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Cr
N薮内 敦*; 前川 雅樹; 河裾 厚男; Zhou, Y.-K.*; 長谷川 繁彦*; 朝日 一*
Applied Physics Letters, 102(14), p.142406_1 - 142406_4, 2013/04
被引用回数：1 パーセンタイル：4.63(Physics, Applied)Effect of Si doping on low-temperature grown GaCrN films has been investigated by positron annihilation spectroscopy. In undoped GaCrN films grown at 540 
C, vacancy clusters with sizes of V
-V
were found to be responsible for positron trapping. Such vacancy clusters were considerably suppressed in Si-doped GaCrN films grown at 540 C, although divacancies (V
V
) still survived. The Si-doping may be one possible way to suppress vacancy aggregation during low temperature crystal growth, and the further methods to remove divacancies are required.
口山 崇*; 長谷川 繁彦*; 山本 憲治*; 寺岡 有殿; 朝日 一*
Japanese Journal of Applied Physics, 50(12), p.121101_1 - 121101_4, 2011/12
被引用回数：1 パーセンタイル：4.79(Physics, Applied)The physical properties of high-stable transparent Si-doped zinc oxide (ZnO) films were determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectroscopy (SIMS). From XPS, the peak corresponding to the energy of ionized silicon (Si 2p) was observed for all samples after damp heat exposure, even in the aluminum (Al)-doped Si-undoped zinc oxide (ZnO:Al) thin film. SIMS profiles showed an increase in silicon concentration at the surface of ZnO thin films after damp heat exposure. The Ar concentration determined from SIMS measurement showed a clear relationship between the stability and Ar concentration. This can be explained by the packing density of ZnO and a barrier model. Additionally, comparing ZnO:Si with ZnO:Al prepared under the same deposition conditions, we found that silicon can make ZnO thin films more stable.
河裾 厚男; 薮内 敦; 前川 雅樹; 長谷川 繁彦*; Zhou, Y.-K.*; 朝日 一*
JAEA-Review 2010-065, JAEA Takasaki Annual Report 2009, P. 148, 2011/01
分子線エピタクシー法で創製したGaCrN中の空孔型欠陥をエネルギー可変低速陽電子ビームを用いて評価した。陽電子寿命測定及び消滅
線ドップラー効果測定の結果、540Cで成長させたGaCrN中には空孔型欠陥が生成していることがわかった。理論解析との照合から、この空孔型欠陥が、副格子点8個分の大きさに相当する空孔クラスターであることがわかった。Si添加によるGa副格子の占有に伴って、空孔クラスターは消失するが、別種の空孔型欠陥が生成することがわかった。電子運動量分布に基づく解析から、この空孔型欠陥は窒素空孔とSi原子の複合体であることが判明した。
薮内 敦; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 長谷川 繁彦*; Zhou, Y. K.*; 朝日 一*
Journal of Physics; Conference Series, 262(1), p.012066_1 - 012066_4, 2011/01
被引用回数：0 パーセンタイル：0.06(Physics, Applied)CrドープGaNは室温希薄磁性半導体材料として期待されている。磁気特性を得るためには高濃度にCrを固溶させることが重要であるが、一般的なGaNのMBE成長温度ではCrN相が析出してしまうため、低温での結晶成長が試みられている。しかしこの場合、空孔型欠陥の導入が懸念される。そこで本研究ではMBE成長GaCrN結晶中の欠陥構造について低速陽電子ビームを用いて評価した。MOCVD-GaN(2
m)/Sapphireテンプレート基板上にMBE成長によりGaN(4nm)/GaCrN(500nm)/GaN(40nm)構造を作製した。GaN層の成長温度は700Cであり、GaCrN層(Cr濃度0.7%)の成長温度は700Cもしくは540Cである。それぞれの成長温度についてSiドープ試料とアンドープ試料を用意した。これら試料の陽電子消滅線ドップラー幅広がり測定と陽電子寿命測定を行った。その結果、低温成長により空孔型欠陥が導入され、さらにその欠陥種もしくは欠陥濃度がSiドープにより変化することを見いだした。消滅線同時計数ドップラー幅広がり測定並びに陽電子寿命測定の結果から、低温成長のアンドープGaCrN, SiドープGaCrN中にはそれぞれ空孔集合体,単空孔関連欠陥複合体が存在していると結論付けた。
安居院 あかね; 朝日 透*; 佐山 淳一*; 水牧 仁一朗*; 田中 真人*; 逢坂 哲彌*
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 320(22), p.3015 - 3018, 2008/11
被引用回数：1 パーセンタイル：6.32(Materials Science, Multidisciplinary)膜製作温度260Cで作成された[Co/Pd]及び[CoB/Pd]多層膜についてCo L吸収端において軟X線吸収測定及び磁気円2色性測定を行った。試料はPd相の厚さによって磁化方向が変わり測定はに垂直磁化を示す膜厚のものからPd相を厚くして面内磁化を示すものまでを測定した。Co相にBを添加した場合としない場合についてミクロスコピックな磁気的性質が変化したので報告する。
CrN and Si-doping effects studied by photoemission and X-ray absorption spectroscopySong, G.*; 小林 正起*; Hwang, J. I.*; 片岡 隆*; 滝沢 優*; 藤森 淳; 大河内 拓雄; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; et al.
Physical Review B, 78(3), p.033304_1 - 033304_4, 2008/07
被引用回数：8 パーセンタイル：37.3(Materials Science, Multidisciplinary)The electronic structure of the magnetic semiconductor GaCrN, and the effect of Si doping on it have been investigated by photoemission and soft X-ray absorption spectroscopy. We have confirmed that Cr in GaN is predominantly trivalent when substituting for Ga and that Cr 3
states appear within the band gap of GaN just above the N 2
-derived valence-band maximum. As a result of Si doping, downward shifts of the core levels (except for Cr 2) and the formation of new states near the Fermi level were observed, which we attribute to the upward chemical-potential shift and the formation of a small amount of Cr
species caused by electron doping. Possibility of Cr-rich cluster growth by Si doping are discussed based on the spectroscopic and magnetization data.
Co
/Pd multilayered films田中 真人*; 朝日 透*; 安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 佐山 淳一*; 逢坂 哲彌*
Journal of Physics D; Applied Physics, 41(5), p.055003_1 - 055003_4, 2008/03
被引用回数：5 パーセンタイル：22.74(Physics, Applied)本研究は垂直磁気記録材料の候補の一つであるTbCo/Pd多層膜の示す複雑な垂直磁気異方性の起源を軟X線吸収スペクトル(XAS),磁気円二色性(MCD)の層厚変化を測定した。その結果、補償層厚前後でCoからTbへ優勢モーメントが反転すること、補償層厚においてもMCDは観測され、CoとTbでほぼ同じ強度で向きが反対の磁気モーメントを持つためにマクロでは磁性を有しないように見えること、層厚によってはESMHループとマクロな磁化曲線の形状が異なることなどが明らかになった。
Co
measured using soft X-ray magnetic circular dichroism安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 朝日 透*; 松本 幸治*; 森河 剛*; 佐山 淳一*; 逢坂 哲彌*
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 68(11), p.2148 - 2152, 2007/11
被引用回数：9 パーセンタイル：41.74(Chemistry, Multidisciplinary)強い垂直磁気異方性を示す磁性材料が高密度磁気記録媒体として不可欠となっている。DyCoアモルファス膜は有望な光学磁気記録材料として注目されている。これまで、垂直磁化膜の磁気異方性エネルギーや保磁力など膜全体の磁気特性の報告が多くなされている。一方、膜の構成元素ごとの磁気特性について着目し元素選択的・軌道選択的に測定した物理量と、前述した系全体を表す物理量との相関について研究している例は少ない。本稿では軟X線磁気円二色性分光測定を用い、DyCo垂直磁化膜の磁気特性を元素選択的・軌道選択的観点から研究した例を紹介する。
田中 真人*; 中村 尚倫*; 朝日 透*; 津森 俊宏*; 安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 逢坂 哲彌*
Physica Status Solidi (C), 3(8), p.2783 - 2786, 2006/09
被引用回数：1 パーセンタイル：45.61(Materials Science, Multidisciplinary)超高密度磁気記録に有望な垂直二層膜磁気記録媒体の開発には、高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜から成る裏打ち層と呼ばれる磁性薄膜の研究が鍵となっている。本研究では裏打ち層としてCoNiFeB無電解めっき膜を用い、SPring-8 BL23SUの偏光変調方式による軟X線磁気円二色性の測定から、この裏打ち層の元素別磁気特性を明らかにした。また作製時に磁場を印加しためっき膜ではCo, Ni原子の軌道角運動量が増加することを明らかにした。
-added and B-doped effect in Co/Pd multilayered films using soft X-ray absorption and magnetic circular dichroism安居院 あかね; 朝日 透*; 佐山 淳一*; 川治 純*; 水牧 仁一朗*; 田中 真人*; 逢坂 哲彌*
Journal of Physics D; Applied Physics, 39(14), p.2881 - 2885, 2006/07
被引用回数：1 パーセンタイル：4.45(Physics, Applied)超高密度磁気記録を実現するためには強磁性結晶粒子の微細構造を制御して、強い磁気異方性を保持しながら磁気クラスターの微細化を達成しなければならない。超高密度磁気記録を実現できる磁気記録媒体の有望な候補としてCo層とPd層を交互に積層させた多層垂直磁化膜が注目されている。本研究では、Nをドープした[Co/Pd]n及び[CoB/Pd]n多層膜の軟X線磁気円二色性吸収(MCD)を測定し多層膜の磁気モーメントに関する知見を得ることを試みたので報告する。
-edge of perpendicular magnetic DyCo films安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 朝日 透*; 佐山 淳一*; 松本 幸治*; 森川 剛*; 松下 智裕*; 逢坂 哲彌*; 三浦 義正*
Journal of Alloys and Compounds, 408-412, p.741 - 745, 2006/02
被引用回数：7 パーセンタイル：46.38(Chemistry, Physical)次世代高密度記録媒体材料の候補として期待される希土類-遷移金属アモルファス薄膜の垂直磁気異方性の濃度依存性を元素別に調べるために、DyCo膜の軟X線吸収測定及び磁気円二色性測定を行った。MCD測定は磁化の入射角に対する軸方向への射影としてあらわれ、濃度によってDyのモーメントの広がりが変化することがわかった。
水牧 仁一朗*; 安居院 あかね; 朝日 透*
応用物理, 75(2), p.227 - 232, 2006/02
次世代の超高密度記録媒体開発を効率的に行うためには、その材料の基礎的な磁性を理解することが重要である。アモルファス希土類遷移金属合金垂直磁化膜は超高密度記録媒体として有望なもののひとつである。軟X線磁気円二色性は、元素ごと及び軌道ごとに、フェルミ準位近傍の非占有準位の電子状態・スピン状態を調べるのに有力なプローブである。本稿ではこの系に特徴的なスペリ磁性が、そのスペクトルに与える影響を紹介しその基礎的性質について紹介する。
安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 朝日 透*
放射光, 18(4), p.215 - 222, 2005/07
垂直磁化膜の磁気異方性エネルギーや保磁力などのマクロスコピックな報告が多くなされている一方で、それらの磁性膜の構成元素ごとの磁気特性に着目したミクロスコピックな測定から得られる物理量と、それらのマクロスコピックな物理量との相関について論じた研究の例は多くない。本稿では垂直磁化膜の磁気的性質を軟X線磁気円二色性分光法を用いて元素選択的・軌道選択的に測定し、ミクロスコピックな観点から人工格子薄膜の下地効果や、アモルファス合金膜で希土類元素が果たす役割などについて研究した例を紹介する。
-edges of Tb
FeCo
perpendicular magnetization films安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 朝日 透*; 佐山 淳一*; 松本 幸治*; 森河 剛*; 中谷 健; 松下 智裕*; 逢坂 哲彌*; 三浦 義正*
Transactions of the Magnetics Society of Japan, 4(4-2), p.326 - 329, 2004/11
希土類-遷移金属(RE-TM)アモルファス合金薄膜は、強い垂直磁気異方性を示すという特長により、光磁気ディスクに用いられている。これまで、TbFeCo薄膜の磁気異方性エネルギーや保磁力などの磁気特性につき多くの報告がなされているが、その垂直磁気異方性の起源は明確となっていないのみならず、その磁気特性についてミクロスコピックな測定から得られる物理量との相関について議論した例もない。一方、軟X線磁気円二色性(MCD)分光は元素選択的・軌道選択的測定という特長を持ち、複数の磁性元素で構成される磁性体の磁気的性質を調べるのに威力を発揮する。そこで、われわれはMCD分光によりTbFeCo垂直磁化膜の磁気異方性エネルギーと軌道角運動量の相関を調べた。
安居院 あかね; 水牧 仁一朗*; 松下 智裕*; 朝日 透*; 川治 淳*; 佐山 淳一*; 逢坂 哲彌*
Journal of Applied Physics, 95(12), p.7825 - 7831, 2004/06
被引用回数：6 パーセンタイル：27.83(Physics, Applied)本研究では、下地層材料及びその膜厚を変化させた[Co/Pd]n多層膜の軟X線磁気円二色性吸収(MCD)を測定し[Co/Pd]n多層膜の磁気モーメントに関する知見を得ることを試みた。実験は、SPring-8の軟X線分光ビームライン(BL23SU)にて行った。挿入光源の駆動による偏光反転と分光器のエネルギー挿引とを組合せMCDを全電子収量法で測定した。試料はマグネトロンスパッタリングにより室温で作製され、積層数,下地層の種類,膜厚を変えた下地層の上に0.8nmのPd層と0.2nmのCo層を交互に積層させたものであった。測定の結果、下地効果によるマクロな磁気特性の変化から期待されるようなMCDスペクトルの大きな変化は見られず、多層膜上部のCoの電子状態は下地層を変えても大きく変化しないことを示した。したがって、下地層は[Co/Pd]n層との界面近傍の初期成長層のみに影響を与え、それによって、多層膜の全体の磁気特性が大きく変化していると考えられる。
朝日 義郎; 菅原 一郎*; 小林 敏樹*
Nuclear Technology, 91, p.28 - 50, 1990/07
被引用回数：2 パーセンタイル：31.34(Nuclear Science & Technology)IRISの設計では受動的機器のみで燃料健全性を保障することに主眼を置く。大きなヒートシンクを持つので格納容器内の平均化エンタルピは非常に低く(58kcal/kg)熱容量は非常に大きい(10Gcal/C)。1次流路は2重サイフォンを持ち、主循環ポンプをSG出口に持つ。受動性が高いので、いろいろな系統が簡素化されたり、除去されたのみならず、プラント配置条件が緩和されている。計算によって、幾何学的及び熱流力的諸パラメータを決めた。大きな負荷遮断にも対応できるように炉制御ロジックを設計した。安全解析を行ない、事故時に原子炉は受動的に停止すること、特にLOCAの時には炉外プール水が受動的にECC水として挙動することを確認した。制御棒がないので、ボイド係数が負であるという条件が特に重要である。ヒートパイプを用いて大気を崩壊熱除去の究極的ヒートシンクとして利用しているこので猶予時間が非常に長い。
朝日 義郎; 平野 雅司; 佐藤 一男
JAERI 1300, 172 Pages, 1986/12
THYDE-P2の特徴は新熱水力回路網モデルである。THYDE-P2は、LB-LOCA(大破断冷却材喪失事故)を含むところの種々の外乱に対して、RCSがいかに挙動するかを解析することができる。LB-LOCA解析に於いては、THYDE-P2は、方法とモデルの変更なしに、再冠水終了までの一貫解析をすることができる。この報告書の前半では、THYDE-P2の方法とモデルに関して、次のことが記述してある。(1)熱水力回路網モデル(2)各種コンポーネントモデル(3)燃料中の熱源(4)熱伝達相関式(5)燃料と被覆管の機械的挙動、及び(6)定常設定。後半は、THYDE-P2(SV04L08A版)の使用手引書になっていて、次のことが記述してある。(1)プログラムコントロール(2)インプットデータの入力方法(3)THYDE-P2計算の実行方法(4)計算結果の出力方法と(5)特に熱水力回路網モデルの性能を実証するサンプル問題。
朝日 義郎; 鈴木 優一*
Journal of Nuclear Science and Technology, 21(9), p.657 - 670, 1984/00
被引用回数：4 パーセンタイル：45.52(Nuclear Science & Technology)五つの保存方程式とドリフトフラックスモデルとにもとづいて、非平衝熱水力回路の新しいモデルを開発した。これはTHYDE-Pコードとして実用化されている。このモデルを用いると、従来の熱伝達係数を用いて、冷却材喪失事故の一貫計算を行なうことが可能である。冷却材喪失事故解析が、熱水力モデルをテストする最も厳しいものとみなすことができることを考慮に入れると、新モデルは冷却系の動特性に関するいろいろな問題に応用する可能性があると考えられる。
朝日 義郎; 鈴木 優一*
Journal of Nuclear Science and Technology, 21(10), p.753 - 763, 1984/00
被引用回数：4 パーセンタイル：45.52(Nuclear Science & Technology)新非平衡熱水力モデルに基づくTHYDE-Pコードを用いて、LOFT L2-3の一貫解析がなされている。この解析で用いられているいろいろな仮定と相関式とが説明されている。プール条件でのDNB(核沸騰からの離脱)とリウェッティングとクエンチングとを調べるために、いくつかの助変数が定義されている。ガス相と液相との相間熱伝達係数は核沸騰と同じ圧力依存性を有すると仮定されている。しかし、燃料内の蓄積エネルギーと温度分布の定常度とを考えることによって、プール条件下での熱伝達モード遷移をより理解するための研究が更に必要である。
鴻坂 厚夫; 秋元 正幸; 朝日 義郎; 阿部 清治; 村松 健; 新谷 文将; 佐藤 一男
JAERI 1283, 238 Pages, 1982/12
BWR、ECCS性能評価のため原研コードシステムの第1次版が完成した。このコードシステムは想定冷却材喪失事故の全過程を妥当な安全余裕を持って、ECCS、ECCSの性能評価を行うためのものであり、我国のECCS評価基準に従うものである。従ってこれらの計算コードは原子炉設計申請者の評価解析の方法や結果を検査するために使用することもできる。ここで報告されるBWRコードシステムは、分担の異なるいくつかのコードから成る。即ち種々の破断口に対するブローダウン解析用にALARM-B1、HYDY-B1、THYDEーB1があり、再冠水解析用にTHYDEーBREFFLOOD、ヒートアップ解析にはSCORCH-B2が用いられる。コードの内容とともに、実規模BWRについてのコードシステムの性能評価とシステム全体の妥当性についても報告する。
