検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 4 件中 1件目~4件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Defects in ion-implanted 3C-SiC probed by a monoenergetic positron beam

上殿 明良*; 伊藤 久義; 大島 武; 青木 康; 吉川 正人; 梨山 勇; 奥村 元*; 吉田 貞史*; 守屋 剛*; 河野 孝央*; et al.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 35(12A), p.5986 - 5990, 1996/12

200keVでチッ素N$$_{2+}$$又はアルミニウムAl$$^{+}$$を注入した3C-SiCの空孔型欠陥に関して陽電子消滅法を用いて調べた。陽電子のエネルギー(入射)とSパラメータ関係より欠陥サイズの試料中での深さ方向の情報を得た。測定の結果、注入温度が高いほど空孔型欠陥のサイズが大きくなることが分かった。また、注入後の熱アニールの効果については、室温注入した試料は、熱アニール(1400$$^{circ}$$C)を行うと、さらにサイズの大きな空孔型欠陥が生じるが、800$$^{circ}$$C注入+熱アニール(1400$$^{circ}$$C)はそれほど空孔のサイズは大きくならずにいることが分かった。これらの結果は、注入温度が高温ほど、注入中に生じた単一空孔が移動し、複空孔や空孔クラスターを形成すること及び、注入時のダメージが大きい、室温注入では熱アニールによって空孔が動き、大きな空孔クラスターを形成することを示唆している。

論文

Positron trapping by defects in vitreous silica at low temperature

上殿 明良*; 河野 孝央*; 谷川 庄一郎*; 浦野 章*; 京藤 倫久*; 伊藤 久義

Journal of Physics; Condensed Matter, 7, p.5139 - 5149, 1995/00

 被引用回数:10 パーセンタイル:55.1(Physics, Condensed Matter)

シリカガラスにおける陽電子の消滅挙動を20Kから室温の温度領域で調べた。測定温度領域においては、ほとんどすべての陽電子はオープンスペース型欠陥に捕獲され、ポジトロニウムを形成して消滅することが解った。オルソポジトロニウムの寿命については温度上昇と共に長くなり、20Kにおける寿命分布は室温と比較し狭くなる結果が得られた。これは、オープンスペース型欠陥の体積の熱膨張と体積分布のばらつきの増加に原因すると考えられる。また、170Kから200Kの温度範囲でオープンスペース型欠陥の構造変化が見い出され、この構造変化が起こる温度は電子線照射や水酸基の存在によって降下することが解った。これらの結果は、構造変化に関わる活性化エネルギーが欠陥の導入により低下することに起因すると結論される。

論文

Oxygen microclusters in Czochralski-grown Si probed by positron annihilation

上殿 明良*; 河野 孝央*; L.Wei*; 谷川 庄一郎*; 碇 敦*; 川上 和人*; 伊藤 久義

Japanese Journal of Applied Physics, 33(8B), p.L1131 - L1134, 1994/08

 被引用回数:2 パーセンタイル:17.88(Physics, Applied)

引き上げ法(CZ法)により作製したSi単結晶中の酸素原子の凝集(クラスタリング)挙動を陽電子消滅法を用いて調べた。450$$^{circ}$$Cから1000$$^{circ}$$Cの温度範囲で熱処理を加えたSi試料の陽電子寿命測定を行った結果、熱処理温度を増加させると陽電子寿命が減少することが解った。これは、陽電子を捕獲する酸素クラスターが熱処理により形成されることで説明できる。また、CZ-Si結晶に3MeV電子線照射により空孔-酸素複合体を導入し、等時アニールによる陽電子捕獲速度の変化を調べた。この結果、単一空孔と酸素の複合体VOnの濃度が700$$^{circ}$$C以上の高温アニールで増加することが解った。これに対し、赤外吸収測定からはVO濃度はアニールにより増加しないことが示された。従って、得られた結果は、酸素クラスタリングに伴うVOn(n:2以上)が700$$^{circ}$$C以上の熱処理により生成されることを示している。

論文

Defects in electron irradiated vitreous SiO$$_{2}$$ probed by positron annihilation

上殿 明良*; 河野 孝央*; 谷川 庄一郎*; 伊藤 久義

Journal of Physics; Condensed Matter, 6, p.8669 - 8677, 1994/00

 被引用回数:26 パーセンタイル:81.2(Physics, Condensed Matter)

3MeV電子線を照射した石英ガラス中の欠陥を陽電子消滅法を用いて調べた。未照射試料では、マイクロボイドや細孔の様なオープンスペース型欠陥に捕獲された陽電子は主にポジトロニウムを形成後消滅することが解った。また陽電子がポジトロニウムを形成する確率は、電子線照射により低下することが見い出された。このポジトロニウム形成確率の減少は、照射により導入あるいは励起された点欠陥により陽電子が捕捉されることに起因すると考えられる。さらに、ポジトロニウム形成に関連し、形成確率の減少とガラス中の水酸基濃度間には強い相関があることが示された。また、陽電子寿命計測から、電子線照射によりガラス中のオープンスペース型欠陥の有効サイズが減少することが解った。

4 件中 1件目~4件目を表示
  • 1