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梨山 勇; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 西島 俊二*; 関口 弘喜*
IEEE Transactions on Nuclear Science, 40(6), p.1935 - 1940, 1993/12
被引用回数：75 パーセンタイル：97.93(Engineering, Electrical & Electronic)重イオンマイクロビームを用いて、半導体素子のシングルイベント効果に関する基礎研究を行った。シリコンPN接合に6MeVHe
,15MeVC,O,Si,Feイオンを照射し、接合に誘起される極めて速い過渡電流の波形を測定することができた。これから、接合における収集電荷量を評価し、理論値と比較した結果、明瞭なファネリング効果が生じていることが判明した。また、発生過渡電流のピーク巾は高LETイオンほど増大し、電子-正孔対の拡散による寄与も無視できない事がわかった。この実験で得られたデータを詳細なシミュレーションモデルを用いた計算結果と比較し、モデルの妥当性を検討した。
神谷 富裕; 湯藤 秀典; 田中 隆一
第5回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集, p.116 - 119, 1992/07
宇宙用半導体素子のシングルイベント効果の機構解明及びヒット部位依存性評価のため製作された重イオンマイクロビーム装置は、マイクロビーム集束、ビーム照準及びシングルイオンヒットが可能なように設計されている。本装置の制御は、精密レンズ、ビームシフター、ファラデーカップ及びスリット等のビームライン機器の制御と、ビームスキャナー、2次電子検出器及びターゲットステージ等のターゲットシステムの制御に分けられ、それぞれ計算機を介して遠隔で行われる。このシステムを用いてビームサイズ計測やビーム照準が行われ、これまでに15MeVのNi
ビームで0.7
1.1
m
のスポットサイズが確認された。なお、シングルイオン検出器のオフラインでの調整が現在進められており、今後ターゲットシステムに組み込まれる予定である。
神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 田中 隆一
第3回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム, p.453 - 456, 1992/00
宇宙用半導体素子におけるシングルイベント効果の基礎的な機構を解明するための重イオンマイクロビーム装置が開発された。本装置は高エネルギーの多種のイオンと1m以下に集束し、試料に1m程度の位置精度でビーム照準を行い、そこに単一イオンを打込むシングルイオンヒットを可能とするよう設計された。我々すでに15MeVNiイオンビームで1nのビームサイズを達成しており、現在ビーム照準とシングルイオンヒットの技術開発を進めている。
神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 田中 隆一
Proc. of the lst Meeting on the Ion Engineering Society of Japan, p.105 - 110, 1992/00
原研高崎の3MVタンデム加速器のビームラインに設置された重イオンマイクロビーム装置において0.851.2mのビームスポットサイズが達成された。本装置は、2連四重極レンズを用いて重イオンビームを集束し、ターゲットの任意の微視的領域にマイクロビームを照準できるように設計されている。さらに、宇宙船において使用される半導体デバイスのシングルイベント効果の基礎的な機構を解明するために、目的の位置にイオンを1つ1つヒットさせるシングルイオンヒットシステムが組込まれる。
神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 田中 隆一
Proceedings of the International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application, p.112 - 117, 1992/00
宇宙空間で使用される半導体素子のシングルイベント効果の基礎的な機構を解明するために、原研3MVタンデム加速器のビームライン上に重イオンマイクロビーム装置が設置された。本装置は、2連四重極レンズを用いてNi15MeVのような高エネルギー重イオンを集束し、スキャナーによって高精度に位置制御されたターゲットステージにセットされた試料にマイクロビームをスキャンするように設計されている。これによって我々は1m以下のビームスポットサイズと、試料におけるビームのヒット位置精度を1m以下にすることを目指している。さらに、イオンを1個1個制御して試料とヒットさせるために、シングルイオン検出系と高速ビームスイッチの組合せによるシングルイオンヒットシステムの開発を行っている。
