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瀬口 忠男; 早川 直宏; 田村 直幸; 勝村 庸介*; 田畑 米穂*
Radiation Physics and Chemistry, 37(1), p.141 - 146, 1991/01
n-CH、n-CHの高速中性子照射効果を線照射効果と比較して検討した。2量体及び3量体の架橋生成物の分析を行い、収率、化学構造を測定した。しかし、線照射の場合と比べて差が認められなかった。高速中性子はLETが線の200倍も高いが、活性種の生成から架橋反応に到る過程で分散し、低LETの線と同じ結果を与えるものと考えられる。
瀬口 忠男; 勝村 庸介*; 林 成幸*; 早川 直宏; 田村 直幸; 田畑 米穂*
Radiation Physics and Chemistry, 37(1), p.29 - 35, 1991/00
ポリエチレン、エチレンプロピレン共重合体のモデル化合物としてn-パラフィンとスクワランの線照射効果を発生ガス分析、分子量測定で解析した。結晶状態、ガラス相及び液相での架橋のG値を正確に求めることができた。照射によって二重結合が生成するが、この二重結合によって架橋が優先的に起ることが見い出された。分子鎖の切断はきわめて小さく、架橋のG値に比べると1/100以下と推定された。ポリマーと対比すると、架橋及び分子鎖の切断に対する結晶と非晶の役割はモデル化合物の結晶と液相にそれぞれ対応すると考えられた。
伊藤 久義; 早川 直宏; 梨山 勇*; 作間 栄一郎*
Journal of Applied Physics, 66(9), p.4529 - 4531, 1989/11
被引用回数:120 パーセンタイル:97.34(Physics, Applied)エピタキシャル成長3C-SiC(立方晶シリコンカーバイド)結晶における電子線照射誘起欠陥を電子スピン共鳴(ESR)法により調べた。この結果、電子線照射3C-SiCにおいて、g値として2.00290.0001なる値をとり、分離幅約1.5Gで等間隔に分離した等方的な5本線スペクトルを示す欠陥(ESRセンター)が生成されることが明らかになった。また、電子線照射3C-SiCの等時及び等温アニールの結果、このESRセンターは3種類のステージ(150C、350C、750C)においてアニールされ、特に750Cにおけるアニール過程は活性化エネルギー2.20.3eVの一次反応で表されることが解った。
伊藤 久義; 早川 直宏; 梨山 勇*; 作間 栄一郎*
JAERI-M 89-094, 13 Pages, 1989/07
化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)法によりSi上にエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に対し、その1MeV電子線照射効果を電子スピン共鳴法を用いて調べた。その結果、電子線照射により3C-SiC中に4種類の常磁性欠陥(T1~T4センター)が誘起されることが判明した。T1センターは等間隔で分離した(分離幅約1.5G)等方的な5本線で構成され、そのg値は2.00290.0001であることが見いだされた。また、T2センターは100以下の低温で出現し異方性を持つこと、並びにT3及びT4センターは室温において検出され異方性を示すことが解った。さらに、電子線照射3C-SiCの等時アニールの結果、T1センターのアニール過程において3種類のステージ(150C、350C、750C)が存在することが明らかになった。一方、T3、T4センターについては各々100C、350Cにアニールステージを持つことが見いだされた。
瀬口 忠男; 早川 直宏; 田村 直幸; 林 成幸*; 勝村 庸介*; 田畑 米穂*
Radiation Physics and Chemistry, 33(2), p.119 - 128, 1989/00
CからCのn-パラフィン及びスクワラン(C)を固相及び液相で線照射したときに生成される2量体、3量体、多量体を液体クロマトグラフィーで分析し、架橋のG値を定量化した。固相での架橋のG値は1.0~1.15であり、液相では1.7~1.8であった。架橋生成物には多量の二重結合が生成していることが認められた。架橋構造は固相では結晶表面に近い領域で、すなわち、分子の未端に近い炭素原子間で架橋が進行していることが示唆された。
伊藤 久義; 吉川 正人; 早川 直宏; 作間 栄一郎*; 梨山 勇*
EIM-88-120, p.25 - 34, 1988/12
CVD(Chemical Vapor Deposition)法により作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に対し、その電子線照射損傷を電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。その結果、3C-SiC中に電子線照射により誘起される4種類のESRセンター(T1~T4センター)が存在することを見い出した。T1センターは等間隔で分離した等方的な5本線で構成され、そのg値は2.00290.0001である。T2センターは約100k以下の低温で検出され、異方性を持つ。T3及びT4センターは室温において観測され、かつ異方性を示す。さらに、照射試料の等時及び等温アニールにより、欠陥のアニール挙動について調べた。
瀬口 忠男; 早川 直宏; 田村 直幸; 林 成幸*; 勝村 庸介*; 田畑 米穂*
Radiation Physics and Chemistry, 32(6), p.753 - 760, 1988/00
CからCのn-パラフィン及びスクワラン(C)を固相、液相で線照射したときに発生するガスを分析した。n-パラフィンでは発生ガスの99%が水素であり、そのG値は液相で3.2~3.3、固相では2.2~2.5(-77C~25C)であった。分子量や科学構造にはほとんど依存していない。次に多いのはCHであるが、その量は固相、液相ともにHの1%である。但し、スクワランでは5%である。CHはトリクリニックの固相からは発生しないがオルソローンビックの結晶からはG値で0.02発生した。
荒川 和夫; 中西 博*; 森下 憲雄; 曽田 孝雄*; 早川 直宏; 八木 徹也*; 町 末男
JAERI-M 87-141, 112 Pages, 1987/09
この報告書は庁販潤滑油の耐放射性に関するデータ集である。
貴家 恒男; 早川 直宏; 吉田 健三
Polymer, 28(2), p.236 - 240, 1987/02
被引用回数:20 パーセンタイル:70.16(Polymer Science)電子線照射した芳香族系ポリスルホンの動的粘弾性測定を行った。-100C附近の分散は水分のあるなしによっても影響を受けるが、照射によってさらに大きな変化を受ける。このことは水分が吸着するサイトである-SO-部分が崩壊することを意味する。40C附近からガラス転移温度直下の温度域で力学損失が線量と共に大きくなった('分散)。この'分散は水分のあるなしには影響されず、熱処理によって影響を受けた。主鎖切断により生じた切断末端がポリマー鎖のパッキング状態を要化させたために現れた分散と決論した。分散(ガラス転移)温度は線量と共に低温にシフトした。主鎖切断のために分子間力の低下が起きたことを示す。,',分散挙動の変化から、ポリスルホンは主鎖切断によって劣化し、切断点は-SO-部分であると結論した。
渡辺 祐平; 早川 直宏; 栗山 将*
Reports on Progress in Polymer Physics in Japan, 30, p.171 - 174, 1987/00
結晶性ポリマーの酸化反応機構におよぼすモルホロジーの影響を、分子構造の簡単な直鎖状ポリエチレン(PE)について検討した。
荒川 和夫; 中西 博*; 曽田 孝雄*; 早川 直宏; 八木 徹也*; 吉田 健三
JAERI-M 86-141, 45 Pages, 1986/10
耐放射線性グリ-スを開発した。増ちょう剤にベントナイト(B),シリカゲル(Si),およびウレア(U)を用い、基油にはフェノキシフェノキシジフェニル(4P)、アルキルジフェニルエ-テル(DA)および混合油(4PとDA)を用いた。新規に開発したグリ-スの耐放射能線性は、ちょう度、離油度および遊離酸などの性状変化から評価した。4PB(2号ちょう度)のちょう度変化及び離油度は、30MGyまで非常に小さい。このグリ-スは、他の市販グリ-スと比べ、より高い耐放射線性を有している。4P-Bを0号ちょう度に調整したグリ-スは、放射線に対し,100MGyまで優れた安定性を示した。4Pのかわりに混合油を用い、低音特性を改良したグリ-ス80MGyまで使用可能である。
吉川 正人; 早川 直宏; 川上 和市郎
EIM-86-137, p.77 - 85, 1986/00
バイポーラトランジスタ 4種類を1.010R/hにて0.1~0.3MR,照射温度 室温~150Cの各温度にて照射し、この時の直流電流増幅率h及び逆方向飽和電流Iについて測定を行った。hは室温照射を行った時よりも加熱照射を行った時のほうが低下した。温度によっても異なるが、60~80Cの照射温度が最も低下し、それ以上の温度ではまた回復した。一方、Iは照射温度が高いほど特性が小さくなり、特に80C以上では顕著に減少した。照射線量による挙動の違いはみられなかった。 hの加熱照射による低下の原因は、主にIの増加によることがわかった。この原因としてSi/SiO界面の界面準位が考えられる。バイポーラトランジスタの耐放射線性の評価を行う場合、放射線に加えてその環境温度の影響を考慮する必要のあることがわかった。
貴家 恒男; 早川 直宏; 吉田 健三; 萩原 幸
Polymer, 26, p.1039 - 1045, 1985/00
被引用回数:84 パーセンタイル:95.03(Polymer Science)主鎖が芳香環で構成された10種類の芳香族系ポリマーの電子線による劣化挙動を引張り試験にもとずく力学的特性の変化から検討した。熱および紫外線に対して良好な耐性を示すこれらポリマーも電子線に対し異なった耐放射線性を示した。また、耐放射線性はそれぞれのポリマーの化学構造と密接に関係することが明らかとなった。ポリマー自体の耐放射線性と化学構造を相互に比較することにより、ポリマーを構成するユニットの電子線に対する安定性のおおよその序列を決定することができた。
勝村 庸介*; 田畑 米穂*; 瀬口 忠男; 早川 直宏; 吉田 健三; 田村 直幸
Radiation Physics and Chemistry, 26(2), p.211 - 220, 1985/00
有機材料に対する高速中性子の照射効果を研究するために、中性子発生源である原子炉(東大、弥生)内の中性子および線の線量測定を行った。中性子のエネルギー分布とフラックスの分布は金属試料の放射化で測定した。有機物への吸収線量は種々の有機物線量計(レッドアクリレート、ラジオクロミック、PTFE)で測定した。線の割合はCo-60での照射実験と比較することによって求めたが、主としPTFEに生成する過酸化ラジカルの測定を規準にした。これはPTFEに対する中性子の吸収がきわめて小さいからである。この結果原子炉内における高速中性および線の線量と分布を求め、またポリエチレンなどの高分子材料に対する吸収線量を評価した。
瀬口 忠男; 早川 直宏; 吉田 健三; 田村 直幸; 勝村 庸介*; 田畑 米穂*
Radiation Physics and Chemistry, 26(2), p.221 - 225, 1985/00
高分子材料に対する高速中性子の照射効果を、ポリエチレン、エチレンプロピレンゴム、テトラフルオルエチレンプロピレンゴムについて、架橋および切断の数を測定して検討した。Co-60線と比較したところ、ゲル分率、膨潤比の変化は全く同じ結果を与え、架橋の数や密度分布に差のないことがわかった。高速中性子とCo-60線では、Linear Energy Tranofer(LET)が200倍異なることが知られているが、この大きなLETの差がPE,EPR,TFEPの架橋に反映されない理由を考察した。
早川 直宏; 田村 直幸; 田畑 米穂*; 勝村 庸介*; 林 成幸*; 瀬口 忠男
Radiation Physics and Chemistry, 25(1-3), p.399 - 409, 1985/00
ポリエチレンモデル化合物の放射線照射による架橋のメカニズムを調べることを目的として、n-パラフィンの照射効果をガス発生量、液体クロマトグラフィによる分子量の分析およびマススペクトルによる架橋生成物の分析を行い、各生成物のG値を定量した。炭素数が奇数と偶数のn-パラフィンを選び、二量体、三量体、および四量体以上の架橋生成物を検出し、Hの発生量と架橋および二重結合の生成量について検討した。またn-パラフィンを結晶および液相で照射し、両者の相異を比較した。この結果、架橋のG値は結晶相では1.15、液相では1.7であることが明らかになった。また分子鎖の切断は分子末端でのみ起り、したがって分子鎖が長くなるほど切断の確率が小さくなることが示された。
貴家 恒男; 早川 直宏; 吉田 健三
J.Polym.Sci.,Polym.Phys.Ed., 22, p.529 - 533, 1984/00
抄録なし
早川 直宏; 荒川 和夫
日本原子力学会誌, 26(7), p.567 - 572, 1984/00
被引用回数:0 パーセンタイル:0.02(Nuclear Science & Technology)潤滑油及びグリースの耐放射線性に関する文献調査について、我々の得た結果を含めて解説した。まず潤滑剤の耐放射線性に最も影響の大きな基油の放射線化学について述べ、次に潤滑剤の耐放射線性を各種の潤滑油及びグリースについて検討した。そして最後に耐放射線性潤滑剤について述べた。
中西 博*; 荒川 和夫; 早川 直宏; 町 末男; 八木 徹也*
日本原子力学会誌, 26(8), p.718 - 724, 1984/00
被引用回数:1 パーセンタイル:19.16(Nuclear Science & Technology)市販の芳香族系潤滑油7種(アルキルジフェニルエーテル4種、フェニルシリコーン、およびポリフェニルエーテル2種)について、真空中および酸素中においてCo-r線を照射した。各試料油は線量率110rad/hで室温で3000Mradまで照射した。照射後、潤滑油の一般性状(動粘度、全酸価、引火点、比重、および色)変化を調べた。また、各試料油の照射の初期に生成するラジカルをESRを用いて77°Kで測定した。その結果、%Caが増加すると粘度変化、全酸価、およびラジカルのG値は減少した。芳香族系潤滑油は鉱油系潤滑油にくらべて耐放射線性に優れており、特にm-フェノキシフェノキシジフェニルが最も耐放射線性に優れている。
貴家 恒男; 早川 直宏; 吉田 健三
JAERI-M 83-064, 10 Pages, 1983/04
主鎖に芳香環を含むポリイミド、変成ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリエーテルサルフォン、ビス-フェノール型ポリサルフォン、ポリエーテル・エーテル・ケトンの電子線照射効果の検討を行った。照射は2MeV、1.5mAの電子線(0.5Mrad/sec)を用い、室温・空気中で最高1200Mradまで行った。照射後の引張り試験の結果から、-SO-基をもつポリスルフォンの耐放射線性は低く、イミド環で構成されたポリイミドが最も耐放射線性にすぐれていた。また、各ポリマーの照射効果の比較から、芳香族系ポリマーでは芳香環を結び合せている原子あるいは原子団の化学構造と耐放射線性との間に密接な関係があることを見い出した。