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論文

Structure and chemical bonding of binary ytterbium germanides, Yb$$_{3}$$Ge$$_{5}$$ and YbGe$$_{3}$$, prepared by high-pressure and high-temperature reactions

原田 桃子*; 福岡 宏*; 松村 大樹; 犬丸 啓*

Journal of Physical Chemistry C, 116(3), p.2153 - 2158, 2012/01

https://doi.org/10.1021/jp206207c
 被引用回数：12 パーセンタイル：37.25(Chemistry, Physical)

Two new ytterbium germanides, Yb$$_{3}$$Ge$$_{5}$$ and YbGe$$_{3}$$, were obtained using high-pressure and high-temperature reactions. Yb$$_{3}$$Ge$$_{5}$$ crystallizes in the Pu$$_{3}$$Pd$$_{5}$$ structure (the space group${it Cmcm}$, No.63) with $$a$$ = 9.3739${AA}$, $$b$$ = 7.5569${AA}$, $$c$$ = 9.5170${AA}$, and $$V$$ = 674.16$AA $^{3}$$. It is a new polymorph and contains Ge$$_{5}$$ units with a square-pyramidal structure. COHP and ELF calculations revealed that the unit is constructed with strong Ge-Ge covalent bonds. The XAS analysis showed that the mean oxidation state of Yb is +2.4. It is metallic and is an example of electron-rich Zintl phases. YbGe$$_{3}$$ crystallizes in the Cu$$_{3}$$Au structure (the space group ${it Pm$overline{3}$m}$, No.221) having a unit cell of $$a$$ = 4.27${AA}$ and $$V$$ = 78.13$AA $^{3}$$. It is the first example for heavy rare-earth germanides having the Cu$$_{3}$$Au-type structure. The mean oxidation state of Yb is +2.4. YbGe$$_{3}$$ is metallic and is possibly a valence-fluctuating system.

論文

Protective layer formation during oxidation of Cu$$_{3}$$Au(100) using hyperthermal O$$_{2}$$ molecular beam

岡田 美智雄*; 橋之口 道宏*; 福岡 正幸*; 笠井 俊夫*; 盛谷 浩右*; 寺岡 有殿

Applied Physics Letters, 89(20), p.201912_1 - 201912_3, 2006/11

https://doi.org/10.1063/1.2390672
 被引用回数：25 パーセンタイル：64.91(Physics, Applied)

超熱酸素分子ビームを用いたCu$$_{3}$$Au(100)の酸化について放射光X線光電子分光によって調べた。酸素の吸着曲線の運動エネルギー依存性から、金の合金化によって酸素分子の解離性吸着が高い活性化障壁を持つこと、それゆえに反応性が低いことがわかった。解離性吸着は表面での銅の偏析を伴う。2eVの運動エネルギーの酸素分子でさえもCu$$_{2}$$Oの目立った成長は見られなかった。このことは銅の金合金化がバルク領域への酸化進行に対して阻害層として作用することを表している。

論文

Electrical conductivity increase of Al-doped ZnO films induced by high-energy-heavy ions

須貝 宏行; 松波 紀明*; 福岡 修*; 左高 正雄; 加藤 輝雄; 岡安 悟; 志村 哲生*; 田沢 真人*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 250(1-2), p.291 - 294, 2006/09

https://doi.org/10.1016/j.nimb.2006.04.126
 被引用回数：15 パーセンタイル：70.56(Instruments & Instrumentation)

AlドープZnO(AZO)半導体薄膜は、電気伝導性及び可視光透過性に優れ、低コストで環境負荷の軽い透明電極材料として応用研究が行われている。熱的過程では限界があるAZO薄膜の電気特性向上を試みて、高エネルギー重イオン照射を行った。RFマグネトロンスッパター法により作製したAZO薄膜は、Al/Zn組成比4%,膜厚0.3$$mu$$mであった。フルーエンス4$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^{2}$$まで100MeV Xeイオンを照射すると、電気伝導度は1.5$$times$$10$$^{2}$$から8$$times$$10$$^{2}$$S/cmまで単調に増加した。このような電気伝導度の増加は、100keV Neイオン照射の場合にも観測しているが、100keV Neイオン照射の場合には、フルーエンス3$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{2}$$(深さ0.1$$mu$$mのレンジ付近で、7dpa)で電気伝導度が最大となった。100MeV Xeイオン照射の場合、フルーエンス4$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^{2}$$におけるdpaは0.008となるので、100MeV Xeイオン照射における電気伝導度の増加は、電子励起効果によると考えられる。

論文

Irradiation effects with 100 MeV Xe ions on optical properties of Al-doped ZnO films

福岡 修*; 松波 紀明*; 田沢 真人*; 志村 哲生*; 左高 正雄; 須貝 宏行; 岡安 悟

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 250(1-2), p.295 - 299, 2006/09

https://doi.org/10.1016/j.nimb.2006.04.146
 被引用回数：24 パーセンタイル：83(Instruments & Instrumentation)

AlドープZnO(AZO)半導体薄膜は、電気伝導性及び可視光透過性に優れ、低コストで環境負荷の軽い透明電極材料として応用研究が行われている。熱的過程では限界があるAZO薄膜の電気特性向上を試みて、高エネルギー重イオン照射を行い、光学特性の変化を調べた。RFマグネトロンスッパター法により作製したAZO薄膜は、Al/Zn組成比4%,膜厚0.3$$mu$$mであった。フルーエンス4$$times$$10$$^{13}$$/cm$$^{2}$$までの100MeV Xeイオン照射により、電子励起効果によると考えられる電気伝導度の増加(1.5$$times$$10$$^{2}$$から8$$times$$10$$^{2}$$S/cm)を観測したが、照射前後の吸光度測定及びX線回折測定によると、可視光透過率及び結晶性に大きな変化はなかった。

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