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論文

C-axis critical current of a PrFeAsO$$_{0.7}$$ single crystal

柏谷 裕美*; 白井 一実*; 松本 哲郎*; 柴田 肇*; 神原 浩*; 石角 元志; 永崎 洋*; 伊豫 彰*; 社本 真一; 黒沢 格*; et al.

Applied Physics Letters, 96(20), p.202504_1 - 202504_3, 2010/05

https://doi.org/10.1063/1.3427464
 被引用回数：28 パーセンタイル：71.47(Physics, Applied)

高圧合成されたPrFeAsO$$_{0.7}$$単結晶のc軸伝導特性をs字型ジャンクションを用いて調べられた。50Kで観測された約120倍の抵抗の異方性は、電子状態の異方性の存在を示している。c軸方向の得られた臨界電流密度は、2.9$$times$$10$$^{5}$$A/cm$$^{2}$$であり、Bi$$_{2}$$Sr$$_{1.6}$$La$$_{0.4}$$CuO$$_{6+delta}$$の値よりも2ケタ高いものとなっている。

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