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杉山 僚; 桂山 政道*; 安斎 裕*; 坪井 泰住*
Journal of Alloys and Compounds, 408-412, p.780 - 783, 2006/02
被引用回数：24 パーセンタイル：75.32(Chemistry, Physical)垂直型ブリッジマン結晶育成法により、Ybイオンを5
64at.%ドープしたYLFフッ化物レーザー結晶を育成した。結晶原料のYbF
及びYFに含まれているYOFが白濁の原因となるため、PbF
を用いた育成前の原料処理によって解決した。吸収並びに発光測定における偏光特性に基づく結晶場解析により、Yb:YLF結晶の
F
及びF
準位内のマニホールドの7つのエネルギー準位を求めた。Yb:YLF結晶の持つ広くかつ複雑なスペクトルは、4f電子による電子遷移と結晶の格子振動との間の強いカップリングによって生じたものと結論できる。
Al
O
single crystals by double crucible method桂山 政道*; 安斎 裕*; 杉山 僚; 小池 雅人; 加藤 義章
Journal of Crystal Growth, 229(1-4), p.193 - 198, 2001/07
被引用回数：34 パーセンタイル：89.45(Crystallography)NdドープYAG結晶の育成における問題点は、Ndイオンの小さな偏析係数によって引起されるイオン濃度の変化が結晶の育成方向にあらわれることである。われわれは、この問題を解決するために、2重円筒構造のるつぼと原料の連続供給をリンクさせたチョクラルスキー法の開発を行っている。るつぼ内筒による熱の遮蔽効果を妨ぐために、るつぼ外側の断熱材構造を改良した結果、結晶育成部の温度勾配を80
/cmの最適値にすることが可能となった。この状態で得られる結晶長をこれまでの5cmから12cmと長くすることができた。育成後の結晶について、元素の定量分析及び光吸収量を測定した結果、ドープ濃度がほぼ均一な結果を得た。しかし、結晶中央部に散乱原因となる不純物やボイドが発生していた。この一因として、供給した原料が融ける際に生じる酸素が育成部に取り込まれることを現在、検討している。
杉山 僚; 福山 裕康*; 桂山 政道*; 安斎 裕*
電気学会光・量子デバイス研究会OQD-00-50, p.23 - 28, 2000/10
ペタワット級CPAレーザーには、従来になく大型かつ光学的品質の優れたNd:YAG及びチタンサファイア結晶が不可欠である。われわれは、これらの結晶を作成するために、2つの全く異なる方法について研究を行っている。第一の方法である2重るつぼ法により、全長185mmのNd:YAG結晶の育成に成功した。育成方向に現れるNdのドープ濃度変化量は、4%と、従来比の1/4の均一な結晶を得ることができた。また、第二の直接接合法により、石英ガラスや各種レーザー結晶の接合を行った。接合したチタンサファイア結晶について3種類の測定方法により評価した結果、接合部は光学的に良好であり、レーザー素子として使用できることを明らかにした。
杉山 僚; 安斎 裕*; 桂山 政道*; 山崎 貴史*; 山岸 喜代志*; 貴家 恒男; 有澤 孝; 宅間 宏*
JAERI-Tech 97-049, 50 Pages, 1997/10
テーブルトップサイズの極短パルスペタワット級超高出力レーザーは、光量子科学研究の推進に不可欠なレーザーシステムである。このレーザー光を高い効率で安定に発振させるためには、発振媒体のレーザー光学結晶が有する特性を最大限に利用することが必須である。このことから、我々は高品位レーザー結晶の育成法について三井金属鉱業と共同研究を行っている。本報告は、3つの異なる育成装置を用いて4つの光学結晶を試作したので、育成手法の改善、装置の動作特性について記す。
