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竹内 孝夫*; 木須 隆暢*; 小泉 徳潔
プラズマ・核融合学会誌, 83(1), p.44 - 49, 2007/01
核融合炉では高磁場中で数万アンペアの大電流導体が大量に必要となり、臨界電流密度が高く、コストを低減するために長尺性や量産性にも優れた超伝導線が必要とされる。これら超伝導導体の開発、及び技術的課題について解説する。また、大電流超伝導導体で観測される特有の不安定現象についても解説し、これの解決のために実施された研究成果についても紹介する。
石川 法人; 末吉 哲郎*; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 藤吉 孝則*; 宮原 邦幸*; 木須 隆暢*
Physica C, 357-360(Part.1), p.505 - 508, 2001/09
レーザーアブレーション法により作ったYBaCuO薄膜に、200MeV Auイオンを-45°の方向から照射し、傾いた柱状欠陥を試料中に導入した。照射前後に臨界電流密度の磁場角度依存性をその場測定し、さらにその磁場依存性を調べた。その結果、1~3Tの磁場領域においては磁束1本1本がそれぞれ柱状欠陥にピニングされるという描像よりむしろ磁束のbundleが柱状欠陥によってピニングされていると解釈した方がよいと結論づけることができる。
石川 法人; 末吉 哲郎*; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 藤吉 孝則*; 宮原 邦幸*; 木須 隆暢*
Physica B; Condensed Matter, 284-288(Part1), p.873 - 874, 2000/07
被引用回数:3 パーセンタイル:22.15(Physics, Condensed Matter)YBaCuOy薄膜に、200MeVのAuイオンを照射し、スプレー柱状欠陥を試料内に導入した。臨界電流密度の磁場角度依存性をその場測定した結果、磁場角度がc軸方向の位置に臨界電流密度のピークが1つ現れることを見いだした。
藤吉 孝則*; 末吉 哲郎*; 石川 法人; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 木須 隆暢*; 宮原 邦幸*
Advances in Superconductivity XI, 1, p.597 - 600, 1999/00
光照射、イオン照射したYBaCuO薄膜について電流-電圧特性を磁場中で測定した。その結果、動的臨界指数が光照射・イオン照射の後、大きく変化することがわかった。この結果についてピニング力分布を考慮することによってデピニングモデルに基づいて解析した。
末吉 哲郎*; 石川 法人; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 木須 隆暢*; 藤吉 孝則*; 宮原 邦幸*
Advances in Superconductivity XI, 1, p.593 - 596, 1999/00
YBaCuO薄膜に200MeVのAuイオンを照射し、電流-電圧特性を磁場中で測定した。その結果、磁束のグラス温度が増加し、動的臨界指数が増加した。その結果は通常のグラス理論やボーズグラス理論に合わない。照射後の特性をデピニングモデルに基づいて説明することができた。