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Thamizhavel, A.*; 杉谷 一朗*; 大開 美子*; 中島 美帆*; 奥田 悠介*; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 竹内 徹也*; 杉山 清寛*; 摂待 力生*; et al.
Physica B; Condensed Matter, 378-380, p.841 - 842, 2006/05
被引用回数:0 パーセンタイル:0.00(Physics, Condensed Matter)斜方晶CeNiGe単結晶育成をフラックス法により成功した。電気抵抗率,磁化率,比熱により、CeNiGe異方的な磁性を調べ、2つの相転移点があることを明らかにした。さらに、電気抵抗率及び帯磁率は強い異方性を示すことがわかった。電子比熱係数は、90mJ/Kmolであることを明らかにした。
杉谷 一朗*; 奥田 悠介*; 宍戸 寛明*; 山田 勉*; Thamizhavel, A.*; 山本 悦嗣; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 竹内 徹也*; 摂待 力生*; et al.
Journal of the Physical Society of Japan, 75(4), p.043703_1 - 043703_4, 2006/04
被引用回数:338 パーセンタイル:98.82(Physics, Multidisciplinary)CeIrSiは、空間反転対称性を持たない反強磁性体である。この物質の圧力誘起超伝導状態を発見したので報告する。圧力によって、常圧での反強磁性転移温度5Kは、単調に減少していき、約2.5GPaにおいて消失する。超伝導状態は、1.8GPa3.5GPaの広い範囲で観測され、転移温度と上部臨界磁場も比較的高い1.6Kと11.1Tである。このことは重い電子超伝導状態を示唆している。