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井岡 郁夫; 森 順二*; 加藤 千明; 二川 正敏; 小貫 薫
Journal of Materials Science Letters, 18(18), p.1497 - 1499, 1999/00
被引用回数:8 パーセンタイル:36.52(Materials Science, Multidisciplinary)シリコンを15wt%以上含む鉄合金の硫酸中での耐食性発現機構を調べるため、沸騰硫酸下で生成した鉄-シリコン合金の耐食皮膜の特性を調べた。電解鉄(3N)とシリコン(4N)粉末を真空アーク溶解してFe-20%Si試験片を作製した。腐食試験は、50%及び95%の沸騰硫酸に浸せきして行った。50%硫酸の皮膜表面は金属光沢を、95%硫酸では金属光沢のない黒褐色を示した。オージェ電子分光法により、皮膜の組成は50%硫酸ではSiとO、95%硫酸ではSi,O,Sからなることがわかった。皮膜の生成速度は、95%硫酸の方が50%硫酸より約30倍速かった。また、X線光電子分光法により50%硫酸の皮膜はSiOであり、95%硫酸の皮膜はSiOとSiOであることがわかった。95%硫酸の皮膜中のSは分子状のままで存在する硫酸分子のSへの還元反応により生成される。両者の皮膜生成速度の違いは皮膜自体の緻密さによるものと考えられる。
井岡 郁夫; 森 順二*; 加藤 千明; 二川 正敏; 小貫 薫
日本金属学会誌, 63(5), p.609 - 612, 1999/00
高シリコン鋳鉄は、硫酸中で良好な耐食性を示す。耐食性の発現機構を調べるため、沸騰硫酸下で生成したFe-Si合金の耐食皮膜の特性を調べた。試験片は、Fe-20%Si合金を用い、50%及び95%の沸騰硫酸に浸せきした。50%硫酸の皮膜表面は金属光沢を、95%硫酸では金属光沢のない黒褐色を示した。オージェ電子分光法により、皮膜の組成は50%硫酸ではSiとO、95%硫酸ではSi,O,Sから成ることがわかった。皮膜の生成速度は、95%硫酸の方が50%硫酸より一桁程度速かった。また、X線光電子分光法により50%硫酸の皮膜はSiOであり、95%硫酸の皮膜はSiOとSiOであることがわかった。95%硫酸の皮膜中のSは分子状のままで存在する硫酸分子のSへの還元反応により生成されたもの、被膜の生成速度の違いは被膜自体の緻密さによるものと考えられる。
金成 守康*; 阿部 哲也; 榎枝 幹男; 豊田 真彦*; 馬越 俊光*; 清水 克祐*; 森 順二*; 高津 英幸
JAERI-Research 98-029, 23 Pages, 1998/06
プラズマ溶射によってステンレス鋼基材上にNi-Cr中間層を介し形成されたアルミナ電気絶縁コーティング膜(アルミナ膜)の繰り返し衝撃荷重(638MPa)に対する電気絶縁耐久性(耐電圧1kV)を、アルミナ平端面の接触を伴う落錘試験を用いて評価した。繰り返し衝撃荷重に対するアルミナ膜の電気絶縁耐久性は、70,000回以上だった。絶縁破壊に至るまでのアルミナ膜の経時変化を調べるために、所定の回数だけ落錘試験を行った試料について、アルミナ膜表面及び断面のSEM観察を行った。その結果、アルミナ膜厚は、落錘試験開始時228mであったが、衝撃回数に比例して直線的に減少し、その速度は2.43nm/回だった。絶縁破壊時のアルミナ膜厚は落錘試験開始時の約21%であり(約50m)、その断面はアルミナ膜とNi-Cr中間層との混在相を示していた。
平岡 徹; 藤沢 登; 西尾 敏; 中村 博雄; 曽根 和穂; 前野 勝樹; 山本 新; 大塚 英男; 阿部 哲也; 深井 佑造*; et al.
JAERI-M 82-174, 309 Pages, 1982/11
IAEA、INTORワークショップ、フェーズ2Aにおける日本の検討成果をまとめた報告書の一部をなすものである。不純物制御の方式として、本フェーズにおいては、ポンプリミターを中心に検討を行った。ポンプリミターとしては、ダブルエッジ型、曲面板方式を採用した。表面材料および基盤材料について検討評価を行った。材料選定に際しては、スパッタリング、プラズマディスラプション時における挙動、熱特性、電磁気特性、基盤への接続方式などを総合的に評価した。また、新しく開発されたSiCの第1壁への応用も検討した。
田中 茂; 森田 洋昭*; 桜庭 順二*
Japanese Journal of Applied Physics, 19(9), p.1703 - 1710, 1980/00
被引用回数:10 パーセンタイル:48.16(Physics, Applied)水素ガス中でのホローカソード放電実験をした。内径1cm,長さ2cmのBa含浸型Wカソード又は、酸化物塗布Niカソードをホローカソードの電子エミッターとして使用した。ホローカソードを平板陽極と対向させて放電させたところ、1Torr・l/s以上のガス流量で、放電維持電圧は40~60V,放電電流は120A(電源容量により制限された)までであった。このホローカソードを10cmデュオピガトロン型水素イオン源のカソードとして使用した場合には、ガス流量とソース磁場電流に依存するが、80~120Vの放電電圧となった。このイオン源からビーム引出しを行ない、25keVの水素イオンビームが3A得られた。
松田 慎三郎; 荒川 義博; 堀池 寛; 伊藤 孝雄; 河合 視己人; 近藤 梅夫*; 森田 洋昭*; 小原 祥裕; 大賀 徳道; 奥村 義和; et al.
JAERI-M 7655, 311 Pages, 1978/05
この報告書はJT-60用中性粒子入射装置の概念設計の中間結果をまとめたものである。JT-60用NBI装置には、エネルギー75KeV前後で20MWに及ぶ中性水素原子ビームをプラズマ中に最大10秒間入射すること、同時にトーラスに流入する室温水素ガスの流入量を中性ビーム束の15%以下に抑えることが要求される。これらの要求と、当研究室で行なってきたイオン源とビームライン機器に関する試作開発の最近の結果に基いてJT-60NBI装置の概念設計が進められている。この装置のシステム規模を明らかにするとともに、残されている問題点を指摘した。