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論文

Anomalous lattice deformation in GaN/SiC(0001) measured by high-speed ${{it in situ}}$ synchrotron X-ray diffraction

佐々木 拓生; 石川 史太郎*; 高橋 正光

Applied Physics Letters, 108(1), p.012102_1 - 012102_5, 2016/01

AA2015-0769.pdf:2.43MB

 被引用回数:2 パーセンタイル:9.75(Physics, Applied)

We report an anomalous lattice deformation of GaN layers grown on SiC(0001) by molecular beam epitaxy. The evolution of the lattice parameters during the growth of the GaN layers was measured by in situ synchrotron X-ray diffraction. The lattice parameters in the directions parallel and normal to the surface showed significant deviation from the elastic strains expected for lattice-mismatched films on substrates up to a thickness of 10 nm. The observed lattice deformation was well explained by the incorporation of hydrostatic strains due to point defects. The results indicate that the control of point defects in the initial stage of growth is important for fabricating GaN-based optoelectronic devices.

口頭

その場放射光X線回折によるMBE成長窒化物半導体のひずみ緩和観測

佐々木 拓生; 出来 亮太; 石川 史太郎*; 山口 智広*; 高橋 正光

no journal, , 

窒化物半導体は1993年の高輝度青色LEDが発表されて以降、比較的短時間で普及に至ったという経緯から、今なお、表面・界面、ひずみ、欠陥構造など未知な部分が取り残されたままである。我々はこれらの結晶成長の基礎を十分に理解することが、デバイスの極限性能を追求するためには重要と考え、高輝度放射光X線を利用した結晶成長その場測定システムを開発した。本研究は同システムを利用して最近得られた窒化物半導体薄膜のひずみ緩和観測と、臨界膜厚を推定した結果を報告する。

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