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佐藤 祐輔*; 深谷 有喜; Cameau, M.*; Kundu, A. K.*; 志賀 大亮*; 湯川 龍*; 堀場 弘司*; Chen, C.-H.*; Huang, A.*; Jeng, H.-T.*; et al.
Physical Review Materials (Internet), 4(6), p.064005_1 - 064005_6, 2020/06
被引用回数:6 パーセンタイル:31.09(Materials Science, Multidisciplinary)本研究では、放射光角度分解光電子分光を用いて、Al(111)表面上の33周期を持つSi層の電子バンド構造を解明した。実験では、線形のエネルギー分散に起因する閉じたフェルミ面を観測した。ハニカム状のシリセンをモデル構造とした第一原理計算の結果、これは基板との混成状態を起源としたディラックコーン様の金属バンドと考えられる。Al(111)表面上のSi層は、基板との相互作用によりディラック電子を発現し、いわゆるXeneと呼ばれる2次元物質群のモデルシステムになりうることを示唆する。
深谷 有喜; 松田 巌*; 湯川 龍*; 河裾 厚男
Surface Science, 606(23-24), p.1918 - 1921, 2012/12
被引用回数:3 パーセンタイル:14.91(Chemistry, Physical)反射高速陽電子回折を用いて、Si(111)--(Ag,Cs)表面超構造の原子配置を調べた。動力学的回折理論に基づくロッキング曲線の解析から、Cs原子は、下地の-Ag構造から3.04Aの高さに位置し、一辺10.12Aの三角形構造を形成していることを明らかにした。このCs原子の吸着位置は、貴金属吸着により発現するSi(111)--AgやSi(111)--(Ag,Au)表面とは大きく異なっており、アルカリ金属と貴金属の電子構造の違いにより、この差が生じたと考えられる。