JOPSS:検索結果一覧

検索結果：　2 件中 1件目～2件目を表示

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

論文

Oxidation mechanisms of hafnium overlayers deposited on an Si(111) substrate

垣内拓大*; 的場友希*; 小山大輔*; 山本優貴*; 吉越章隆

Langmuir, 38(8), p.2642 - 2650, 2022/03

https://doi.org/10.1021/acs.langmuir.1c02711

被引用回数：1 パーセンタイル：14.86(Chemistry, Multidisciplinary)

Hf薄膜を形成したSi(111)基板の界面および表面の酸化プロセスを超音速酸素分子ビーム(SOMB)と放射光光電子分光法により研究した。酸化は最表面のHf層から始まり、化学量論的なHfO $_{2}$ を生成する。2.2eVのSOMBを照射した場合、界面のHfシリサイドが酸化され、HfO $_{2}$ /Si界面近傍にHf-O-Siが生成した。Si基板で酸化が起こり、SiO $_{2}$ 化合物が生成される。HfO $_{2}$ 層の下にあるSiO $_{2}$ /Si界面領域からSi原子が放出され、歪んだSi層に発生した応力を解放する。放出されたSi原子は、HfO $_{2}$ を通過して入射するO $_{2}$ ガスと反応する。

論文

Precise chemical state analyses of ultrathin hafnium films deposited on clean Si(111)-77 surface using high-resolution core-level photoelectron spectroscopy

垣内拓大*; 的場友希*; 小山大輔*; 山本優貴*; 加藤大暉*; 吉越章隆

Surface Science, 701, p.121691_1 - 121691_8, 2020/11

https://doi.org/10.1016/j.susc.2020.121691

被引用回数：1 パーセンタイル：6.04(Chemistry, Physical)

放射光XPSを用いて清浄Si(111)-77表面上に堆積したHf超薄膜の界面および表面の化学状態を調べた。極薄Hf層の成長は、相図のてこ則に従う。Hf/Si(111)には、3つの成分(金属Hf層, Hfモノシリサイド(HfSi)およびSiリッチHfシリサイド)があった。極薄Hf層は、1073Kのアニーリング後、HfSi $_{2}$ アイランドに変化し、長方形形状のアイランドの長軸がSi(111)DASモデルのコーナーホール方向になることが分かった。