イオンビーム誘発UVB耐性変異体イネの解析

高野 成央*; 高橋 祐子*; 山本 充*; 寺西 美佳*; 横沢 大輔*; 長谷 純宏; 坂本 綾子; 田中 淳; 日出間 純*

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イネのUVB耐性獲得にかかわる主因子の1つは、UVBによって誘発されるシクロブタン型ピリミジン二量体(CPD)を修復するCPD光回復酵素であることを明らかにした。しかし、その他のUVB耐性因子は明らかになっていない。そこで新たなUVB耐性遺伝子資源の探索を目的に、UVB耐性を示すイネ・ササニシキにカーボンイオンビームを照射し、ササニシキよりもUVB耐性、又は感受性を示す変異体の選抜を行った。その結果、UVB感受性を示す変異体2系統,耐性を示す変異体3系統の選抜に成功した。われわれは、得られた系統の中でもUVB耐性を示すイネ変異体UVTSa-319に着目し、変異原因遺伝子の同定を目的に特徴解析を行った。親株のササニシキと比較してUVTSa-319は既知のUVB耐性因子であるUV吸収物質の蓄積量、CPD及び6-4光産物の光修復・暗修復活性に変異は認められなかった。また、ゲノムDNAを用いたアレイComparative Genomic Hybridization(CGH)により変異・欠損領域の推定を行ったところ、第7染色体上に約40kbpの欠失があり、その領域に機能未知の2つの遺伝子が含まれていた。本大会では、新規なUVB耐性遺伝子の可能性に関して考察する。