Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
八木 敏明; 森田 洋右; 瀬口 忠男; 大和 仁*; 米本 広憲*; 楠 晋*
DEI-95-128, 0, p.39 - 48, 1995/12
代表的なポリイミド、ポリアミドイミド及び変成ポリヒダントインワニスについて、高温、窒素雰囲気下及び室温、空気中での大線量照射における耐放射線性評価を絶縁破壊電圧、自己径巻付ピンホール、tanの温度変化を調べて行った。高温(250C)、窒素雰囲気下の照射では3種類のワニスとも、架橋反応が進行し、tan曲線及びガラス転移温度は高温側に変化する。高温照射(N中)での耐放射線性はポリイミドで100MGy、ポリアミドイミドで30MGy、変成ポリヒダントインで約10MGy有することがわかった。室温、空気中照射では高温照射に比べ耐放射線性は1/10以下に低下する。これらのことから、高温の特に窒素などの不活性ガス雰囲気では高分子有機材料の耐放射線性は室温、空気中照射に比べ、著しく良くなることが明らかとなった。