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論文

ESR studies of incorporation of phosphorus into high-pressure synthetic diamond

磯谷 順一*; 神田 久生*; 赤石 實*; 森田 洋右; 大島 武

Diamond and Related Materials, 6(2-4), p.356 - 360, 1997/03

 被引用回数:33 パーセンタイル:83.81(Materials Science, Multidisciplinary)

n型ダイヤモンドの作製は未だ成功しておらず、これはダイヤモンド研究の大きな課題となっている。PはCの置換位置に入り、0.2eVの浅いドナーレベルとなることから、ダイヤモンド中のリンの状態の研究は重要である。本論文は、(1)リン触媒により合成した高圧ダイヤモンドのESR測定から、$$^{14}$$Nと$$^{31}$$Pの微細構造に関したシグナルが得られた。(2)合成ダイヤ(IIa型)にPイオン9~21MeV(5つのエネルギーレベル)を各レベルで10$$^{10}$$~10$$^{11}$$P/cm$$^{2}$$のごく低線量照射し、アニールした試料では$$^{31}$$Pに関係すると思われるシグナルが得られた。

論文

EPR identification of the negatively charged vacancy in diamond

磯谷 順一*; 神田 久生*; 内田 吉茂*; S.C.Lawson*; 山崎 聡*; 伊藤 久義; 森田 洋右

Physical Review B, 45(3), p.1436 - 1439, 1992/01

 被引用回数:101 パーセンタイル:95.69(Materials Science, Multidisciplinary)

ダイヤモンド人工単結晶に2MeV電子線を照射し生成される欠陥(単一空孔)を電子常磁性共鳴(EPR)及び電子-核二重共鳴(ENDOR)法を用いて測定した。その結果、C単一空孔に起因するSl-EPRスペクトルに対し、g値は4K及び77Kにおいて等方的で、2.0027なる値をとることが解った。またEPRスペクトルの角度依存性から、電子スピンと最近接格子位置の$$^{13}$$C核スピンとの超微細相互作用テンソルは$$<$$111$$>$$軸対称であることが判明した。これらの結果から、Sl欠陥はTd対称性を示すことが確認された。さらにENDOR測定より、Sl欠陥の有効スピン量子数は3/2であることが解った。第2近接$$^{13}$$Cの配置についても、ENDORスペクトルの角度依存性から、欠陥に対し$$<$$110$$>$$方向に存在することが確かめられた。以上得られた欠陥の対称性とスピン量子数から、Sl欠陥は荷電状態が負(-1価)の単一空孔であることが明らかになった。

口頭

イオン照射によるダイヤモンド結晶中の窒素空孔センターの生成

山本 卓; 小野田 忍; 大島 武; Naydenov, B.*; Dolde, F.*; Fedder, H.*; Honert, J.*; Jelezko, F.*; Wrachtrup, J.*; 寺地 徳之*; et al.

no journal, , 

ダイヤモンド結晶中の負に帯電した窒素空孔センター(NV)は、室温で動作可能な量子ビットとして最も有力な材料の一つであるが、応用的観点からはNVセンターを効率よく人工的に生成する必要がある。本研究では、イオン照射条件,熱処理条件,試料の品質の違い(欠陥量、おもに窒素濃度)で、NVセンターの生成にどのような影響があるかを系統的に調べた。その結果、NV生成の収率は照射量が多くなると下がる傾向にあり、照射エネルギーが高い方が収率が上がることがわかった。一方、マイクロビームによる局所的照射試料における収率は25%から数百%であり、ブロードビーム照射試料(例えば、照射量$$10^{9}/cm^{2}$$試料では4%)と比較すると収率が飛躍的に改善することがわかった。マイクロビーム照射試料において、収率がそれぞれの試料で異なることから、ダイヤモンド試料基板の質の違いがNV生成に重要な要素であることが示唆される。

口頭

双極子双極子相互作用を制御したNVセンターの作成エンジニアリング

小野田 忍; 山本 卓; 阿部 浩之; 花屋 博秋; 大島 武; 谷口 尚*; 寺地 徳之*; 渡邊 賢司*; 小泉 聡*; 神田 久生*; et al.

no journal, , 

量子情報素子や磁気センサーへの応用,超伝導キュービットとのハイブリッド系が注目されている窒素-空孔(NV)センターでは、電子スピンを持つ不純物窒素や欠陥による双極子場,$$^{13}$$C核スピンの双極子場,他のNVセンターの双極子場など、コヒーレンス時間を短くする要因をできるだけ排除して、最適の濃度あるいは配列を作成するエンジニアリングが求められる。窒素濃度,同位体濃度の異なる結晶にイオン照射や熱処理,高温電子線照射を行い、それぞれの応用に対して最適のものを求める試みを行った。熱処理を800から1200$$^{circ}$$Cまで変化させてNVセンターやそれ以外の欠陥を調べた結果、1000$$^{circ}$$Cの熱処理が最も優れていることを明らかにできた。また、マイクロビームとシングルイオンヒット技術を利用して、量子情報素子の最も基本的なNVセンターのペアを作成することに成功した。さらに、空孔が格子中を動き回るような高温(700$$^{circ}$$C)の電子線照射を用いることにより、NVセンターの広い濃度領域(2$$sim$$30ppm)に渡って、コヒーレンス時間が、残存する窒素の双極子場の搖動ではなく、NVセンター同士の双極子双極子相互作用で決まるような作成法に成功した。

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