剛史*; 山崎 裕一*; 宮坂 茂樹*; 石井 賢司; 坪田 雅己; 稲見 俊哉; 村上 洋一*; 十倉 好紀*
Physical Review B, 72(10), p.100102_1 - 100102_4, 2005/09
被引用回数:129 パーセンタイル:95.45(Materials Science, Multidisciplinary)強磁場下での単結晶放射光X線回折実験を磁気誘電化合物GdMnOとTbMnOで行った。低温で磁場の印加によって誘起される//aの強誘電相は斜方晶のb軸方向へのq=1/2と1/4の整合な格子変調によって特徴づけられる。この格子変調は変調ベクトル(0 1/4 1)の反強磁性スピン配列によるものである。スピン構造の変化は直接磁場誘起誘電相転移と関係づけられる。なぜなら、いかなる(0 1/4 1)の整合スピン変調はPbnm空間群を持つ歪んだペルブスカイトの軸に垂直な映心面を壊すからである。