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西尾 勝久; 池添 博; Hofmann, S.*; Ackermann, D.*; 有友 嘉浩*; Comas, V. F.*; D
llmann, Ch. E.*; Heinz, S.*; Heredia, J. A.*; He
berger, F. P.*; et al.
AIP Conference Proceedings 1524, p.68 - 72, 2013/04
被引用回数：0 パーセンタイル：0.04(Physics, Nuclear)Fission fragment mass and kinetic energies distributions were measured in the heavy-ion induced reactions using 
U target nucleus at the energies around the Coulomb barrier. We observed strong variation of the fragment mass distribution with incident energy, which was explained by an energy dependence of the probabilities for fusion and quasifission. A calculation based on a fluctuation-dissipation model was carried out to determine the fusion probability in the reactions of 
Si+U and 
S+U. The fusion probabilities were consistent with those determied from the evaporation residue cross sections for both reactions, showing that in-beam fission measurement and analysis can give a reasonable estimation for the cross sections to produce super-heavy nuclei. We also discss the results for in-beam fission measurement of 
Ca+U.
登倉 明雄*; 前田 文彦*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; 高木 大輔*; 本間 芳和*; 渡辺 義夫*; 小林 慶裕*
Carbon, 46(14), p.1903 - 1908, 2008/11
被引用回数：18 パーセンタイル：50.1(Chemistry, Physical)その場放射光内殻光電子分光とラマン分光を用いて、垂直に揃ったカーボンナノチューブの原子状水素吸着が研究された。C1s内殻光電子スペクトルから単層カーボンナノチューブの炭素原子のCH結合に由来する成分を同定した。さらに、
プラズモン励起が抑制されることも見いだした。これは水素吸着が結合を改質することを示唆している。単層カーボンナノチューブのラマンスペクトルからは、ラジカル呼吸モードの強度が水素吸着誘起結合改質によって減少することがわかった。さらに、小さな直径の単層カーボンナノチューブの方がその減少がより大きい。これらの結果から、水素吸着はsp
からsp
への結合改変をもたらし、また、それは単層カーボンナノチューブの直径に依存することがわかった。
加藤 義夫; 渡辺 勝利; 近藤 達男
Journal of Nuclear Materials, 191-194, p.1428 - 1431, 1992/00
被引用回数：3 パーセンタイル：35.32(Materials Science, Multidisciplinary)現在検討を進めているESNITのターゲット・リチウム循環系予備概念設計の内容について報告する。本稿で検討した項目は、(1)ターゲットLi流の熱流体特性解析とそれに適合したターゲット部構造設計、(2)液体金属Li中に生成される反応生成物の除去、に関するものである。(1)に対してはLiのスーパーヒートを加味した沸騰生起の評価が、また(2)に対してはコールドトラップとホットトラップの併用方式に関する性能評価が必要であり、これらのための実験項目もまとめた。
野田 健治; 杉本 昌義; 加藤 義夫; 松尾 秀人; 渡辺 勝利; 菊池 輝男; 薄井 洸; 大山 幸夫; 大野 英雄; 近藤 達男
Journal of Nuclear Materials, 191-194, p.1367 - 1371, 1992/00
被引用回数：9 パーセンタイル：65.13(Materials Science, Multidisciplinary)重陽子加速器をベースとするエネルギー選択型中性子照射実験装置(ESNIT)は高中性子エネルギー・高中性子束の照射場での材料試験が可能な施設であり、しかもこの中性子源がつくる照射場における中性子エネルギースペクトルが約5~15MeVの間でピーク性とピークエネルギーの選択性とを有している。このエネルギー領域の中性子による材料重照射試験が核融合炉材料開発にとって必須の手段として期待され、現在の要素技術検討が進められている。本稿ではESNITを用いる核融合炉材料研究とその特徴、ESNITの技術的検討の現状についてのべる。
野田 健治; 松尾 秀人; 渡辺 勝利; 杉本 昌義; 加藤 義夫; 酒井 陽之; 菊池 輝男; 大山 幸夫; 大野 英雄; 近藤 達男
Journal of Nuclear Materials, 179-181, p.1147 - 1150, 1991/00
被引用回数：9 パーセンタイル：69.46(Materials Science, Multidisciplinary)D-Liストリッピング反応を利用したエネルギー選択型中性子源(ESNIT)とモジュール型照射後試験施設(MODULAB)を中心とした新しい原子力材料研究施設構想についてまとめたものである。本論文では主に下記の点について述べる。1.材料照射研究のための中性子源の要件,2.ESNITを用いた研究項目,3.ESNITによる核融合炉材料研究,4.スポレーション中性子源とESNITの比較,5.高エネルギー中性子(14MeV以上)が与える材料照射損傷への効果
弘田 実彌; 飯島 勉; 溝尾 宣辰; 渡辺 秀明; 小川 弘伸; 藤崎 伸吾; 山岸 耕二郎; 草野 譲一; 大沢 誠; 富田 悟; et al.
JAERI-M 9059, 32 Pages, 1980/09
FCAでは高速原研炉「もんじゅ」の模擬実験が進行中である。最初の物理的なモックアップであるVI-1集合体は「もんじゅ」の外側炉心の組成を模擬した試験領域を
Uのドライバーでとりかこんだゾーン型である。非均質臨界量、バンチング効果、中心における核分裂比および核分裂率の半径方向分布について研究が行われた。現在までに得られた解析結果に関するかぎり、実験値と計算値は、ブランケットにおける核分裂率分布の問題を除いて満足すべき一致を示している。
登倉 明雄*; 前田 文彦*; 高木 大輔*; 本間 芳和*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 渡辺 義夫*; 小林 慶裕*
no journal, ,
われわれはカーボンナノチューブ(CNT)の化学的表面修飾の観点で水素化処理に注目している。細いCNTが大きな曲率に起因する歪みによって化学的に活性となると、選択的表面修飾による電子物性制御が期待される。そこで、実際に表面水素化反応に径依存性があるのか検証する目的で単層ナノチューブ(SWNT)と多層ナノチューブ(MWNT)の垂直配向膜を試料として、活性化した水素を照射したCNTの表面化学状態を、SPring-8のBL23SUにおいて表面敏感で化学的な反応を解析できる軟X線放射光を用いた光電子分光により分析した。細く曲率の大きいCNTほど表面の反応性が高いことを示唆する結果を得た。
登倉 明雄*; 前田 文彦*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; 高木 大輔*; 本間 芳和*; 渡辺 義夫*; 小林 慶裕*
no journal, ,
垂直配向SWNTを用いて原子状水素照射実験を行った。水素吸着の影響は内殻準位光電子分光とRaman散乱分光を用いて評価した。光電子分光では、C1sピークの半値幅の増加が観察された。ピーク分離による解析結果は、水素化を強く示唆している。プラズモンロスピークの変化に着目した解析では、吸着による構造変化を示唆するプラズモンの抑制が観察された。Raman散乱分光の結果は、照射の影響として細い直径のSWNTからの優先的な半径方向ブレスモード(RBM)信号の減少とGバンド/Dバンド比(GD比)の悪化を示した。これらの結果は、細いSWNTに水素化が起こりやすいという直径依存性を示唆している。
藤川 誠司; 川村 朋晃*; Bhunia, S.*; 渡辺 義夫*
no journal, ,
近年、気相成長中において成長機構の解明に成果を上げている光学的手法や、従来からMBEの成長表面の観察に適用されている電子線を用いた手法、走査型トンネル顕微鏡では、有機金属気相化学成長(MOCVD)中において、原子レベルでの成長メカニズムの解析や適用は困難である。そこで、高透過率、原子サイズオーダーの波長を有するX線を用いた手法でMOCVDにおけるホモエピタキシャル成長InP(001)表面の観察を行った。まず、X線反射率強度の振る舞いによって基板温度が550
C以上でステップフロー成長が支配的であることを確認した。われわれはこれまでに微小角入射X線回折(GIXD)を用いて、MOCVD成長雰囲気中燐リッチInP(001)表面において燐ダイマーで構成された(2
1)構造が支配的であることを明らかにした。そこで、GIXDを用いて、表面構造の変化に敏感な分数次反射の強度変化を成長中において実時間測定を行った結果、成長終了後に強度の回復が1分以上かかった。これは、成長後も供給されたIn原子が1分以上表面をマイグレーションしていることを示唆する。
