JAEA
  • help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
検索結果：　9 件中 1件目～9件目を表示
  • 1

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

極限EOT実現に向けた極薄AlO$$_{x}$$層によるHigh-$$k$$/Geゲートスタック界面制御

田中 亮平*; 秀島 伊織*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

第19回ゲートスタック研究会予稿集, p.5 - 8, 2014/01

It has recently been demonstrated an excellent Ge-MOSFET operation with an EOT of 0.76 nm using HfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Ge gate stack. However, the role of Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ layer in high-$$k$$/Ge stack is not well understood. In this work, we systematically investigated an effect of AlO$$_{x}$$ interlayer on thermal stability and EOT scaling focusing on the Ge diffusion into an overlying HfO$$_{2}$$ layer by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and electrical characterization. It was found that ultrathin AlO$$_{x}$$ interlayer effectively suppresses the metal germanate formation in the high-$$k$$/Ge stack, thus obtaining good electrical properties. An EOT of 0.56 nm with significantly reduced gate leakage was successfully obtained for Pt/HfO$$_{2}$$/AlO$$_{x}$$/GeO$$_{x}$$/Ge gate stack.

論文

Ge diffusion and bonding state change in metal/high-$$k$$/Ge gate stacks and its impact on electrical properties

細井 卓治*; 秀島 伊織*; 田中 亮平*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*

Microelectronic Engineering, 109, p.137 - 141, 2013/09

https://doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.115
 被引用回数：12 パーセンタイル：54.28(Engineering, Electrical & Electronic)

Ge diffusion and chemical bonding states in metal/high-$$k$$/Ge gate stacks were investigated by synchrotron photoemission spectroscopy to understand their impact on electrical properties. Although Hf germanide was found in HfO$$_{2}$$/GeO$$_{x}$$/Ge gate stacks, such germanide could be fully oxidized by using plasma-assisted oxidation. However, Al electrode on HfO$$_{2}$$/GeO$$_{x}$$/Ge stacks reduced interfacial GeO$$_{x}$$ layer, resulting in the formation of Al germanide at the Al/HfO$$_{2}$$ interface. No germanide was formed in the stacks with inert Pt electrode, suggesting the Al layer may promote upward diffusion of GeO molecules through the HfO$$_{2}$$ layer. Hf germanide was formed near the HfO$$_{2}$$/GeO$$_{x}$$ interface probably due to Ge intermixing with the HfO$$_{2}$$ layer in the Pt-gate stacks, in contrast to the enhanced formation of Al germanide in Al-gate stacks. The formation of metal germanide led to severe degradation of insulating properties in metal/high-$$k$$/Ge stacks.

論文

Metal/High-$$k$$/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響

細井 卓治*; 秀島 伊織*; 箕浦 佑也*; 田中 亮平*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*

信学技報, 113(87), p.19 - 23, 2013/06

高性能Geデバイスの実現には、1nm以下のSiO$$_{2}$$換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness: EOT)と良好な界面特性を両立するmetal/high-$$k$$ゲートスタック技術の確立が不可欠である。high-$$k$$/Geゲートスタックの特性劣化の要因として、high-$$k$$膜形成や熱処理工程におけるGeO$$_{x}$$界面層の意図しない形成や分解、Ge原子のhigh-$$k$$膜中への拡散が指摘されているが、その詳細はわかっていない。そこで本研究では、真空中で連続して作製したmetal/HfO$$_{2}$$/GeO$$_{x}$$/Geスタックの熱的構造変化を光電子分光法によりその場分析することで、ジャーマナイド形成やGeO$$_{x}$$層の還元反応を詳細に評価するとともに、電気特性との相関を調べた。室温であってもGe基板上の金属HfはHfジャーマナイドを形成し、HfO$$_{2}$$膜上へのAl堆積はGeO$$_{x}$$界面層を還元してAlジャーマナイドを形成することがわかった。優れた電気特性の実現にはこれらのジャーマナイド形成を回避することが重要であり、そのためにはHfO$$_{2}$$膜形成には酸化力の強いプラズマ酸化を行い、ゲート電極には反応性の低い金属を用いることが有効である。

論文

Screening of higher astaxanthin producing mutants of a green unicellular alga ${it Haematococcus pluvialis}$ by ion beam irradiation

柿薗 俊英*; 杉浦 俊浩*; 吉原 亮平; 長谷 純宏; 鳴海 一成; 田中 淳

JAEA-Review 2007-060, JAEA Takasaki Annual Report 2006, P. 91, 2008/03

https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAEA-Review-2007-060.pdf

高抗酸化力を有するアスタキサンチンは、ほとんどの甲殻類,サーモンの肉色,タイの体表皮など海洋生物に広く分布するケトカロテノイドである。微細緑藻${it H. pluvialis}$の栄養細胞のカロテノイド色素は少量であるが、栄養条件の悪化とともにシスト細胞へ形態変化し、アスタキサンチンを細胞重量比で2から3パーセントの著量に生成する。本研究では、イオンビーム変異導入法により、緑藻ゲノムに染色体レベルの分断と再編成をもたらすことによって、従属栄養条件で旺盛に増殖し、アスタキサンチンを高生産する変異体を分離することを目的とした。本年度は、栄養細胞及びシスト細胞を照射試料として、イオンビームの適正線量を、変異致死率を指標として検討した。

論文

Measurement of the spin and magnetic moment of $$^{23}$$Al

小澤 顕*; 松多 健策*; 長友 傑*; 三原 基嗣*; 山田 一成*; 山口 貴之*; 大坪 隆*; 百田 佐多夫*; 泉川 卓司*; 炭竃 聡之*; et al.

Physical Review C, 74(2), p.021301_1 - 021301_4, 2006/08

https://doi.org/10.1103/PhysRevC.74.021301
 被引用回数：43 パーセンタイル：89.22(Physics, Nuclear)

理化学研究所のリングサイクロトロンで、陽子過剰核$$^{23}$$Alの${it g}$因子を初めて測定した。実験的に測定された${it g}$因子の絶対値は、1.557$$pm$$0.088と決められた。この原子核は、鏡像核$$^{23}$$Neのエネルギー準位から見ると、基底状態は1/2$$^{+}$$もしくは5/2$$^{+}$$と考えられる。決められた${it g}$因子と殻模型計算による${it g}$因子との比較から1/2$$^{+}$$は明らかに否定されるため、基底状態のスピンは5/2$$^{+}$$と与えられた。これまで、$$^{23}$$Alは陽子ハロー構造のため、1/2$$^{+}$$状態が基底状態になる可能性が議論されてきたが、この実験により少なくとも基底状態にハロー構造が存在しないことがはっきりした。また、$$^{23}$$Neの磁気モーメントの実験値から、$$^{23}$$Alの基底状態におけるアイソスカラー固有スピンの期待値が求められるが、その値は$$^9$$Cのように異常な値を示さず、正常であることがわかった。

口頭

MBD法により作製したMetal/High-k/GeO$$_{2}$$/Geスタックの熱処理による構造変化

秀島 伊織*; 田中 亮平*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

no journal, , 

本研究ではAl/HfO$$_{2}$$/GeO$$_{2}$$/Ge構造を作製し、熱処理による構造変化を放射光光電子分光法によりその場分析した。熱処理前にGe3sスペクトルおいて基板のGeよりも低結合エネルギーにAl-Ge結合に帰属すると考えられる成分を見いだした。Ge3sスペクトルのGe酸化物成分及びAl-Ge成分の熱処理温度依存性の結果から、300$$^{circ}$$C以上の熱処理でAl電極中へGeO分子が拡散し、Al-Ge結合が増大すると解釈した。

口頭

極薄AlO$$_{x}$$層によるHigh-$$k$$/Ge界面反応抑制とEOT=0.56nmの実現

田中 亮平*; 秀島 伊織*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

no journal, , 

本研究ではGe系電子デバイスの電界効果トランジスタにおけるHigh-$$k$$/Ge界面反応の抑制を目的として、極薄Al$$_{2}$$O$$_{3}$$膜を挿入したHfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Geスタックを作製し、放射光光電子分光法による構造評価並びに電気特性評価を行った。比較として、1nmの金属Hf膜をGe基板上に直接堆積後、300$$^{circ}$$Cでプラズマ酸化を施したPt/HfO$$_{2}$$/GeO$$_{x}$$/Geスタックも作製した。AlO$$_{x}$$界面層を挿入することで、界面GeO$$_{x}$$層の薄層化に加え、Hf-Ge結合の形成が顕著に抑制された。また、Pt/HfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Ge構造では、周波数依存性のほとんどない良好なC-V曲線が得られ、0.56nmの極薄EOTを実現した。極薄AlO$$_{x}$$界面層はHf-Ge結合の形成を効果的に抑制し、High-$$k$$/Geスタックの電気特性向上に有用であると結論した。

口頭

High-k/Ge gate stack with an EOT of 0.56 nm by controlling interface reaction using ultrathin AlO$$_{x}$$ interlayer

細井 卓治*; 秀島 伊織*; 田中 亮平*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*

no journal, , 

Metal/high-k gate stacks on Ge channel with less than 0.7 nm EOT must be developed to realize 15-nm-node CMOS devices. Recently, a Ge-MOSFET operation with 0.7 nm EOT has been demonstrated using a HfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Ge gate stack formed by plasma oxidation through the HfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ stack. The plasma oxidation of HfO$$_{2}$$/Ge resulted in the relatively degraded insulating and interface properties. This suggests that underlying Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ layer is beneficial in improving the high-k and GeO$$_{x}$$ interlayers. However, the role of Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ layer in HfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Ge stack is not well understood. We systematically investigated an effect of AlO$$_{x}$$ interlayer on EOT scaling focusing on the Ge diffusion into the HfO$$_{2}$$ layer by synchrotron radiation photoemission spectroscopy and electrical characterization. We achieved 0.56 nm EOT with 5 orders of magnitude lower leakage current compared to the poly-Si/Si stack.

口頭

High-k/Geゲートスタック界面特性向上に向けたゲート電極形成後熱処理条件の検討

田中 亮平*; 秀島 伊織*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

no journal, , 

近年、Al$$_{2}$$O$$_{3}$$層を挿入したHfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Ge構造がEOT: 0.76nmで優れた動作を示す一方で、HfO$$_{x}$$/Ge構造では絶縁および界面特性の顕著な劣化が見られたことから、Al$$_{2}$$O$$_{3}$$層挿入によるHfO$$_{2}$$膜およびGeO$$_{x}$$膜の特性向上が見込める。本研究ではp型Ge(100)基板上にAl$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Ge構造を形成し、さらに室温で電子ビーム蒸着よりHfO$$_{x}$$を1nm堆積した。その後、室温でECRプラズマ酸化を行い、HfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Ge構造を形成後、電極としてPtを3nm堆積した。一部試料にAuキャップ層を堆積してゲート電極加工を行い、作製したMOSキャパシタの電気特性評価を行った。3nmのPt電極越しに400$$^{circ}$$C/10分間の熱処理(PMA)及びAuキャップ層形成後に500$$^{circ}$$C/10分間の熱処理(Cap-PMA)を行った試料についてC-V特性を室温で測定した。キャップ層形成後に熱処理を行うことでEOTが増膜した。低温コンダクタス法により界面準位密度を算出したところ、2.4$$times$$10$$^{11}$$cm$$^{-2}$$eV$$^{-1}$$となり、熱酸化GeO$$_{2}$$/Ge界面に匹敵する良好な特性を示した。

9 件中 1件目～9件目を表示
  • 1