検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 6 件中 1件目~6件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

An Automated single ion hit at JAERI heavy ion microbeam to observe individual radiation damage

神谷 富裕; 酒井 卓郎; 内藤 豊*; 浜野 毅*; 平尾 敏雄

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 158(1-4), p.255 - 259, 1999/00

 被引用回数:6 パーセンタイル:46.78(Instruments & Instrumentation)

原研高崎重イオンマイクロビーム装置において、マイクロビーム走査、試料描画及びシングルイオンヒットシステムが組み合わされて自動ビーム照準シングルイオン照射システムが製作された。これを用いてあらかじめ設定された任意のヒットパターンで短時間にかつ自動的に試料へのシングルイオン照射が可能である。この技術は、シングルイベント過渡電流測定等により、1つ1つのイオンの入射に伴う個々の照射損傷を評価するために確立されたものである。今回の実験では、固体飛跡検出器CR-39を用いて、シングルイオンヒットパターンと照射位置精度の評価を行った。また、粒子検出器としてのSi PINフォトダイオードへの同一ヒットポイントへのくりかえしシングルイオン照射によって、個別の損傷の蓄積効果を観察した。

論文

Studies of charge collection mechanisms in SOI devices using a heavy-ion microbeam

平尾 敏雄; 浜野 毅*; 酒井 卓郎; 梨山 勇

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 158(1-4), p.260 - 263, 1999/00

 被引用回数:9 パーセンタイル:57.23(Instruments & Instrumentation)

従来よりSOI素子構造は、上層シリコン層が薄いためにイオンの入射によって発生する電荷の収集が少ないなどの理由によりシングルシベント耐性に強く耐シングルイベント素子として注目されている。本内容は炭素と酸素の重イオンマイクロビームを、トップシリコン層が5.7$$mu$$mのSOI試料に入射して収集電荷を求めた。その結果SOI構造を持つ試料では、イオンの飛程がトップシリコン層以上であっても収集される電荷は、トップシリコン層の幅に依存するとの結果が得られた。このことは、トップシリコン層の幅を制御することでシングルイベント効果を低減できるとの見通しを立てることができた。本講演ではこれらの実験結果と高帯域測定手法について報告を行う。

論文

Development of a fast multi-parameter data acquisition system for microbeam analyses

酒井 卓郎; 浜野 毅*; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 室園 廣介*; 井上 淳一*; 松山 成男*; 岩崎 信*; 石井 慶造*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 136-138, p.390 - 394, 1998/00

 被引用回数:18 パーセンタイル:79.15(Instruments & Instrumentation)

市販のパーソナルコンピューター(PC)とADコンバーター(ADC)を用いた、多ch同時検出システムの開発を行った。このシステムは高速データ取り込みとオンラインでのデータ処理を行うため、最新のCPUと大容量のメモリ(128MBy tes)が搭載されている。このシステムを原研高崎に設置されている、軽・重イオンマイクロビーム形成装置に適用することにより、PIXEやRBSによる微細領域における2次元元素分析や、半導体素子中に重イオン照射により生成される電荷収集の分布を2次元(IBIC)で観測することが可能になった。

論文

Development of noise-suppressed detector for single ion hit system

酒井 卓郎; 浜野 毅*; 須田 保*; 平尾 敏雄; 神谷 富裕

JAERI-Conf 97-003, 00(00), p.451 - 453, 1997/00

重イオンマイクロビーム装置において、試料の任意の位置に、イオンを1個1個入射することができるシングルイオンヒットシステムの開発を行っているが、このための検出器には、シングルイオンの検出効率が高く、誤計数を防ぐため、低ノイズであることが要請される。このための検出器として、一対のマイクロチャンネルプレート(MCP)と炭素薄膜を組み合わせた検出器を開発した。これは、イオンが炭素薄膜を通過する際と試料に入射したときに発生する2次電子をそれぞれのMCPで検出して、この信号を高速同時計数回路により処理し、ノイズや暗電流による誤計数を防ぐ機構になっている。この検出器の検出効率は15MeV Siイオンで半導体検出器に対して、100%以上の効率があることが確認でき、ノイズも一組のMCPに比較して3桁以上低減することができた。

論文

Accuracy of beam positioning in TIARA

神谷 富裕; 酒井 卓郎; 浜野 毅*; 須田 保*; 平尾 敏雄

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 130(1-4), p.285 - 288, 1997/00

 被引用回数:12 パーセンタイル:67.93(Instruments & Instrumentation)

原研高崎のTIARAでは、マイクロビーム形成・照射技術の開発を行っている。ビーム形成では、軽イオンで0.3mm以下、重イオンで1$$mu$$m以下を達成している。マイクロビームの試料への照射は、コンピューター制御の静電型走査方式で行われる。このシステムを評価するため、固体飛後検出器であるCR-39にマイクロビームを照射し、エッチング後の照射痕を顕微鏡で観察し、その精度の評価を行った。また、この照射技術を用いて、CR-39上に文字を描いた結果について報告した。

論文

Recent progress in JAERI single ion hit system

酒井 卓郎; 浜野 毅*; 須田 保*; 平尾 敏雄; 神谷 富裕

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 130(1-4), p.498 - 502, 1997/00

 被引用回数:15 パーセンタイル:74.12(Instruments & Instrumentation)

宇宙空間で半導体素子に生ずる、シングルイベント効果等の単一重イオンにより発生する現象を解析するためには、1$$mu$$m以下の空間分解能で試料の任意の位置にシングルイオンを入射することができる技術を開発する必要がある。これを行うため、重イオンマイクロビームのパルス化を行い、このパルス幅で検出系にゲートをかけて、ノイズの低減を行い、シングルイオンの試料への入射の検知、制御を行う技術を開発した。このシングルイオンヒット技術の精度を固体飛跡検出器で調べた結果と、望遠顕微鏡でシングルイオンを試料上に照準する技術の開発状況について述べた。

6 件中 1件目~6件目を表示
  • 1